一种800V深阱多浮空场环终端结构设计

在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931V的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终端结构提升了34.15%,有效提高了终端效率。

一款75V功率场效应管失效分析与改进

对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.7V,硅表面最大电场为2.17×105 V/cm,小于临界电场2.2×105 V/cm,降低了最大碰撞电离率,提高了器件的可靠性。

55V沟槽型功率场效应管设计

设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。

利用乡土资源培养高中生生物学科核心素养--以霍山石斛组织培养和栽培系列实践活动为例

以本地学生熟悉的霍山石斛栽培技术为依托,组织学生参与相关实践活动,通过制订计划、观察学习、动手操作、撰写实验总结,加深学生对课本知识和概念的理解,进而提升高中生生物学科核心素养。

一款700V功率场效应管失效分析与改进

对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。