厚度变化不敏感的近红外量子点发光二极管

近红外发光二极管在通信、传感和成像等领域的应用日益广泛.量子点作为一种有潜力的发光材料,在近红外发光范围内具有独特的优势.然而,现有的近红外量子点发光二极管存在一个严重的问题,即它们对发射层厚度非常敏感.为了解决这个问题,本文采用了一系列创新方法.通过引入核壳结构和表面处理,使光致发光量子效率达到80%,成功提高了载流子的传输性能并且增加了量子点的辐射复合速率,从而获得具有对发光层厚度不敏感的高效近红外量子点发光二极管.最终作者制备得到了在40-220 nm的范围内表现出性能稳定的近红外量子点发光二极管,该发光器件的发光峰波长位于1025 nm处,最高外量子效率达到11.5%.这项研究为近红外发光领域的发展提供了有力的支持,为未来光电子学和光通信技术的进步铺平了道路.

基于金属卤化物钙钛矿材料的高效发光二极管

金属卤化物钙钛矿半导体既在光伏器件研究中获得巨大进展,又在发光应用中体现出明显优势。金属卤化物钙钛矿半导体的荧光转化效率高、发光峰形窄、发射光谱可调控并可覆盖整个可见光范围,从而使得该类材料所制备的发光二极管有望满足下一代显示技术应用的性能要求。文章在简要叙述发光二极管基本原理的基础上,分别介绍了钙钛矿材料的结构和荧光特性、钙钛矿发光二极管的电致发光特性,以及钙钛矿发光二极管进入实际应用所必须解决的器件寿命、离子迁移和光谱不稳定性等主要技术问题,最后讨论了钙钛矿发光技术所面临的机遇和挑战。