Si C是一种新型的功率器件,来近几年广泛的运用于高温高频开关工作,相关的研究工作进展十分迅猛。笔者主要研究MOSFET管的特性以及参数,并通过能够适应宽范围温度的仿真模型进行模拟,对MOSFET单管的应用进行研究,分析了MOSFET对驱动电...Si C是一种新型的功率器件,来近几年广泛的运用于高温高频开关工作,相关的研究工作进展十分迅猛。笔者主要研究MOSFET管的特性以及参数,并通过能够适应宽范围温度的仿真模型进行模拟,对MOSFET单管的应用进行研究,分析了MOSFET对驱动电路的要求。最后根据MOSFET的工作原理进行应用分析,列举若干MOSFET管的常见应用。展开更多