新型电子器件和光学器件的共振隧穿结构

描述了一种新型共振隧穿结构器件，这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器（ＶＳＳＥＦ）中的耦合量子附态的隧穿过程．论证了通过ＡｌＡｓ／ＧａＡｓＶＳＳＥＦ器件高能态和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格受激态的共振隧穿，描述了这种器件作为较高功率微波源和共振隧穿晶体管的应用，并讨论了共振隧穿结构作为雪崩探测器和红外发射器等光学器件的潜在应用．

美国红外技术向民用市场发展趋势

随着国际政治－军事力量对比的变化，世界各国大幅度削减军事预算，在这样的背景下，普遍认为红外技术转向民用产品既是合理的也是必然的，完全可以期望红外产业在民用领域有着更为广阔的前景。本文综述了近年来美国的数篇有关报导，希望能对我国红外民用产业发展提供参考。

GaAs/AIGaAs量子阱红外探测器的发展

半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。

母亲的那份嘱托

我父亲汪小川自离休直到身体状况完全不支为止，最主要的活动就是埋头写作。我偶尔在夜里两三点钟看到过他在灯下伏案笔耕不辍，搞不清他是尚未入睡还是已经起床。我佩服他的勤奋，却没有关心过他写的是什么。从小到大，我们眼中的父亲不是写字就是看书，我们已经习惯了。

YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体的磁穿透深度及相对能隙

根据测得的表面电阻R_S(T),通过在BCS理论框架中引入一个修正电导率,计算出YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)超导材料的磁穿透深度和简约能隙与温度的相关性.引入修正电导率主要是根据YBCO超导体中电子结构表示Cu-O链对微波表面电阻的贡献.计算得到的磁穿透深度和相对能隙与实验结果符合得相当好.

Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱结构红外探测器最新进展

半导体超晶格量子阱作为新一代微电子器件材料而迅速堀起,亦为寻求品质优异、具有特殊性能的红外探测器材料开拓了一个全新的能带工程领域。本文综述了国外发展很快的Ⅲ-Ⅴ族超晶格量子阱红外器件,着重介绍近两年的新成果。

化学束—气源外延生长HgCdTe

评论了Ⅱ-Ⅵ族半导体HgCdTe的化学束-气源外延生长系统的设计和研制,介绍了生长HgCdTe外延层和气体源掺碘CdTe外延层的最新结果,这些结果表明了用这种技术生长用于制备先进红外探测器的优质材料的可能性.

光激发半导体的光谱学研究

在高强度光激发的Ge、GaAs和ZnSe中观察到电子-空穴等离子体.采用远红外磁光吸收和光致发光两种手段研究了等离子体的空间膨胀.将Ge的远红外磁光吸收谱中的一个低磁场峰指认为快速扩展的电子-空穴-等离子体中的空穴在价带间的跃迁,用磁场限制扩散模式解释了时间和空间分辨测量结果.半绝缘GaAs中电子-空穴-等离子体的膨胀与扩散常数有关,而扩散常数取决于激发强度,这就提示了膨胀是由于“声子风”(phonon wind)而引起的.在用MOVPE方法生长的ZnSe外延层中也观察到均匀的等离子体.用非-k选择定则能很好地拟合光致发光谱线型,多体效应引起的带隙收缩与在其它Ⅱ-Ⅵ族化合物中观察到的类似,并首次观察到ZnSe外延层中的电子回旋共振.

跟踪报道热点课题 保持期刊与学科同步发展

80年代,现代科技进入日新月异迅速发展新阶段,科技领域中新学科、边缘学科、交叉学科、分支学科、综合学科等层出不穷,快速地分化和综合,前沿学科和热点课题不断涌现并快速转移。针对这种高速发展局面,科技期刊,特别是学报类期刊,应该把对前沿学科和高新热点课题的及时扶持和优先支持作为期刊的首要任务,适时地根据学科的发展制定和调整组稿选题方向,及时准确地报道国内外前沿领域和高新课题的成果和新动向，

学术水平是保证学术类期刊质量的关键

《红外与毫米波学报》自1982年创刊以来,一直坚持努力提高本刊的学术水平和编辑质量。在1992年和1996年,本刊在全国和中国科学院期刊评比中取得了较好的成绩,其较高的质量水平在本专业领域已得到公认。在保持和提高期刊学术水平这方面,我们主要做了以下几方面工作。

加强合作 积极发展我院因特网络版期刊

作为国家队的中国科学院期刊应对我国知识信息产业有更大作为,完全可以充分利用现有的资源,建成代表我国最高学术水平的因特网网络版科技期刊全文库。

面对非同寻常的嘱托——女儿对父母的思念

我的爸爸汪小川1932年2月参加红军，是红军西路军转战河西走廊400名幸存者之一。1956年他奉调到贵州，任中共贵州省委宣传部部长并兼任《贵州日报》总编辑。他自1984年离休直到身体完全不支为止，最主要的活动，就是埋头写作。我偶尔在夜里两三点钟看见他在灯下伏案笔耕不辍，竟搞不清他是尚未入睡，还是已经起床。