武汉降雨径流水质特性及主要影响因素分析

对武汉东湖南路2003年2～6月间降雨径流水质进行了监测分析。结果表明,降雨径流污染严重,除了空气质量影响外,还受到降雨强度、降雨量、降雨间隔时间和汇水面等因素的影响。

各向异性腐蚀技术研究与分析

本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法 ,根据实验提出了它们的优缺点 ,介绍了几种各向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法 ,对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义 .

硅压力传感器的非线性分析及优化设计

分析了硅压力传感器的线性与非线性 ,讨论了非线性产生的原因 。

微机电系统的研究与分析

详细介绍了微机械电子系统的内涵。内容包括微型传感器、微型执行器等研究领域 .还介绍了微机械电子系统加工工艺 ,阐明了其涉及的科学技术问题 ,对信息MEMS用途及发展趋势做了较详尽的讨论。

抗髓过氧化物酶中性粒细胞胞质抗体相关性肥厚性硬脑膜炎1例报告及文献复习

目的探讨抗髓过氧化物酶中性粒细胞胞质抗体(myeloperoxidase-antineutrophil cytoplasmic antibody,MPO-ANCA)相关性肥厚性硬脑膜炎的临床特点。方法报告华中科技大学同济医学院附属同济医院风湿免疫科收治的1例MPO-ANCA相关性肥厚性脑膜炎病例,根据其临床特点及诊疗经过,结合相关文献进行回顾性分析。结果患者为56岁妇女,主诉间断性头痛、发热以及双腿肌肉疼痛,且MPO-ANCA阳性。磁共振成像显示硬脑膜弥漫性增厚伴脑白质缺血。脑磁共振血管造影显示血流于大脑中动脉起始区中断,且两侧大脑前动脉近端狭窄。患者的主要症状在静脉注射糖皮质激素和环磷酰胺后得以改善。该病例在病程中出现轻度肾功能不全及肺间质性病变。MPO-ANCA相关性血管炎是肥厚性硬脑膜炎的主要病因之一,本文复习了MPO-ANCA相关性肥厚性硬脑膜炎的相关文献,发现MPO-ANCA相关性肥厚性硬脑膜炎患者合并脑血管病变、肾损伤及间质性肺病的比例较高。结论 MPO-ANCA相关性肥厚性硬脑膜炎是一种罕见疾病,主要发病于年长女性,头痛为首发症状,临床医生应注意其他器官及系统受累的发生。

多孔硅形貌的观测与生长机理分析

本文在实验基础上，对多孔硅的形成形貌学进行了研究。用日立Ｓ－７５０型扫描电镜观测了不同条件下生长的多孔硅的正面和侧面孔的形貌。对得到的实验结果进行了较为详细的分析。

环氧化二十碳三烯甘油酸对肿瘤细胞增殖的影响

背景与目的:环氧化二十碳三烯甘油酸(EETs)由细胞色素P450(CYP)表氧化酶从花生四烯酸合成而来,研究发现,CYP表氧化酶在癌组织中明显高表达,而癌旁正常组织中几乎不表达,并且证实CYP表氧化酶及其代谢产物可能与肿瘤的发生、发展存在密切关系。本研究目的在于研究EETs对肿瘤细胞的促增殖作用及其相关的机制。方法:分别以不同浓度的EETs(8,9-EET、11,12-EET和14,15-EET)作用Tca-8113、A549、Ncl-H446和HepG2肿瘤细胞12、24、48h和72h后,MTT法检测细胞增殖情况。流式细胞仪检测外源性EETs对Tca-8113细胞周期的影响。用选择性抑制剂来阻断细胞增殖的MAPK、PI3K/Akt和PKC细胞信号转导通路,并用Westernblot法检测PI3K/Akt和ERK1/2总蛋白水平和磷酸化水平。结果:与对照组和溶媒组比较,EETs可明显促进肿瘤细胞的生长,并呈明显的浓度依赖性和时间依赖性(P<0.01)。流式细胞仪分析显示,EETs处理后的肿瘤细胞在S-G2/M期的细胞数增多。11,12-EET处理Tca-8113细胞后S期和G2/M期细胞[(49.7±7.5)%vs.(21.0±5.3)%]较对照组明显增多(17.2±9.7)%vs.(4.9±7.3)%],差异有统计学意义(P<0.01)。用EETs培养后肿瘤细胞的MAPK和Akt磷酸化水平显著增加,而且其抑制剂能够阻断EETs诱导的细胞增殖作用。结论:EETs具有促进肿瘤细胞增殖的作用,MAPK和PI3K/Akt细胞转导通路在此过程中起重要作用。

