低温射频氧等离子体氧化SiO_2/Si界面陷阱的DLTS研究

对温度500℃、RF氧等离子体氧化生长的SiO_2形成的MOS结构进行了DLTS测量.应用能量分辨DLTS模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算.结果表明界面电子陷阱在禁带上半部的密度为3～8×10^(12)eV^(-1)cm^(-2);俘获截面σ_n(E)约为10^(-18)cm^2数量级.结合准静态C-V测量研究了后退火对陷阱的影响,经400℃/30分钟、N_2气氛热退火可使陷阱密度降为1～2×10^(11)eV^(-1)cm^(-2),σ_n(E)降为～10^(-19)cm^2;测得的高密度界面陷阱认为是由该工艺形成的过渡区内特殊的悬挂键分布引入的.

一种简单的静电封接技术

本文论述了静电封接技术的基本原理及其在半导体压力传感器生产中的应用.主要介绍一种简单而廉价的静电封接装置及操作工艺和一些实验结果.这种封接技术不用其它任何粘合剂,将硅与玻璃相接触进行静电封接,形成的硅-玻璃组合体是一种刚性结构.封接时所选用的玻璃的热膨胀系数应与硅的热膨胀系数相接近(Si:2.5×10^(-6)/ k,~#7740 Pyrex glass:3.25×10^(-6)/k),例如:九五料玻璃,派雷克斯玻璃均能获得好的封接效果.静电封接技术的特点是:芯片反刻铝引线不会被氧化(封接时温度在400℃左右),封接牢固、迅速、气密性好,不产生蠕变,能耐高温,耐潮湿,稳定性好.