硅烷自组装膜对制备于多孔性基底上导电聚吡咯薄膜性能的影响

采用硅烷偶联剂对在多孔性绝缘Al2O3膜基底上形成的导电聚吡咯(polypyrrole,PPy)薄膜的形貌及导电性能进行了改善,并探讨了硅烷自组装膜与导电PPy薄膜的形成机理。用硅烷偶联剂对Al2O3膜表面进行改性后,形成了与基底牢固结合的硅烷自组装膜,然后通过化学聚合法在自组装膜上制备得到了均匀致密的PPy薄膜。结果表明:硅烷偶联剂有效地改善了PPy薄膜的均匀性及其与基底的附着性,电导率从5.4S/cm提高到了16.6S/cm。

纳米(1-x)SnO_2·xSb_2O_3复合云母钛导电珠光颜料的制备

以尿素为沉淀剂,利用均相沉淀法制备出纳米(1-x)SnO2·xSb2O3复合云母钛导电珠光颜料,研究了不同反应基质、基质的加料方式,在基质表面包覆掺锑二氧化锡(简称ATO)的量以及ATO组成中Sn4+／Sb3+的最佳摩尔比等工艺参数与颜料导电性及珠光效应的关系;从云母钛表面结构特点入手,利用双电层概念,探讨了ATO与基质云母钛的复合机理。

导电聚合物电磁屏蔽材料研究现状

丰富的电磁波资源在信息行业得到广泛应用的同时,产生的电磁干扰却带来了许多危害。导电聚合物作为一种新型材料在屏蔽电磁波方面展现出了良好的应用前景,主要包括复合型和结构型导电聚合物。介绍了复合型和结构型导电聚合物的导电机理,综述了目前国内外聚合物电磁屏蔽材料(EMI)的最新研究动态,如填充型复合导电聚合物、复合型导电涂料、结构型导电聚合物、纳米电磁屏蔽材料等,其中填充型复合材料及纳米屏蔽材料都将成为研究热点,并探讨了聚合物电磁屏蔽材料的未来发展方向。

电子封装材料表面化学制备高导电率聚吡咯薄膜的研究

研究了在环氧树脂塑料封装材料表面制备导电聚吡咯(PPy)薄膜的化学聚合方法,分析了影响聚吡咯薄膜微观形貌、附着力及电导率的因素。用四探针法测聚吡咯薄膜的电导率,并用扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)进行了表征。通过对电子封装材料的表面预处理与改性,制得了附着性好、均匀连续的聚吡咯薄膜,经掺杂电导率达到了45.10S/cm。

绝缘环氧模塑料表面导电聚吡咯薄膜的化学聚合与表征

电磁波干扰越来越多地存在于我们的日常生活中,许多微电子封装材料需要具备屏蔽电磁波的功能.聚吡咯由于具有良好的导电性能和环境稳定性,表现出优异的电磁屏蔽能力.我们利用化学聚合法在绝缘环氧模塑料封装材料表面制备得到了导电聚吡咯薄膜,用X射线光电子能谱、红外光谱、扫描电子显微镜对聚合物薄膜进行了表征.通过SEM分析表明,经对甲基苯磺酸钠掺杂后,制备得到的聚吡咯薄膜均匀连续、致密平整,用四探针测试仪测得掺杂后聚吡咯薄膜的电导率达到了2.3×103 S/m以上.

水热法合成Fe_3O_4空心微球及其磁性能研究

通过水热法合成了具有优良磁学性能的Fe3O4空心微球。采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品的微观结构和磁性能进行了表征。结果表明:空心微球尺寸约450nm,由许多细小的粒子团聚成大小均匀的球形,当反应中未添加EDTA时,组成微球的粒子近似球形,粒径在12nm左右,当添加0.05g EDTA时,形成八面体形粒子,粒径约为40nm;合成的Fe3O4空心微球具有较高的饱和磁化强度和较低的矫顽力。

导电珠光颜料浅析

导电珠光颜料是在片状云母或云母钛的表面包覆一层或几层半导体金属氧化物,如掺锑二氧化锡SnO2-Sb2O3(antimony-doped tin oxide,简称ATO),而制得的浅色导电颜料。导电珠光颜料具有稳定性高,耐腐蚀性好,产品颜色浅,导电性能好等优点,展现出了不同于传统珠光颜料的特殊的抗静电性和屏蔽电磁辐射与干扰的性能,是一种新型无机纳米功能材料,有较广阔的应用前景。本文探讨了导电珠光颜料的导电机理和ATO与基质的复合机理,介绍了导电珠光颜料的几种制备方法,如共沉淀法、均相沉淀法、微乳液法、金属醇盐水解法等。

Fe_3O_4/PPy纳米复合材料制备的研究进展

Fe3O4/PPy纳米复合材料是一种兼有无机纳米磁性材料与导电聚合物两者优异性能于一体且极具应用潜力的新材料,在传感器、电磁屏蔽、生物医药、离子交换树脂等领域普遍关注。本文综述了Fe3O4与聚吡咯纳米复合材料的制备方法,包括溶胶-凝胶法、原位聚合法、电化学合成法、自组装法以及超声法,分析了各种制备工艺的优劣,并指出了Fe3O4/PPy纳米复合材料的发展趋势。

