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大束流阳极层离子源的阴极刻蚀现象及消除措施
1
作者
汤诗奕
马梓淇
+5 位作者
邹云霄
安小凯
杨东杰
刘亮亮
崔岁寒
吴忠振
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第18期230-241,共12页
阳极层离子源可输出高密度离子束流,广泛用于等离子体清洗和辅助沉积,但大束流下内部易发生放电击穿,且大量离子轰击内外阴极导致明显刻蚀,易造成样品污染.本文提出阳极环绕磁屏蔽罩和内外阴极溅射屏蔽板的设计方案,并仿真研究了其对离...
阳极层离子源可输出高密度离子束流,广泛用于等离子体清洗和辅助沉积,但大束流下内部易发生放电击穿,且大量离子轰击内外阴极导致明显刻蚀,易造成样品污染.本文提出阳极环绕磁屏蔽罩和内外阴极溅射屏蔽板的设计方案,并仿真研究了其对离子源电磁场和等离子体放电输运的影响.发现阳极环绕磁屏蔽罩可切断离子源内部阴阳极间的磁场回路,消除打火条件.内外阴极溅射屏蔽板选择溅射产额低且绝缘性能好的氧化铝,既可阻挡离子溅射,又能屏蔽阴极外表面电场,使等离子体放电向阳极压缩,在抑制阴极刻蚀行为的同时提升离子输出效率.当距离阴极外表面9 mm时,溅射屏蔽板的作用效果最优,不仅能获得稳定放电和高效输出,还可大幅削弱阴极刻蚀行为并减少污染.实验结果显示:改进离子源无内部打火,输出高效且清洁,相同电流下离子输出效率较原离子源实际提高36%;玻璃基片在经过1 h清洗后,表面成分几乎不变,来自阴极溅射的Fe元素含量仅为0.03%,比原离子源低2个数量级,含量约为原离子源的0.6%,实验结果验证了理论分析.
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关键词
大束流阳极层离子源
阴极刻蚀
电磁屏蔽
输出性能
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职称材料
题名
大束流阳极层离子源的阴极刻蚀现象及消除措施
1
作者
汤诗奕
马梓淇
邹云霄
安小凯
杨东杰
刘亮亮
崔岁寒
吴忠振
机构
北京大学深圳研究生院新材料学院
香港城市大学物理与材料科学系
东北林业大学家居与艺术设计学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第18期230-241,共12页
基金
深圳市科技计划深港联合资助项目(批准号:SGDX20201103095406024)
2022年深圳市高等院校稳定支持计划(批准号:20220810143642004)
+1 种基金
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:52305174)
深圳市博士后出站科研资助经费(批准号:6700200201)资助的课题。
文摘
阳极层离子源可输出高密度离子束流,广泛用于等离子体清洗和辅助沉积,但大束流下内部易发生放电击穿,且大量离子轰击内外阴极导致明显刻蚀,易造成样品污染.本文提出阳极环绕磁屏蔽罩和内外阴极溅射屏蔽板的设计方案,并仿真研究了其对离子源电磁场和等离子体放电输运的影响.发现阳极环绕磁屏蔽罩可切断离子源内部阴阳极间的磁场回路,消除打火条件.内外阴极溅射屏蔽板选择溅射产额低且绝缘性能好的氧化铝,既可阻挡离子溅射,又能屏蔽阴极外表面电场,使等离子体放电向阳极压缩,在抑制阴极刻蚀行为的同时提升离子输出效率.当距离阴极外表面9 mm时,溅射屏蔽板的作用效果最优,不仅能获得稳定放电和高效输出,还可大幅削弱阴极刻蚀行为并减少污染.实验结果显示:改进离子源无内部打火,输出高效且清洁,相同电流下离子输出效率较原离子源实际提高36%;玻璃基片在经过1 h清洗后,表面成分几乎不变,来自阴极溅射的Fe元素含量仅为0.03%,比原离子源低2个数量级,含量约为原离子源的0.6%,实验结果验证了理论分析.
关键词
大束流阳极层离子源
阴极刻蚀
电磁屏蔽
输出性能
Keywords
large beam-anode layer ion source
cathode etching
electromagnetic shielding
output properties
分类号
TG1 [金属学及工艺—金属学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大束流阳极层离子源的阴极刻蚀现象及消除措施
汤诗奕
马梓淇
邹云霄
安小凯
杨东杰
刘亮亮
崔岁寒
吴忠振
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
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