外延碳化硅纳米线的合成和显微结构研究

本文以硅为衬底,用热蒸发SiO粉末的方法合成了外延碳化硅(SiC)纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等对SiC纳米线进行了电子显微学分析。实验发现,在SiC纳米线生长前,衬底上首先自发形成了一层SiC多晶膜,纳米线在这层多晶膜的某些晶粒上外延生长。在显微结构分析的基础上,本文探讨了外延生长一维纳米结构的有利条件是高的生长温度和低的生长速率。

“春芽”

作品简介：这是一张放大12 000倍的扫描电子显微镜照片,由JEOL-6500F型电镜拍摄。图像是热蒸发SiO粉末生长的二氧化硅纳米线。其中春芽的茎是二氧化硅纳米线，芽的顶部是含催化剂铁的SiOx小球。

热处理对211Z.1铝合金组织及相结构的影响

利用金相显微镜、球差校正扫描透射电镜、透射电镜(TEM)、电子背散射衍射分析技术(EBSD)和X射线能谱(EDS)等分析方法,对新型耐热高强韧铸造铝合金(211Z.1)热处理后的微观组织结构进行了研究。结果发现,211Z.1铝合金微观组织由尺寸小于100nm的GPI区、θ″-Al3Cu相及θ′-Al2Cu相组成。晶体内部弥散分布直径约为80nm、长度约为600nm的棒状T-Al20Cu2Mn3相,T相周围附着尺寸较大的θ′相。基体中还存在尺寸在2nm左右的球状颗粒状Cd相,与基体完全共格。