晶体的超精密抛光

超光滑表面在现代科学技术中具有重要意义。超精密抛光技术是实现超光滑表面的主要方法。本文对超光滑表面的概念、影响超精密抛光质量的因素、几种超精密抛光方法及其所能达到的抛光效果、抛光效果的测量与评价方法等进行了介绍。同时描述了超精密抛光的发展阶段。

镍－磷非晶镀层的表面研究

应用ＸＲＤ、ＡＥＳ和ＸＰＳ研究了晶态和非晶态Ｎｉ－Ｐ镀层的表面结构和体相结构。结果表明：Ｎｉ－Ｐ非晶态镀层的形成与电镀工艺条件有关，碱式碳酸镍的使用对非晶态的形成和镀层耐蚀性的提高起着重要作用。样品表面的磷以两种化学态存在，分别为Ｎｉ－Ｐ合金的磷和磷酸根的磷。为了形成非晶态镀层，Ｍｉ／Ｐ原子比应控制在３．３６以上。此外，Ｎｉ－Ｐ非晶态合金镀层的腐蚀实验还表明：非晶态合金镀层的耐蚀性能要比晶态镀层高得多。

CLBO晶体表面化学腐蚀和开裂机理的研究

硼酸锂铯(CLBO)是一种性能优良的紫外倍频晶体,但在室温大气环境中使用时晶体容易开裂,影响了它的实际应用。本文用水(或/和)甘油作为腐蚀剂,对不同取向的CLBO晶体表面进行了腐蚀,对比了表面的腐蚀图案;通过纯甘油和纯水的腐蚀剂作用对比,并结合CLBO晶体晶胞内原子的排列情况,揭示了CLBO晶体开裂的微观机理:水分子从(100)或者(010)面上的结构通道进入CLBO晶体,与Cs、Li和B原子反应,生成Cs2B10O16.8H2O、α-Li4B2O5和H3BO3,打开了CLBO晶体的键链,从而引起晶体的开裂;最后展示了CLBO晶体由于水的侵蚀而开裂的全过程。

四硼酸锶SrB4O7的晶体结构及其非线性光学性质

采用Kyropoulos法生长出高质量大尺寸的SrB4O7晶体,以单晶X射线衍射法确定了其晶体结构,讨论了与文献报道的晶体结构测量结果存在差异的原因,指出了前人工作中存在的问题,并研究了该晶体的非线性光学性质.

2-(N,N-二辛基胺甲基)硫代苯并噻唑添加剂磨损特性的研究

合成了一种润滑油抗磨、极压添加剂２－（Ｎ，Ｎ－二辛基胺甲基）硫代苯并噻唑，并利用四球试验机考察其抗磨特性。结果表明，该添加剂具有良好的润滑特性和较高的承载能力，同时具有较好的抗腐蚀性和较高的热稳定性，是一种具有良好应用前景的润滑油多功能添加剂。

新型紫外变频晶体CLBO的研究进展

简述了CLBO晶体的研制历程;介绍了该晶体的非线性光学特性、晶体生长方法、缺陷、在大气环境中开裂的机理、防范措施以及在变频领域的应用情况。

[Co(dmg)_2Cl_2]_3·[Co(dmg)_2Cl(OH)]·[Co(dmg) (phen)]·(H_2O)_4的合成和晶体结构(英文)

本文合成了一个复杂的单核配合物 [Co(H2 dmg) 2 Cl2 ]3 ·[Co(H2 dmg) 2 Cl(OH) ]·[Co(Hdmg) (phen) ]·(H2 O) 4(H2 dmg =dimethylglyoxime,phen=1,10 Phenanthroline)。通过X射线衍射技术获得其单晶结构。在单晶结构中 ,每五个单核钴 (II)的配位结构形成一个重复单元 ,是一个较为复杂的单晶。其空间群为P 1,晶胞参数为a=1.3738nm ;b =1.4 396nm ;c =1.86 5 6nm。本文中我们将讨论该化合物的分子结构及相关光谱性质。

助熔剂法生长ZnO晶体(英文)

