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Ga掺杂对ZnO纳米结构可见光发射的抑制效应 被引量:2
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作者 沈庆鹤 高志伟 +3 位作者 丁怀义 张光辉 潘楠 王晓平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期410-415,共6页
采用碳热还原反应和原位掺杂的方法制备了不同Ga掺杂浓度的ZnO纳米结构.X射线衍射显示掺杂纳米结构中为单一的氧化锌纤锌矿结构.扫描电子显微镜观测发现随掺杂浓度的增大,纳米结构的形貌逐渐从纳米六棱柱变为纳米锥.光致发光和X射线光... 采用碳热还原反应和原位掺杂的方法制备了不同Ga掺杂浓度的ZnO纳米结构.X射线衍射显示掺杂纳米结构中为单一的氧化锌纤锌矿结构.扫描电子显微镜观测发现随掺杂浓度的增大,纳米结构的形貌逐渐从纳米六棱柱变为纳米锥.光致发光和X射线光电子能谱测量分别发现随着掺杂浓度升高,纳米结构的可见发光强度和其中空位氧峰相对强度逐渐减小直至消失,两者存在很强的相关性.上述结果为ZnO可见光发射的氧空位机理提供了新的实验证据.对Ga掺杂抑制纳米结构中氧空位的原因进行了分析. 展开更多
关键词 Ga掺杂 ZNO纳米结构 光致发光 氧空位
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