高精度隔离变送器及其应用

本文论述了模拟量隔离传输的意义,说明了实现模拟量隔离传输的方法,介绍了所研制的高精度隔离变送器的技术性能及其典型应用。

应用于蓝牙技术发展的LTCC——AlN多层布线工艺

现代IT产业的发展催生了蓝牙技术的发展。而蓝牙技术的发展迫切需要发展高性能三维功能衬底技术。AlN陶瓷具有优良的综合性能。研究了AlN流延坯和Ag导体浆料的低温共烧技术 ,比较了在AlN成瓷基板上的各种金属化工艺。

用于逆变器的GTO组合开关

新颖的GTO组合开关能用于中等功率的逆变器和其它电力电子变换装置中。组合开关由GTO、Power MOSFET和浮驱动器组成,它克服了GTO需要大的控制极驱动电流的缺点,工作速度明显高于GTO。

低温共烧氮化铝复合材料基板的银金属化研究

基于氮化铝陶瓷基片厚膜导体浆料理论,开发出应用于低温共烧氮化铝流延坯、硼硅酸盐玻璃粘结相的银浆,并系统研究了共烧过程,解决了常见的导线球化问题。成功地进行了3层氮化铝复合材料基板的低温共烧银金属布线。

TiO_2薄膜氧敏特性研究

金属氧化物（如ZrO2，TiO2等）随氧分压不同而改变其电导率这一性质被广泛地用来制作氧敏传感器．传统的传感器大多采用体材料或厚膜材料，工作时需加高温．本文描述了TiO2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分区不同而改变的氧敏现象，测定了该肖特基二极管的氧敏特性，讨论了其敏感机理．

TiO_2薄膜氧敏特性研究

金属氧化物（如ＺｒＯ２，ＴｉＯ２等）随氧分压不同而改变其电导率这一性质被广泛地用来制作氧敏传感器。传统的传感器大多是体材料或厚膜材料，工作时需加高温。文中描述的是ＴｉＯ２薄膜材料与Ｐｔ薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分压不同而改变的氧敏现象，测定了该肖特基二极管的氧敏特性。

铜布线工艺中阻挡层钽膜的研究

从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的 60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果 ,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜的淀积速率来控制。研究发现 ,适当的硅衬底表面处理对钽膜是否能产生良好的防扩散能力起着关键的作用。本研究还得到了能有效阻挡铜硅接触的钽膜的淀积速率。

钽薄膜淀积速率与阻挡效果的研究

在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了 60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层。样品在退火前后 ,用二次离子质谱仪 (SIMS)对钽膜的阻挡效果进行鉴定 ,原子力显微镜 (AFM)分析了钽薄膜的形貌结构。研究发现不同淀积速率制作的钽膜由于其结构的差异对铜硅互扩散有着不同的阻挡效果 ,并提出样品在退火时 。

固体继电器及其应用

一、概述固体开关,又名固体继电器或固体动率控制器,是一种无触点电子开关。当加上触发信号时,其主回路呈导通状态。在控制回路与负载回路之间具有电隔离,无机械触点,具有和电磁继电器一样的功能。固体继电器(SSR)是一个四端组件,两个为输入端,两个为输出端,它至少由三部分组成:1.输入或控制电路;2.隔离部分;3.输出或负载电路。图1是AC—SSR的结构框图。二、固体继电器的特点与电磁继电器相比,SSR有以下几个特点:

TiO_2薄膜氧敏特性研究

金属氧化物(如ZrO_2,TiO_2等)随氧分压不同,有改变电导率这一性质而被广泛地用来制作氧敏传感器.传统的传感器大多是体材料或厚膜材料。工作时需加高温。本文描述的是TiO_2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分压不同而改变的氧敏现象,测定了该肖特基二极管的氧敏特性,并讨论了它的敏感机理。

银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究

从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶,从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制。结果表明,二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结,获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板。

以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究

研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于 10 MPa。

铁电薄膜研究动向

我们出席了在旧金山召开的美国材料研究学会1996年春季年会（MRS 1996 SpringMeeting）。铁电薄膜分会是30个分会之一,接受论文约120篇,其中特邀报告约25篇。主要讨论了以下几个专题。1 高介电常数薄膜在DRAM中的应用这一专题的报告有11篇,所关注的主要材料是srTiO3（ST）,Bal-xSrxTiO3（BST）。

浅议水电工程物资材料供应

水利水电工程作为我国的基础性建设产业之一,具有投资大、建设周期较长等特点。建设水电工程需要消耗大量的资源,材料包括原材料、燃料、半成品、配件和水能、电能、动力能等,在工程造价中,材料费用约占70%左右,而在各材料费用构成中,水泥、钢筋、粉煤灰、油料、炸材等又占全部材料费用的60%以上,因此,如何加强材料的成本控制、特别是对水泥、钢筋、粉煤灰、油料、炸材等的成本控制,对水电工程造价的控制具有十分重要的作用。

TiO_2薄膜敏感特性研究

利用 ＭＯＣＶＤ工艺可制备得到锐钛矿型ＴｉＯ２薄膜，在其上溅射金属 Ｐｔ并控制工艺流程的温度，Ｐｔ／ＴｉＯ２间将形成良好的金半整流接触．该Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管在常温下表现出良好的气敏特性，响应时间短，对稳定环境中低分压气体浓度的变化反应灵敏．同时，该 Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管还对约 ２５０－３７０ ｎｍ的紫外光敏感．本文研究了 Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管气敏和光敏特性，分析了敏感机理．

高压条件下合成硅纳米线

随着现代芯片集成度的不断增加。晶体管的特征尺寸持续减小．著名的摩尔定律受到了极大的挑战。按现在材料、工艺技术的发展，体硅技术在今后发展一段时间后将达到其极限．这就要求有新的材料、新的工艺来满足将来IC工业发展要求。硅纳米线由于其本征材料仍然是硅．能与现代微电子技术相兼容．受纳米尺度量子效应、库仑阻塞效应、表面效应等因素的影响．

高密度封装用氮化铝(AIN)/玻璃复合材料低温共烧研究

从排胶和共烧两方面 ,研究了氮化铝 ( Al N) /玻璃复合材料的低温共烧。排胶研究结果表明 :流延坯片和银浆的排胶特性不同 ,氧化性气氛有利于两者的排胶。共烧研究表明 :Al N/玻璃复合系统的烧结为液相烧结 ;引入微氧烧结气氛将改变界面状况 ,有利于 Al

以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究

详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明，两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于10MPa。同时对这两钟方法的特点与适用范围进行概述。

掺锂非晶硅薄膜的电学性质

用硅烷的辉光放电分解伴随着锂蒸发来制备掺锂的非晶硅薄膜.测量了薄膜的直流电导率与温度以及与所加的测试电压的关系.发现在温度范围为350～500K和高场强(高于10~3V/cm)情况下掺锂薄膜存在离子电导现象.

稳健估计用于氮化铝金属化工艺的研究

应用化学镀镍的方法实现了氮化铝的金属化。为得到较大的氮化铝金属化层粘附力 ,运用基于稳健估计的神经网络研究氮化铝金属化中化学镀镍的反应参数与金属层粘附力的关系。为使神经网络更加稳健 ,本文根据统计学原理 ,在前馈神经网络基础上 ,采取稳健估计方法改进神经网络。建立了定量预测粘附力性能的模型 ,并进行实验验证。确定金属化工艺中稳定的优化工作区域。结果表明 ,稳健估计方法既有传统神经网络的优点 ,又有较强的抵抗异常值的能力 ,具有较广泛的实用性。