热CVD法制备纳米硅粉及其表征

采用简单的热CVD反应法成功制备了纳米硅粉、X射线衍射和透射电镜结果表明：该产物是无定形的球形纳米粉体，粒径为20～100nm．粉体粒径随分解温度敏感，温度升高粒径减小，但高于700℃时急剧增加．傅立叶红外分析表明，粉体存在Si～H键，且H含量随分解温度升高而降低．进一步研究表明，该无定形纳米硅粉经700℃退火处理可转变为晶体硅．

硅烷流量对硅烷热CVD法制备纳米硅粉的影响

纳米硅粉的制备方法很多,但采用硅烷(SiH4)热CVD法制备纳米硅粉较于其它方法有很多优势。文章研究了在特定的温度和压力下硅烷流量对硅粉制备的影响,并对制得的硅粉进行XRD、SEM和粒径分析表征,从而获得硅烷热CVD法制备硅粉一些关于硅烷流量等关键控制参数,为该法多参数优化控制以及将来的大规模工业应用做准备。

流态床CVD法制氮化硅超微粉过程分析及实验验证

分析了硅烷氨解法制备氮化硅超微粉的化学气相沉积(CVD)过程,讨论了制备氮化硅超微粉体的3个关键工艺要素,并采用立式双温区流态床实验装置实现氮化硅超微粉体的制备,获得粉体合成过程的一些关键控制参数。

RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜。用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响。

六角状SmF_3:Eu^(3+)纳米晶体的制备与表征

采用水溶液沉淀法成功地制备了具有六角状结构的SmF3:Eu3+纳米晶体。分别采用了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和光致发光光谱仪(PL)等手段对产物的晶体结构、形貌、光致发光性能进行了表征。结果表明:产物为纯相六方晶系的SmF3晶体,且具有由规则六方状结构、尺寸分布较均匀等特点。最后对掺杂5mol%Eu3+离子的SmF3晶体的发光光谱作了初步的分析,发现其在波长为325 nm的激发源激发下,发出强烈的红光且单色性较好。