Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能

采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征。结果表明:薄膜样品从900℃开始晶化,1 100℃时晶化完全。薄膜表面均匀、平整、无裂纹。真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射,发射光谱是一个350～500 nm的宽带谱,宽带中心在400 nm左右。折射率、消光系数分别为1.82～1.94和0.005～0.05,厚度与SEM测试结果相一致。

尿素辅助的共沉淀模板法制备LSO:Ce^(3+)发光粉体

采用尿素辅助的共沉淀模板法,通过在单分散的SiO2微球模板上包覆Lu(OH)3制备出了具有核-壳结构的SiO2@Lu(OH)3粉体颗粒,经煅烧后得到了LSO:Ce3+荧光粉体.结果发现煅烧温度对荧光粉的相组成和形貌都产生了很大影响.当在1200℃下煅烧2 h时,得到了单相LSO:Ce3+粉体.在900℃煅烧后的粉体颗粒呈球形,粒径大约为400～500 nm,随着煅烧温度的升高,粉体形状变得不规则,而且有团聚现象.采用PL光谱仪对1200℃煅烧的粉体进行了光学性能表征,结果表明其激发谱中的最强激发峰位于360 nm处,发射谱表现为位于384～440 nm范围内宽发射峰中心420 nm,归因为Ce3+的5d→4f间的电子跃迁.

Pechini溶胶-凝胶法制备LuAG:Tb薄膜的显微结构及发光性能

采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺制备了Tb^(3+)掺杂Lu_3Al_5O_(12)(简称LuAG:Tb)发光薄膜。前驱体薄膜在850℃左右锻烧得到单一石榴石相的LuAG:Tb薄膜。LuAG薄膜的发射光谱(268nm紫外光激发)对应于Tb^(3+)的~5D_4→~7E_J(J=6～0)和~5D_3→~7F_J特征跃迁,光谱强度随Tb^(3+)掺杂浓度的升高先增强后减弱,在x(Tb^(3+))=2.0%时光谱强度最强,其发光衰减时间为5.14ms。扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察显示LuAG薄膜的颗粒度大小和表面粗糙度随煅烧温度的升高而增大。