湿法制备纳米xSb_2O_3·(1-x)SnO_2导电颜料及导电机理研究

以尿素为沉淀剂,利用均匀沉淀法制备出性能优异的xSb_2O_3·(1-x)SnO_2导电颜料,其粒径约为10 nm,电阻率为36.70Ω·cm。对不同制备方法做对比,结果表明:采用均匀沉淀法所制颜料导电性能明显优于干法。在xSb_2O_3·(1-z)SnO_2前驱体形成过程中有均相成核与非均相成核,以非均相成核为主。通过对样品进行TG-DTA,XRD测试,以及晶胞参数的变化,证实掺锑二氧化锡的半导体化是由Sb^(3+)与Sb^(5+)取代Sn^(4+)的格位所致,其导电性能随锑的氧化态变化而改变。

纳米级xSb_2O_3·(1-x)SnO_2导电颜料的制备及烧结动力学

高分子绝缘材料的广泛运用给工业生产和人们生活带来了极大的方便,其静电效应也带来了严重的危害.纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料属于半导体材料,作为一种颜料添加于涂料中,涂覆于绝缘制品表面,使其具有导电、抗静电和屏蔽电磁波等功能.以尿素为沉淀剂,利用均匀沉淀法制备出纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料,粒径约为10nm左右,电阻率为36.70Ω·cm;研究了沉淀剂、反应温度、Sn4+/Sb3+摩尔比等最佳工艺参数选择;SO42-离子引入对掺锑SnO2(ATO)电性能、粒径大小及形貌的影响;建立了ATO前驱体烧结过程的反应动力学模型,进而估算烧结反应的活化能为67.793kJ/mol.

硅源对小晶粒ZSM-5分子筛性质及其甲醇转化制丙烯催化性能的影响

固定晶化条件和合成原料参数,分别以四丙基氢氧化铵和偏铝酸钠为模板剂和铝源,考察了硅源类型(正硅酸乙酯、硅溶胶、硅酸钠、硅酸和白炭黑)对合成ZSM-5分子筛理化性能的影响。结果表明,产物的相对结晶度和产率按白炭黑、硅酸、硅酸钠、硅溶胶和正硅酸乙酯顺序依次减小;比表面积按硅酸、正硅酸乙酯、白炭黑、硅溶胶和硅酸钠顺序依次减小,且以硅溶胶合成的ZSM-5分子筛的总孔容最大,而微孔孔容最小;甲醇转化制丙烯的催化性能按硅酸、正硅酸乙酯、硅溶胶、硅酸钠和白炭黑顺序依次减小。

原料硅铝比对ZSM-5分子筛形貌及其甲醇转化制丙烯催化性能的影响

固定晶化条件和合成原料参数,分别以四丙基氢氧化铵、偏铝酸钠、正硅酸乙酯为模板剂、铝源和硅源,考察了原料硅铝比对合成ZSM-5分子筛理化性能的影响。结果发现,随着原料硅铝比的增大,ZSM-5分子筛的相对结晶度降低;晶粒大小趋于增大,且其形貌由圆柱型向长条状转变;比表面积和孔容减小。在甲醇转化制丙烯过程中,原料硅铝比在280~360,ZSM-5分子筛的甲醇转化率为100%,丙烯收率高于43%,P/E比值为6.85~9.58。

Fe_3O_4/SiO_2复合粒子的制备及对Cd^(2+)的吸附性能研究

采用共沉淀法制备出粒径为10nm左右、具有超顺磁性的Fe3O4纳米粒子,在Fe3O4纳米粒子外包覆SiO2合成了磁性Fe3O4/SiO2复合粒子,研究了该复合粒子对水溶液中Cd2+离子的吸附性能.利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、红外光谱(FTIR)、振动样品磁强计(VSM)和原子吸收分光光度计(AAS)对样品进行表征,考察了SiO2不同包覆量对吸附剂吸附性能的影响.结果表明:随着SiO2包覆量的增大,SiO2壳层厚度增大,内核中包埋的Fe3O4粒子数量增多,Fe3O4/SiO2复合粒子尺寸随着增大,由50nm左右增大到300 nm左右;Fe3O4纳米粒子表现出了良好的磁性能,比饱和磁化强度达73.6A·m2·kg-1,Fe3O4/SiO2复合粒子的比饱和磁化强度随SiO2包覆量的增大而逐渐减小;Fe3O4/SiO2复合粒子的吸附率随着SiO2包覆量的增多而逐渐增大,最大吸附率为91.0%.

