一种新型SOI绝缘硅复合材料的制备与性能表征

提出了一种新型SOI绝缘硅材料及其制备方法。通过高温工艺制备SiO_2-Ta_2O_5-B_2O_3-RO复合粉体,以其为中间层,将上下两层单晶硅片在700～800℃熔凝从而获得Si-insulator-Si 3层结构体。结果表明该样品层间结合紧密、分布均匀,具有良好的高压绝缘性能和介电性能。其绝缘层厚度、深度和性能参数可调,是一种新型的厚膜SOI绝缘硅复合材料。

一种微晶SOI的制作及电荷存储性能研究

运用高温熔凝工艺制作了一种Si-(SiO2-Ta2O5-B2O3-RO)-Si微晶SOI。实验结果显示,该SOI样品的顶层、底层的单晶硅片结合紧密,中间层为微晶结构,具有良好的绝缘、介电性能;恒压正负电晕充电可以在中间绝缘层建立无源空间电场,获得与栅压相近的表面电位;热刺激放电曲线显示,电流峰位于T=513 K附近且呈正负对称,捕获电荷的能阱深度约为1.22 eV。这表明该微晶SOI是一种具有电荷存储能力的新型SOI复合材料。