采用Bi4B2O9、CdB2O4和BaB2O4为助熔剂,获得了毫米级的氧化锌单晶。Mulliken的电负性理论和Viting的平均轨道电负性提供了一个选择晶体生长所采用的助熔剂的有效方法。实验结果表明ZnO晶体的生长温度比文献报道的均低,从而有效地减少了ZnO以及助熔剂的挥发。本文给出了几种有望获得大尺寸ZnO单晶的助熔剂。

非平行通光面激光变频器

当光通过一个光学器件时 ,一种减少两通光面反射损耗的方法 ,是将此两通光面切割成所谓的布儒斯特角且相互平行。这种相互平行的具有布儒斯特角通光面的光学器件 ,被用来减少反射损耗已经很多年了。激光发明以后 ,特别是二次谐波发生实现以后 ,上述这种平行式布儒斯特角切割方法 ,也曾不断用来降低倍频器的反射损失。但并没有人谈到过实验结果 :这种将倍频器的通光面切割成相互平行的具有布儒斯特角的方法 ,是否真能减少倍频器的反射损耗 ?我们的回答是 :不能。本文将从理论上说明为什么不能 ,并给出我们认为正确的切割方法。

无水钨酸钾的合成研究

以碳酸钾和三氧化钨为原料,用高温固相反应法和水溶液法分别合成了无水钨酸钾。在高温固相反应法中,采用热分析法来指导产物的合成,用XRD物相分析手段对合成条件进行了研究。在水溶液法中,对制备的产物进行了XRD分析和热分析表征,XRD表明水溶液法合成的产物易形成(001)取向。研究及理论分析表明,水溶液法是制备高纯度产物的更有效的方法。

非平行通光面激光变频器

当光通过一个光学器件时 ,一种减少两通光面反射损耗的方法 ,是将此两通光面切割成所谓的布儒斯特角且相互平行。这种相互平行的具有布儒斯特角通光面的光学器件 ,被用来减少反射损耗已经很多年了。激光发明以后 ,特别是二次谐波发生实现以后 ,上述这种平行式布儒斯特角切割方法 ,也曾不断用来降低倍频器的反射损失。但并没有人谈到过实验结果 :这种将倍频器的通光面切割成相互平行的具有布儒斯特角的方法 ,是否真能减少倍频器的反射损耗 ?我们的回答是 :不能。我们从理论上证明了为什么不能 ,并给出正确的切割方法。

CLBO晶体的开裂机理及防开裂方法研究

CLBO晶体的开裂影响了这种性能优良的紫外倍频晶体的实际应用。如何防止晶体开裂 ,已成为研制CLBO晶体变频器件的关键问题之一。本文从分析CLBO晶体开裂的原因入手 ,探讨了晶体开裂的微观机理。在此基础上提出了防止晶体开裂的方法。使用溶胶凝胶法制备防潮薄膜 ,对晶体进行了防开裂实验 ,得到了初步的结果。

有机-无机杂化材料制备光通信电光调制器的应用前景

随着光纤通信技术的迅速发展 ,市场对光纤通信光路中电光调制器件的需求量越来越大 ,研制适用于制作这些器件的新材料也就成为当前的研究热点。一种新型材料—溶胶凝胶法合成的有机 无机杂化材料 ,综合了有机聚合薄膜和无机晶体的优点 ,在加工制作微型电光调制器件领域有很好的应用前景。本文综述了国内外在这方面的研究进展 。

种子层诱导溶胶-凝胶法Li,Mg掺杂ZnO薄膜的结构及光电性能研究

本文以ZnO为种子层采用溶胶-凝胶法制备了Li、Mg掺杂的氧化锌薄膜。利用XRD、SEM、PL等手段对薄膜的结构、表面形貌和发光性能进行了表征,研究了不同掺杂情况、种子层、旋涂次数对Li、Mg掺杂的ZnO薄膜性能的影响。结果表明预铺种子层、旋涂8次、在580℃下退火的条件下制得的薄膜性能最好,通过Li、Mg共掺杂使得ZnO薄膜的光致发光性能增强近5倍,近带边发射峰发生蓝移,禁带宽度变大。

