多孔硅发光机制的分析

从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应，推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了ＰＳ光致发光的实验现象。

多孔硅的形成与光致发光谱

介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺，并分析了它的微结构，实验测定了多孔硅光致发光谱（ＰＬ），由ＰＬ谱的峰值位于可见光区，不同于Ｓｉ的带隙能量；用纳米量子限制效应（Ｑ－ＣＥ），解释了多孔硅中进入量子线中电子和空穴能量增量为ΔＥｃ和ΔＥｖ，于是多了孔硅有效带宽成为Ｅ＝Ｅ。＋ΔＥ。而Ｅ。是Ｓｉ的带宽为ｌ．０８ｅＶ，ΔＥｃ和上ΔＥｖ分别为ｈ２／４ｍｅｑ２和ｈ２／４ｍｈｑ２，由此计算与实验结果一致。

多孔硅的光致发光谱

本文介绍了用电化学腐蚀的阳极氧化工艺，在硅衬底上制备多孔硅（ＰＳ）薄膜，实验测定了多孔硅薄膜的光致发光谱（ＰＬ），发现光致发光谱峰值波长随阳极氧化时间、ＨＦ浸泡时间或置于空气中自然氧化时间增加而向短方向移动（“蓝移”）．文章用量子限制效应（ＱＣＥ）理论解释了上述实验结果，并提出了在多孔硅发光机制中还存在表面态及实物质在发光中的作用。

M/PS/Si/M结构的电致发光

用阳极氧化工艺制作了多孔硅（ＰＳ）膜，采用第二次阳极氧化的方法看到了多孔硅的电致发光现象；并制作了一个Ｍ／ＰＳ／Ｓｉ／Ｍ类肖特基结构的发光二极管，观察到其电致发光，但其电致发光效率与强度很低，寿命很短，提出了研制实用化的多孔硅电致发光器件的努力方向。

自聚焦棒耦合性能的分析

本文采用光线光学的原理分析了自聚焦棒（ＧＲＩＮ）的光学性能，在折射率分布为抛物线近似的条件下，推导出较为简单的ＧＲＩＮ中的光线轨迹方程，并实验测量了ＧＲＩＮ的耦合效率，从而由理论和实验两方面讨论ＧＲＩＮ的聚焦特性。

多孔硅的微结构和喇曼光谱

多孔硅（ＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ）是晶体硅于氢氟酸溶液中在硅衬底上形成的多孔态的硅材料。ＰＳ可见光区的强烈光辐射使其成为世界范围的研究焦点。本文用电化学方法制得了ＰＳ结构，扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的结果表明ＰＳ是一个硅的毫微结构量子线的网络，光致发光（ＰＬ）谱表明ＰＳ发可见红光，而喇曼光谱显示一个在５１６ｃｍ（－１）附近的非对称峰，说明ＰＳ是一种新型的硅材料。

用试探值α分析InGaAs/InP异质界面

自70年代液相外延得到迅速发展以来,在对短时间生长(1～30s)得到的亚微米异质外延层的丰富经验基础上,1982年以后,人们提出了LPE短时间生长机制的理论分析。但迄今为止,国内外对LPE生长接触后极短时间的,特别是初始生长速率的变化行为的研究仍是猜测性地定性分析。研究异质界面问题最有效、最可信的方法是Auger深度离子剥离分析,它可以在2nm以下的精度显示异质固态结合处各元素沿生长距离的分布。

一种自外差－相干光纤系统与PIN－FET混频检测

一种自外差－相干光纤系统与ＰＩＮ－ＦＥＴ混频检测汪开源，徐伟弘，唐洁影（东南大学电子工程系，２１００１８）ＡＳｅｌｆ－Ｈｅｔｅｒｏｄｙｎｅ／ＣｏｈｅｒｅｎｔＦｉｂｅｒＳｙｓｔｅｍａｎｄＰＩＮ－ＦＥＴＭｉｘｉｎｇＦｒｅｑｕｅｎｃｙＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ...

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。

In_（0．53）Ga_（0．47）As／InP异质结光电二极管的深能级

采用深能级瞬态谱仪（ＤＬＴＳ）测定了Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ异质结光电二极管的ＤＬＴＳ谱。发现存在一电子陷阱，该陷阱能级位于导带底以下０．４４ｅＶ处，能级密度为３．１０×１０１３ｃｍ－３，电子俘获截面为１．７２×１０－１２ｃｍ－２。由于深能级的存在，导致了该器件存在一种新的“暗电流”──“深能级协助隧穿电流”。

硅基材料高效发光──多孔硅电致发光的研究

本文介绍了多孔硅（ＰＳ）二次阳极氧化（Ａ０）过程中的电致发光现象，所设计的Ｍ／ＰＳ／Ｓｉ／Ｍ肖特基结构的二极管也观察到了电致发光，本文还对它们的发光机理做了粗略地讨论。并提出要使多孔硅电致发光器件实用化，还有许多问题有待进一步解决。

