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SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化
被引量:
2
1
作者
吴孙桃
谢廷贵
+2 位作者
王延
华
陈议明
沈华
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期341-344,共4页
制备了二氧化锡/ 多孔硅/ 硅(SnO2/PS/Si) 异质结构样品,在不同温度下,分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合X 光电子能谱(XPS) 测量结果。
关键词
半导体材料
双异质结
多孔硅
吸附气体
光生电压谱
X光电子能谱
下载PDF
职称材料
题名
SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化
被引量:
2
1
作者
吴孙桃
谢廷贵
王延
华
陈议明
沈华
机构
厦门大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期341-344,共4页
基金
福建省自然科学基金
文摘
制备了二氧化锡/ 多孔硅/ 硅(SnO2/PS/Si) 异质结构样品,在不同温度下,分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合X 光电子能谱(XPS) 测量结果。
关键词
半导体材料
双异质结
多孔硅
吸附气体
光生电压谱
X光电子能谱
Keywords
semiconductor material
double heterojunctions
porous silicon
adsorption
photovoltage spectra
XPS
分类号
O471.4 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化
吴孙桃
谢廷贵
王延
华
陈议明
沈华
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
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职称材料
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