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题名先进封装技术在三维闪存产品中的应用探讨
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作者
邵滋人
李太龙
汤茂友
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机构
宏茂微电子(上海)有限公司
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出处
《中国集成电路》
2023年第11期88-92,共5页
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文摘
在存储技术发展过程中,三维闪存存储器以其单位面积内存储容量大、改写速度快等优点,正逐步取代机械硬盘成为大数据存储领域中的主角。但是目前市面上的Nand Flash产品封装还是多以传统金属线键合技术为主,这类传统方案会在一些特殊应用和需求下存在较难进一步降低封装体的尺寸、传输速度受限等问题。为了应对产品尺寸持续向小、速度和带宽需求持续增大的趋势,三维闪存封装也需要更多的形式,可以结合当前涌现出的多种先进封装形式寻找新的解决方案。本文通过分析SiP、Fan-out、3D和Chiplet等先进封装形式,探讨在三维闪存封装中的可能应用方案,利用重新布线层(RDL)代替基板、TSV,Bumping代替金线的连接等技术,有效缩小封装体面积同时,提升产品的运行速度,增强数据处理能力。
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关键词
三维闪存
先进封装
SiP
Fan-in/Fan-out
重新布线层(RDL)
硅通孔(TSV)
Chiplet
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分类号
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名铝和镁对锌铝镁合金凝固组织与力学性能的影响
被引量:15
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作者
杨巧燕
汤茂友
刘亚
涂浩
苏旭平
王建华
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机构
常州大学
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出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期421-428,共8页
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基金
国家自然科学基金项目(51271041,51271040)
常州市工业支撑项目(CE20130085)资助
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文摘
采用扫描电镜(SEM)和万能电子试验机分析和测试了不同镁含量(1%-5%,质量分数)和铝含量(4%-8%,质量分数)锌铝镁合金的凝固组织与力学性能。研究表明:当铝含量为6%时,随着镁含量的增加,Zn-6%Al-Mg合金中的MgZn2相、二元Zn/Al和三元Zn/Al/MgZn2共晶体数量明显增加,当镁含量为3%时达到最大值。当镁含量超过3%时,出现较多粗大的Al/MgZn2二元共晶体。铝含量小于6%时,在Zn-Al-3%Mg合金中形成粗大的Mg2Zn11相和大量的Zn/Al/Mg2Zn11三元共晶体;当铝含量超过6%时,在Zn-Al-3%Mg合金中形成粗大的MgZn2相和大量的Al/MgZn2二元共晶体。当铝含量为6%时,Zn-6%Al-Mg合金的抗拉强度和硬度随着镁含量的增加呈现先增加后降低的趋势,但合金的延伸率一直下降,Zn-6%Al-3%Mg合金的抗拉强度和硬度最高。当镁含量为3%时,Zn-Al-3%Mg合金的抗拉强度、延伸率和硬度随着铝含量的增加都呈现先增加后降低的趋势,Zn-6%Al-3%Mg合金的综合力学性能最好。
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关键词
锌铝镁合金
化学成分
凝固组织
力学性能
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Keywords
Zn-Al-Mg alloy
composition
solidification mierostructure
mechanical properties
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分类号
TG290
[金属学及工艺—铸造]
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