多孔硅及其应用研究

20世纪 90年代初期人们发现的多孔硅的光致发光现象对硅被认为不可能制作可见光区光电器件的传统概念产生了巨大冲击 .国际上掀起了一股多孔硅热 ,国内也已经起步 .结合作者在多孔硅方面的部分工作对多孔硅的形成机理、微观结构、发光机制和应用前景作了较详细的介绍 .

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上 ,详细讨论了包括Ⅲ—Ⅴ族、Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅 (PS)等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理、发光二极管的结构与特性 .

TMAH腐蚀液的研究

TMAH是一种新型的、性能优异的各向异性腐蚀液。文章通过大量对比实验,对该腐蚀液用于<100>、<111>单晶Si片不同电阻率、不同晶向的样品研究了粗糙度和腐蚀速率,得出重要结论。此研究对正确使用TMAH腐蚀液有重要指导意义。

采用TMAH腐蚀液形成正方形硅杯的粗糙度与腐蚀速率的研究与分析

TMAH是一种新型的、性能优异的各向异性腐蚀液。本文通过大量对比实验对TMAH腐蚀液用于 <10 0 >、<111>单晶Si片不同电阻率、不同晶向的样品研究了粗糙度和腐蚀速率 ,得出重要结论。此研究对正确使用TMAH腐蚀液有重要指导意义。

压阻式传感器灵敏度特性分析

对圆形、正方形和矩形膜片力敏器件的灵敏度进行了详细剖析，计算并列出大量数据，指出影响压力传感器灵敏度的因素和提高灵敏度的有效途径，给出部分实验数据与理论分析符合较好。本分析对开发设计高灵敏度的力敏元件有重要指导意义。

力敏传感器芯片设计分析

较详细地分析了影响半导体力敏传感器性能的因素；介绍了圆膜片、片方膜、短形膜片上芯片的最佳设计方法．对研制开发新型的力敏传感器有一定的指导意义．

多孔硅的发光机理及应用

对多孔硅的发光机理和应用前景作了详细介绍。

多孔硅的形成与电流电压特性研究

本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。

多孔硅的能带变化及光致发光的研究

多孔硅与硅材料相比,有明显的可见光致发光特性,其原理可用量子限制模型给予解释。文章通过对多孔硅的光致发光、光电子辐射、光电效应和X光吸收方面的实验的讨论,研究了退火对多孔硅导带和价带边缘的量子漂移的影响。对于大多数多孔硅,过高的退火温度可造成多孔硅的导带和价带边缘的量子漂移的改变。

微压传感器膜片的设计与研制中的关键技术

本文介绍了正方形膜片微压传感器的结构,分析了其设计思想。并就利用正方形膜片开发的微量程力敏器件的灵敏度作了分析。最后较详细地讨论了微压传感器研制中的关键技术——各向异性腐蚀技术。

用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布

本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。

压阻式压力传感器灵敏度特性分析

对圆形膜片、正方形膜片及矩形膜片压力传感器的灵敏度进行了详细剖析.计算并列出大量数据,指出影响压力传感器灵敏度的因素及提高器件灵敏度的有效途径,给出部分实验数据与理论分析符合较好.本分析对开发设计新型高灵敏度的压力传感器有一定指导意义.

硅杯腐蚀技术的研究

本文在大量实验的基础上,对微压传感器中硅杯形成的各向异性腐蚀技术的机理进行了详细分析,提出了几种切实可行的膜厚控制方法与正面图形的保护方法.对实验结果进行了分析与讨论,提出有价值的结论.