三价铬硫酸盐溶液镀硬铬的辅助配位剂研究

采用赫尔槽和方形槽电解试验，研究了三价铬硫酸盐溶液镀硬铬时乙酸、甘氨酸、柠檬酸钠、草酸钠、苹果酸等辅助配位剂对镀铬层外观、厚度和镀速的影响。结果表明，辅助配位剂有利于改善镀层质量和得到光亮镀层，但平均镀速和镀层厚度明显减小。辅助配位剂的种类及添加量都会影响三价铬的电沉积过程。以0．4mol／L甘氨酸作为辅助配位剂时，高电流密度区不漏镀，也不出现雾带，电流密度范围达到4．5～32．0A／dm^2，可得到整体光亮的合格镀层；以0．10mol／L苹果酸作为辅助配位剂时，在电流密度为9A／dm^2的条件下持续电解20min，可得到7．33μm厚的合格光亮镀层，镀速为21．96μm/h。

三价铬硫酸盐体系快速电沉积可行性探讨

三价铬镀铬是替代六价铬镀铬理想的清洁生产工艺。研究了电流密度、电镀时间和不同基体金属对三价铬硫酸盐镀液中快速镀铬的影响。结果表明:采用三价铬硫酸盐镀液在铜、镍和低碳钢基体上进行快速镀铬都可得到表面连续致密、结构为非晶态的铬镀层,镀速在铜基体上比在镍和低碳钢基体上快很多;电流密度10A/dm2下电镀10s,铜基体上可得到0.40μm以上的铬镀层,平均镀速可达2.50μm/min;镍和低碳钢基体上只能得到0.10μm的铬镀层,平均镀速为0.50μm/min;快速镀铬的电流效率与电流密度有关,电流密度为10～12A/dm2时可达25.0%以上;三价铬硫酸盐镀液长时间连续快速镀铬时镀液体积明显减少、pH值降低。

三价铬硫酸盐溶液快速镀装饰铬

采用赫尔槽试验和直流电解方法研究了三价铬硫酸盐溶液镀铬工艺。研究结果表明,三价铬硫酸盐溶液快速镀装饰铬的最佳镀液组成和工艺条件为:Cr3+15g/L,主配位剂(甲酸)10mL/L,辅助配位剂15g/L,Na2SO4144g/L,K2SO450g/L,硼酸60g/L,润湿剂1g/L,镀液温度35°C,pH2.5,电流密度12A/dm2。采用这种镀液组成和工艺条件在光亮镍镀层上镀装饰铬,电镀2min和3min获得的光亮铬镀层厚度分别为0.32μm和0.49μm,平均镀速可达0.16μm/min。镀液中的辅助配位剂使镀液的覆盖能力增加,但电镀一定时间后,镀层厚度和平均镀速减小。

甘油浓度对高压腐蚀箔的性能影响

甘油作为缓蚀剂对铝电解电容器阳极腐蚀铝箔孔洞的生长有显著的抑制效果,随甘油浓度增加,孔洞长度和数目减少,孔洞均匀性明显改善,腐蚀箔的比电容先增大后减少。当甘油浓度为0.5 g/L时腐蚀箔的比电容达到最大值0.776μF/cm2。

隧道孔型对高压阳极铝箔特性的影响

系统对比了腐蚀工艺对孔型的影响,同时基于数学模型考察了铝电解电容器用阳极箔的隧道孔型对比容、化成能耗、孔内Cl^(-)传质及孔内电解液温升速率的影响,并通过电容器负载纹波电流测试温升特性进行验证。计算结果表明,阳极箔比容随着隧道孔尖端直径d_(tip)的减少显著降低(28%),化成能耗也随d_(tip)减少呈现相似的降低趋势,这主要是因为隧道孔有效表面积减少所致。后处理后隧道孔内Cl^(-)浓度随着d_(tip)的增加逐渐增加,相比于化学扩孔工艺,电化学扩孔工艺中箔的Cl^(-)浓度要低。另外,隧道孔内电解液温升速率随d_(tip)的减少,先缓慢增加然后再急剧增加,相比于圆柱形孔,低d_(tip)区域孔内的温升速率增加6~50倍。因此采用具有大d_(tip)的阳极箔将有助于改善电容器性能。

电子铝箔晶粒法向EBSD样品制备及分析方法

本文介绍了一种电子铝箔法向EBSD分析方法,将待制样品用环氧树脂进行镶嵌固化,经过机械抛光、振动抛光和电解抛光,并用丙酮除去镶嵌树脂,然后对样品的有效解析度、晶界特性、立方织构等进行表征分析。结果表明,通过此方法可以获得清晰的EBSD菊池花样,铝箔样品的衍射花样有效解析度为95%,小角度晶界超过95%,立方织构度超过99%,满足高压光箔要求。

基于MC664控制器的生产线传动和张力控制系统

为满足铝电解电容器用腐蚀箔的生产线工艺需求,本文设计了一套传动和张力控制系统,系统基于翠欧运动控制器MC664,搭载OMRON伺服、丹麦OWL300系列张力传感器、威纶通MT8150iE等设备,在传统控制的基础上予以改进和完善,增加了张力滤波、张力断线和短路保护、伺服电机同步和级联、异常报警等功能。与传统控制系统比,本系统能有效提高张力控制的精度以及系统的稳定性和响应性,张力控制精度能达到±0.5kg,速度稳定达1%以内,同时能避免张力异常导致的断箔和飞车等安全事故。