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不同直径张应变锗材料对光谱和晶体质量的影响
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作者 黄诗浩 孙钦钦 +3 位作者 谢文明 汪涵聪 林抒毅 陈炳煌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期305-309,共5页
绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变... 绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料。喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%。对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移。同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差。该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件。 展开更多
关键词 绝缘体上锗 张应变 锗浓缩 绝缘体上硅(SOI) 晶体质量
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表面增强光学力与光操纵研究进展
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作者 汪涵聪 李志鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第14期19-33,共15页
金属纳米结构在光激发下产生的表面等离激元,可导致亚波长光场局域、近场增强等效应,在表面增强光谱、超灵敏传感、微流控芯片、光学力等方面有重要的应用.对于光学力而言,首先,由于表面等离激元共振及其导致的电场增强对于入射波长、... 金属纳米结构在光激发下产生的表面等离激元,可导致亚波长光场局域、近场增强等效应,在表面增强光谱、超灵敏传感、微流控芯片、光学力等方面有重要的应用.对于光学力而言,首先,由于表面等离激元共振及其导致的电场增强对于入射波长、几何结构等具有较强的依赖性,而光学力又与电场分布密切相关,所以可利用光镊(会聚光束)来操纵或筛选金属纳米颗粒;其次,入射光激发金属纳米颗粒聚集体后,在间隙形成的较大的近场增强和梯度,也可看作一种“等离激元镊”,用于操纵其他颗粒;最后,当入射光的偏振改变甚至为新型光束的情况下,光学操纵将具有更高的自由度.本文首先简要介绍了表面等离激元增强光学力的计算;之后围绕光镊作用于等离激元金属纳米颗粒,等离激元镊作用于其他颗粒,与偏振、新型光场或手性结构相关的等离激元光学力这三个方面,综述了近年来表面等离激元金属纳米颗粒光学力和光操纵的一些新进展;最后提出了表面增强光学力与光操纵的若干研究趋势. 展开更多
关键词 表面等离激元 金属纳米颗粒 光学力 光学操纵
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(001)面双轴应变锗材料的能带调控
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作者 黄诗浩 孙钦钦 +3 位作者 黄巍 谢文明 汪涵聪 林抒毅 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期352-357,369,共7页
本文基于形变势理论构建(001)面双轴应变Ge材料的能带结构模型。计算结果表明(001)面双轴应变可以将Ge的能带从以L能谷为导带底的间接带半导体调控到以Δ4能谷为导带底的间接带半导体或者以Г能谷为导带底的直接带半导体。同时室温下Ge... 本文基于形变势理论构建(001)面双轴应变Ge材料的能带结构模型。计算结果表明(001)面双轴应变可以将Ge的能带从以L能谷为导带底的间接带半导体调控到以Δ4能谷为导带底的间接带半导体或者以Г能谷为导带底的直接带半导体。同时室温下Ge的带隙与应变的关系可用四段函数来表示:当压应变将Ge材料调控为以Г能谷为导带底的间接带半导体后,每增加1%的压应变,禁带宽度将线性减小约78.63meV;当张应变将Ge材料调控为直接带半导体后,张应变每增加1%,禁带宽度将线性减小约177.98meV;应变介于-2.06%和1.77%时,Ge将被调控为以L能谷为导带底的间接带半导体,禁带宽度随着压应变每增加1%而增加11.66meV,随着张应变每增加1%而线性减小约88.29meV。该量化结果可为研究和设计双轴应变Ge材料及其器件提供理论指导和实验依据。 展开更多
关键词 应变 退简并 能带调控
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双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响
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作者 黄诗浩 谢文明 +4 位作者 汪涵聪 林光杨 王佳琪 黄巍 李成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期30-37,共8页
性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其... 性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其直接带发光增强机理.本文研究了N型掺杂Si基Ge材料导带电子的晶格散射过程.N型掺杂Si基Ge材料具有独特的双能谷(Γ能谷与L能谷)结构,它将通过以下两方面的竞争关系提高直接带导带底电子的占有率:一方面,处于Γ能谷的导带电子通过谷间光学声子的散射方式散射到L能谷;另一方面,处于L能谷的导带电子通过谷内光学声子散射以及二次谷间光学声子散射或者直接通过谷间光学声子散射的方式跃迁到Γ能谷.当掺杂浓度界于10^(17)cm^(-3)到10^(19)cm^(-3)时,适当提高N型掺杂浓度有利于提高直接带Γ能谷导带底电子占有率,进而提高Si基Ge材料直接带发光效率. 展开更多
关键词 双能谷效应 晶格散射 Si基Ge材料 声子
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Surface plasmon polariton waveguides with subwavelength confinement
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作者 Longkun Yang Pan Lil +1 位作者 Hancong Wang Zhipeng Lil 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期73-87,共15页
Surface plasmon polaritons(SPPs) are evanescent waves propagating along metal-dielectric interfaces, which provide an effective way to realize optical wave guiding with subwavelength confinement. Metallic nanostruct... Surface plasmon polaritons(SPPs) are evanescent waves propagating along metal-dielectric interfaces, which provide an effective way to realize optical wave guiding with subwavelength confinement. Metallic nanostructures supporting SPPs,that is, plasmonic waveguides, are considered as required components to construct nanophotonic devices and circuits with a high degree of miniaturization and integration. In this paper, various types of plasmonic waveguides operating in the visible, infrared, and terahertz regions are reviewed, and the status of the research on their fundamentals, fabrications,and applications is provided as well. First, we discuss the mechanisms of SPPs beyond the diffraction limit, and their launching methods. Then, the characteristics of SPPs on various plasmonic waveguides are reviewed, including top-down and bottom-up fabricated types. Considering applications, certain prototypes of plasmonic devices and circuits constructed by plasmonic waveguides for bio/chemo sensing, router, and light modulation are demonstrated. Finally, a summary and future outlook of plasmonic waveguides are given. 展开更多
关键词 WAVEGUIDES surface plasmon polaritons dispersion relations nanowires
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Ge/Ge_(0.85)Si_(0.15)量子阱发光结构设计
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作者 黄诗浩 李磊毅 +2 位作者 谢文明 汪涵聪 陈炳煌 《福建工程学院学报》 CAS 2017年第4期333-337,共5页
提出了采用Ge/Ge_(0.85)Si_(0.15)量子阱结构制备Ge材料直接带隙发光器件的设计方法。基于量子力学理论,设计得到不同量子阱宽度下的能级分布情况以及载流子在Γ1-HH1之间的复合随量子阱宽度的变化趋势。设计结果给出了具体的能级与波... 提出了采用Ge/Ge_(0.85)Si_(0.15)量子阱结构制备Ge材料直接带隙发光器件的设计方法。基于量子力学理论,设计得到不同量子阱宽度下的能级分布情况以及载流子在Γ1-HH1之间的复合随量子阱宽度的变化趋势。设计结果给出了具体的能级与波函数的分布情况,可为实验制备Ge/Ge_(0.85)Si_(0.15)量子阱发光器件提供理论指导。 展开更多
关键词 锗硅 量子阱 发光 设计
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