Ni(OH)_2/石墨烯/Co(OH)_2电极材料制备及其电容性能研究

将具有法拉第赝电容但导电性较差的材料与具有良好导电性的石墨烯结合是提高超级电容器电极材料电容性能的合理策略。以水热法制备的Ni(OH)_2/石墨烯复合材料与生长有Co(OH)_2的泡沫镍制得修饰电极。用循环伏安法(CV)、恒电流充放电(CP)和电化学阻抗(EIS)测试了其在6 mol/L KOH溶液中的电容行为。实验表明,片状六边形Ni(OH)_2插入薄膜状石墨烯片层间,Ni(OH)_2/石墨烯/Co(OH)_2电极材料有良好的电容性能,在电流密度为1 A/g时比电容量达到了294 F/g,能量密度为36.75 Wh/kg。充放电循环1 000圈后比电容值仍是初始电容的92.7%。

双矿化剂对合成ZSM-5分子筛酸性和织构特征及其甲醇转化制丙烯催化性能的影响（英文）

采用静态水热法在F^--OH^-体系中,以四丙基氢氧化铵为模板剂、偏铝酸钠为铝源、正硅酸乙酯为硅源,合成了纳米SiO_2-ZSM-5分子筛,考察了F-/Al_2O_3物质的量比对所合成的ZSM-5分子筛织构性质和甲醇转化制丙烯催化性能的影响。结果发现,随着初始溶胶F^-/Al_2O_3物质的量比的增大,产物中SiO_2的含量增大,ZSM-5分子筛的相对结晶度有所降低;同时,分子筛的比表面积和孔容减小、酸强度降低、酸量减少。对于甲醇转化制丙烯,最佳F-/Al_2O_3物质的量比为12;此时,丙烯选择性高于45%,丙烯/乙烯(P/E)比值大于10。反应机理分析表明,过渡态择形选择性是控制烯烃选择性的重要因素。

原料硅铝比对ZSM-11分子筛性质及其甲醇转化制烯烃催化性能的影响

固定晶化条件和合成原料参数,在SiO_2-Al_2O_3-TBA^+-H_2O体系中,分别以四丁基氢氧化铵为模板剂、硫酸铝为铝源、正硅酸乙酯为硅源,考察了原料硅铝摩尔比对合成ZSM-11分子筛理化性能的影响。结果表明,随着原料硅铝摩尔比的增大,I501/I200[(501)和(200)晶面衍射峰的强度]的比值增大。原料硅铝摩尔比影响ZSM-11分子筛的晶粒大小和晶体形状。原料硅铝摩尔比为200时,合成ZSM-11分子筛的比表面积(453.9)和孔容(0.163 5)最大,介孔表面积占总表面积的40%,该催化剂的甲醇转化率为99.8%,丙烯收率为47%,P/E比值为5.84。

尿素水解法制备(1-x)SnO_2·xSb_2O_3导电颜料的研究

以尿素为沉淀剂 ,利用均匀沉淀法制备 (1-x)SnO2 ·xSb2 O3 导电颜料 (以下简称ATO) ;探讨了导电机理 ,对不同制备方法进行了对比 ;

选择性合成AFI和CHA型分子筛

AFI(SAPO-5)和CHA(SAPO-34、SAPO-44和SAPO-47)型分子筛是两类有广泛应用的硅铝磷分子筛。两类分子筛经常共晶生长或竞争性生长。控制晶化条件、合成方法和合成初始溶胶组成,能够选择性合成纯相AFI和CHA型分子筛。本文主要从陈化时间、晶化时间、晶化温度和加热方式、合成方法、合成初始溶胶组成等方面,介绍了选择性合成AFI和CHA型分子筛的方法。扩展选择性合成AFI和CHA型分子筛的方法,不仅有利于深入理解SAPO-n分子筛的形成机理,还有利于AFI和CHA型分子筛的工业化生产。

调节添加剂用量选择性合成SAPO-15和SAPO-34分子筛

固定晶化条件和合成原料参数,分别以拟薄水铝石、气态二氧化硅、吗啉和氯化铵为铝源、硅源、模板剂和添加剂,选择性合成了SAPO-n分子筛,研究了氯化铵用量对合成产物结构的影响。XRD和SEM表征结果发现,随着氯化铵用量的增加,合成产物由SAPO-34→(SAPO-5+SAPO-15+SAPO-34)→(SAPO-15+SAPO-34)→SAPO-15转变;而且合成SAPO-15分子筛的相对结晶度增大,且显著影响SAPO-15分子筛的形貌。

硅烷自组装膜对PPy固体铝电解电容器的影响

通过对比在固体铝电解电容器多孔性绝缘A12O3膜表面是否进行硅烷偶联剂预处理后化学聚合得到的导电聚吡咯(PPy)薄膜的连续性、附着性与电导率以及所得PPy固体铝电解电容器的性能指标,探讨了硅烷自组装膜对PPy薄膜与PPy固体铝电解电容器性能的影响及硅烷自组装膜在多孔性A12O3膜表面的形成机理与PPy薄膜在硅烷自组装膜上的成膜机理.PPy薄膜的电导率从5.4 S·cm-1提高到了16.6 S·cm-1,PPy固体铝电解电容器的损耗角正切tgδ≤0.06(120Hz,20℃),漏电流IL≤0.04 CV(或3μA).