次级电子不平衡对CMOS器件敏感区吸收剂量和电离总效应的影响

选择双列直插塑料封装的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件CC4069 六反相器作为研究对象,采用蒙特卡罗方法分析了器件吸收剂量与标称辐照剂量的差异,结合电离总剂量效应敏感参数阈电压的测量,分析评估了不满足次级电子平衡条件对器件敏感区吸收剂量和电离总剂量效应的影响程度,分析比较了标称辐照剂量和修正吸收剂量的PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor)和NMOS(Negativechannel Metal Oxide Semiconductor)不同偏置下的阈电压漂移变化规律。结果表明:器件敏感层中的吸收剂量只有标称辐照剂量的83.52%。次级电子不平衡下的辐照试验会影响器件的抗辐射水平考核,器件的抗辐射水平被高估了16.5%。

与HBr（Χ1Σ+v″=1,J″=12）碰撞的CO2（0000）转动态分布

利用受激拉曼泵浦激发HBr分子至Χ1Σ+(1,12)激发态,由相干反斯托克斯-拉曼散射(CARS)光谱确定分子的激发.通过测量CARS谱相对强度,得到了HBr分子Χ1Σ+态(1,12)能级的布居数密度为n1=0.54×10^13 cm^-3.在一次碰撞条件下,测量碰撞前后CO2(0000,J)态的激光感应荧光强度比,得到CO2转动态的双指数分布.由二分量指数拟合得到Ta=261 K的低能分布和Tb=978 K的高能分布.结果表明,碰撞后约有65%的分子处于低J态,属于弹性或近弹性的弱碰撞;约有35%的分子处于高J态,属于非弹性的强碰撞.在振动-转动平动(V-RT)能量转移过程中,CO2(0000,J)态的总出现速率系数为(1.3±0.3)×10^-10 cm^3 molecule^-1s^-1;低转动态的平均倒空速率系数为(2.9±0.8)×10^-10 cm^3 molecule-1s-1.总的出现速率系数比平均倒空速率系数小,但在量级上保持一致.对CO2 J=60-74高转动态,随着J值的增加,质心平移温度和质心平移能的平均改变增加.对低转动态,在碰撞过程中,J态既可能出现也可能被倒空,平移能的改变不易确定.

万源市四条措施为农村五保提供保障

四川省万源市把农村五保供养纳入了各级党委、政府和部门构建和谐万源的重要内容进行部署，把任务、责任落实到乡镇及职能部门，形成了五保供养“政府主导、部门配合，社会参与”的网络体系，并列入重点工作进行督办。