凝胶中络合物浓度分布对CuI晶体生长的影响

采用改进的浓度控制的络合解络法在硅凝胶中生长出形状规则的CuI单晶。通过分光光度法测量铜离子浓度,分析了硅凝胶中络合物浓度和浓度梯度对晶体生长的影响。实验发现:要获得形貌规则且尺寸较大的CuI单晶,在晶体生长区必须维持一个低而稳定的络合物浓度和浓度梯度。就浓度递减法而言,生长区的浓度和浓度梯度一般可分别控制在0.01～0.03mol/L范围和0.012mol/(L·cm)左右,这样生长区的过饱和度可以维持在一个使晶体缓慢生长的水平。为更好地调控凝胶中络合物的浓度分布,通过浓度递增法研究了络合物的扩散规律,得到其平均扩散系数为1.521×10-5cm2/s,这一结果可为实验方案的进一步优化提供依据。