CLBO晶体生长与紫外倍频性能研究

CLBO晶体是一种性能优良的新型激光紫外倍频晶体材料,本文采用改进的顶部籽晶法生长出大尺寸、高光学质量的CLBO晶体。用尺寸为6mm×5mm×10mm的CLBO四倍频样品测量了晶体对Nd:YAG,1064nm四倍频的紫外倍频性能,266nm激光输出功率达到780mW。针对CLBO晶体的潮解开裂问题,在CLBO倍频器工作和存放时,采用恒温加热套管保护,有效地防止了晶体的潮解开裂。

硼酸锶钡(Ba_(0.87)Sr_(3.13)B_(14)O_(25))晶体的生长、结构和性质研究

本文报道了一种新的硼酸盐化合物—Ba0 .87Sr3 .1 3 B1 4O2 5,采用泡生法已生长出尺寸为 35mm× 2 5mm× 5mm的晶体。该晶体为单斜晶系 ,C2 /m空间群 ,a =1 .6 4 2 5 ( 3)nm ,b =0 .77739( 1 6 )nm ,c =1 .6 6 6 5 ( 3)nm ,β =1 1 9.2 2 ( 3)°,Z =4。结构中B3 O8六元环通过O原子和BO3 三角形相互连接 ,构成三维的硼氧阴离子骨架 ,金属阳离子占据多面体间的空隙。测量了BSBO晶体的透过谱 ,该晶体的显微硬度为 5 78kg/mm2 。

离子束刻蚀处理CLBO晶体抛光表面的研究

本文研究了在不同作用时间、不同工件转速、不同入射角度等条件下离子束对CLBO晶体抛光表面的处理效果.用原子力显微镜来观察和比较了CLBO晶体抛光表面处理前后的形貌和粗糙度.试验结果显示,离子束刻蚀的时间并非越长越好;较大的工件转速使晶体表面粗糙度变大;当离子束入射角度在30～60°之间时,处理后晶体表面粗糙度均变小,90°入射时,粗糙度明显增大.试验证明,离子束处理对晶体抛光表面粗糙度Rz值影响较之Ra值更大.

助熔剂法生长非线性光学晶体Cd_3Zn_3B_4O_(12)及其性质研究(英文)

本文以PbO-0.25B2O3为助熔剂,利用顶部籽晶法获得了较大块的Cd3Zn3B4O12单晶。透过率测试结果显示该晶体的紫外截止波长位于310 nm处。利用Kurtz-Perry的方法对晶体的倍频效应进行了测试,结果显示该晶体的粉末倍频效应约为KDP的5倍,且能实现相位匹配。晶体的光损伤阈值约为840 MW(1064 nm,10 ns)。该晶体的热分析结果显示Cd3Zn3B4O12晶体在熔点温度以上会产生分解,这也是阻碍高质量大块Cd3Zn3B4O12晶体生长最主要的因素。

微波水热法合成新型CZBO晶体的研究

本文报道了微波水热法生长晶体硼酸锌镉(CZBO)的研究,合成出新物质(Cd0.01Zn0.99)2BO3(OH)。用多晶XRD粉末衍射、元素分析、扫描电镜、红外光谱、热分析等多种手段对产物进行了表征。所得的CZBO微米级晶体呈长条状,其粉末倍频效应是KDP微晶的1.25倍。

顶部籽晶法生长Li掺杂非线性光学晶体SrB_4O_7

通过顶部籽晶法获得了大块Li掺杂的Sr B4O7(Li∶SBO)单晶,晶体尺寸为80 mm×11 mm×40 mm。元素分析和X射线衍射结果证明锂离子成功掺入SBO晶格中,并使掺入后的SBO晶胞有所增大。深紫外和紫外透过光谱显示Li掺杂后的SBO晶体紫外截止边相对于SBO的120 nm红移到了140 nm左右,倍频结果显示Li∶SBO晶体可实现较强的1064 nm的倍频光输出。晶体的缺陷研究结果显示,Li∶SBO晶体生长时容易在c轴方向上形成线状包裹体,腐蚀后的晶体表面发现了两种不同形貌的位错蚀坑,对应于晶体内部不同的位错形态。