铜的表面改性热处理新方法初探

本文介绍了含硅气氛下纯铜低温ＣＡＤ表面改性的高频感应加热设备，ＣＶＤ装置以及相应的测温装置和手段．进行了纯铜ＣＶＤ表面改性的初步研究．结果表明，在６００℃左右的温度下．利用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气在纯铜试样表面的热分解，能够获得铜－硅化合物表层，其硬度较基体有很大的提高．当形成铜硅固溶体时，硬度无明显变化．

铜表面气体渗硅涂层的抗氧化性能研究

对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在Ｃｕ表面进行化学热处理获得的含硅涂层进行了抗氧化性研究．结果表明，纯铜表面含硅涂层的形成提高了材料的抗氧化性能．对含硅铜涂层的氧化机理进行了探讨．

铜在SiH_4/H_2混合气氛中获得的渗硅层的抗氧化性能

研究了用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面获得的渗硅层的抗氧化性，结果表明，纯铜表面渗硅层的形成提高了材料的抗高温氧化性能。本文对渗硅层的氧化机理进行了探讨。

铜表面气体渗硅后的滑动摩擦磨损研究

本文对用硅烷－氢（ＳｉＨ４／Ｈ２）混合气体在铜表面进行化学热处理获得的含硅表层进行了摩擦磨损研究．结果表明，在铜表面生成的含硅层可以降低摩擦系数；在低负荷干摩擦条件下。

氢等离子体原位清洁硅衬底表面

本文研究了在用氢等离子体原位清洁硅片表面过程中,衬底温度,等离子体能量,处理时间及退火工艺对衬底表面清洁及晶格损伤的影响.实验结果表明,较高的衬底温度,较低的等离子能量有利于得到高度清洁、晶格损伤可恢复完整的硅表面.衬底温度为室温时的等离子体处理对硅表面会引入不可恢复的永久性损伤(缺陷);等离子体处理后的退火对于恢复晶格完整是极其必要的.完善的等离子体清洁处理之后,在1000℃下利用硅烷减压外延生长的外延层中,层错密度和位错密度分别小于50个/厘米~2和 1×10~3个/厘米~2.

硅烷减压外延

本文研究了减压工艺对外延层质量的影响。在使用氢等离子体原位清洁过的硅衬底表面上,利用减压(200～250乇)工艺可以在980～1000℃的温度下生长出高质量外延层。衬底——外延层界面的掺杂浓度在8×10^(18)/cm^3到10^(14)/cm^3之间的过渡区从常压时的1.0μm减小到0.4μm;电阻率和厚度的不均匀性分别小于5％和4％;而且能明显地抑制硅烷的气相分解;极大地提高了外延层的结晶质量。

铝表面化学气相沉积SiO_x膜层的显微结构和性能

采用低温常压化学气相沉积(CVD)方法在铝基底上制备了硅氧化物陶瓷膜层。使用SEM、XPS、AFM、XRD、HRTEM和UV VIS等技术分析了膜层的形貌、成分和组织结构特征,测试了膜层的孔隙率、光学和显微力学性能。结果表明:硅氧化物SiOx陶瓷膜层在铝基表面以气相反应沉积硅氧化物颗粒—颗粒嵌镶堆垛—融合长大的方式生成,大部分膜层为非晶态区域,其中包含少量局部有序区域,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,膜层疏松多孔,具有很高的紫外可见光吸收率,膜层与基底具有很好的结合性。

具有高结合强度的铝基片SiO_x陶瓷膜层CVD制备

采用常压CVD方法在铝合金基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层。使用SEM、TEM及XPS仪分析了膜层形貌、成分和组织结构 ,通过 180°、90°弯曲实验和 45 0℃热冲击实验考察了陶瓷膜层与基片的结合性能 ,证实该技术制备的膜层与基底的结合强度很高。

铜的表面含硅渗层的结构与性能

本文综述了利用ＳｉＨ４／Ｈ２混合气体在纯铜表面获得的含硅渗层的结构和性能。试验结果表明：通过纯铜表面气体渗硅这一新的化学热处理方法，其表面获得含硅渗层，可以改善铜的表面摩擦磨损。

铝基底上SiO_x陶瓷膜层的CVD制备及结构性能

本研究采用常压化学气相沉积(CVD)的方法在金属铝基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层.介绍了陶瓷膜层的制备工艺及设备.通过SEM、TEM观察了该膜层的形貌,并用XPS测定了膜层的成分,用TEM分析了陶瓷膜层的结构特征.通过拉伸实验、划痕实验及弯曲实验考察了陶瓷膜层与铝基底的结合性能,结果表明,膜层与基底的结合非常好.

CVD技术在制备含硅化合物膜层中的应用

本文综述了近十几年来CVD技术在不同基底材料上制取含硅化合物膜层的研究应用 。

造物如造人——论企业的名牌战略

“造物如造人”。日本“经营之神”松下幸之助先生的这句话包含了丰富的内涵,体现了一种经营之道:每一个新的产品就是一颗新的生命,企业正是赋予它生命的母体,因而企业生产开发产品的过程就是创造新生命的伟大过程。一个人有其生命周期,产品亦然。首先是产品生命的培养阶段(开发期),这是一个精彩的构思策划过程,它需要我们以非凡的想象力和火热的激情赋予它生命;二是产品的幼芽期,即介绍宣传期;三是产品的成长期,它逐渐长大,走向市场,充满活力;四是产品成熟期,这时它已是企业的支柱、灵魂;五是衰退期,正如一个人走向衰老,退出竞争的市场,一颗生命即将陨落,但不必伤心,因为这意味着企业将肩负新的使命,创造出新的产品,新的奇迹。

铜在含硅气氛中表面改性的化学热处理研究

对铜在含硅气氛中低温沉积、随后进行扩散处理的表面化学热处理进行了研究。使用光学显微镜、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）仪、电子探针（ＥＰＭＡ）等对渗层进行了显微硬度、成分和结构分析，探讨了工艺参数对渗层的影响。研究结果表明，通过这种表面化学热处理可以在铜表面形成Ｃｕ５Ｓｉ和Ｃｕ１５Ｓｉ４，其硬度较基体有很大提高。