多孔硅膜的俄歇和红外吸收谱

本文利用俄歇电子能谱和红外吸收谱仪，测试和分析了多孔硅样品的表面成份，并就它们对多孔硅发光可能产生的影响进行了讨论与分析。

硅基材料高效发光──多孔硅光致发光研究

本文介绍了采用阳极氧化腐蚀工艺在单晶硅上制作多孔硅（ＰＳ）薄层，对ＰＳ薄层进行了微结构的分析为毫微结构量子线组成的复杂网络，其截面尺寸为纳米范围而纵向尺寸在微米量级。对ＰＳ样品光致发光谱的测定发现随阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加谱峰发生“兰移”并用ＰＳ的量子限制效应解释了上述实验现象。

用声表面滤波器作光－光中继器的抽时钟电路

本文对影响３Ｒ光－光三次群光中继器的性能的主要因素抽时钟电路进行了分析研究，介绍了一种新型的声表面滤波器（ＳＡＷＦ）作为抽时钟电路的核心器件，实验由ＳＡＷＦ器件得到的时钟抖动较小，最大时钟抖动为０．３ｕｓ（４．５°），在９连“０”时，时钟性能无明显下降，并具有电路结构简单、调整方便、时钟频率准确等优点。

多孔硅发光的物理机制──纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用

采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析，提出了这种ＰＳ发光的物理机制：纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用，从量子力学的薛定锷方程出发，用沟道势阱的近似模型，推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒，ＰＳ的有效带宽Ｅ＝Ｅ＿０＋ΔＥ，对于Ｓｉ（Ｅ＿０＝１．１２ｅｖ）。完美地解释了目前在ＰＳ研究中的ＰＬ谱的篮移现象。

一种0．85μm、10Mb／s PIN－FET厚膜集成光接收器的研制

本文介绍了一种适用于短距离光纤通信与光纤传感器的０．８５μｍ、１０Ｍｂ／ｓＰＩＮ－ＦＥＴ混合集成光接收器的基本原理。从ＰＩＮ－ＦＥＴ前置放大器出发，分析了热噪声因子Ζ的大小对接收器电路的热噪声均方电流的影响以及和接收器灵敏度的关系，指出了要改善ＰＩＮ－ＦＥＴ接收器灵敏度主要是提高品质因素ｇｍ／ＣＴ２。为照顾到低噪声、宽频带，又兼顾到动态范围，因而采用了跨阻抗放大器的实际电路。电路采用混合集成的厚膜工艺，整个接收器集成于１５×１０ｍｍ２基片上，再安装于２３×１８×８ｍｍ３双列直插式金属管壳内，由光纤引出。经过测试达到的上升、下降时间小于３０ｎｓ，带宽１０Ｍｂ／ｓ，最低接收灵敏度－４６ｄＢｍ。

InGaAs／InP短时间液相外延层厚度与生长时间的数学拟合

在液相外延（ＬＰＥ）工艺中，采用常规的过冷降温技术，在６４０℃下进行短时间的液相外延ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的生长实验，用扫描电镜测量不同生长时间下的外延层厚，对实验曲线进行数学拟合，得到ｄ＝０．２＋０．１３２ｔ０．７５７５的短时间生长厚度与时间的表达式．结果表明，短时间ＬＰＥ生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ相类似，有着相同的初始快速生长阶段．

34Mb／s厚膜混合集成光中继器的研制

本文介绍了一种３４Ｍｂ／ｓ混合集成光中继器的设计与制造。光中继器包含有四个混合厚膜集成组件：集成在１０×１５ｍｍ２陶瓷基片上、封装于６脚金属管壳内的光接收前置放大器组件（模块）；制作在２６×３７ｍｍ２的陶瓷基片上、并封装于４８脚金属管壳内的ＡＧＣ与主放大器模块；制作在１５×２７ｍｍ２的陶瓷基片上、再封装于２４脚金属管壳内的定财提取模块以及制作在１０×１５ｍｍ２陶瓷基片上的ＬＥＤ驱动模块。光中继器接收灵敏度小于－３４ｄＢｍ（误码率１０－９），眼图清晰，整机尺寸为１４５×７６×４４ｍｍ３。

一维 PSD 信号调理电路及其应用

本文介绍了一维位置敏感器件ＰＳＤ及其信号调理电路，还介绍了一维ＰＳＤ的信号处理专用集成电路Ｈ２４７６的特点，并给出了一维ＰＳＤ、Ｈ２４７６在光学三角测距系统中的应用。

MCS-51单片机组成的红外光电测速仪

以８０３１单片机组成的红外光电测速仪，由于采用了Ｍ／Ｔ法进行数字测速，在高速和低速时都有较高的精度。该测速仪具有工作方式为非接触式，使用方便，测量精度高。