基础三维无源元件的单片高集成度自卷曲技术

在射频前端芯片中,无源元件占据大量面积,这成为芯片小型化的瓶颈。为了应对这一挑战,介绍一种基于传统平面半导体工艺的单片自卷曲技术。该技术利用薄膜应力实现了基础无源元件对三维空间的充分利用,从而显著减少了基础无源元件在芯片中所占的面积,相比传统的二维平面器件更具优势。通过全面介绍这一技术的原理、表征以及集成应用等,展示了其在推动射频前端芯片向高集成度和小型化方向发展的潜力。