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题名长延迟反射栅色散延迟线
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作者
沈自平
任华英
唐代华
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机构
四川压电与声光技术研究所
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1992年第5期83-86,共4页
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文摘
本文报道了用于电子对抗系统的表面波反射栅色散延迟线的制作情况。器件采用离子束刻蚀沟槽栅的制作工艺,整个刻蚀过程由计算机控制,制作出的器件其主要性能参数为:展宽线中心频率80MHz,色散时间126μs,色散带宽21MHz,插入损耗37dB;压缩线中心频率28MHz,色散时间63μs,色散带宽10.5MHz,插入损耗43dB;配对压缩后,旁瓣抑制可达34—36dB。
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关键词
电子对抗
延迟线
色散
反射栅
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Keywords
RAO, ion beam etching
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分类号
TN97
[电子电信—信号与信息处理]
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