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表面光电压法测定Al_xGa_(1-x)As的组分和少子扩散长度
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作者 黄景昭 沈qi华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期200-204,共5页
本文通过测量n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs材料的表面光电压并推导了有关的计算公式,判定其光跃迁类型,从而计算出它们的禁带宽度,确定了Al的组分x;计算出它们的少子扩散长度.测量和计算的结果与SEM方法的测量结果基本一致.
关键词 ALGAAS 组分 少子扩散 测量 光电压
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