激光能量分布对GaN基光导开关导通特性的影响

光斑是影响光导开关导通特性的重要因素之一。探索了激光能量分布对光导开关输出特性的影响,分别采用高斯光和平顶光对同一GaN光导开关导通特性进行了对比测试。结果表明,由于平顶光具有更均匀的能量分布,相比于高斯光触发,在相同外加偏置电压(800 V)下,电压转换效率提升了6.8%。在激光能量为500μJ时的平顶光触发下进行了加压测试,最大峰值输出电压为4550 V,此时输出功率达到414 kW,上升时间为420 ps,下降时间为5 ns,导通电阻为13.7Ω。

砷化镓光导开关的损伤形貌研究

制作了同面型砷化镓光导开关,并测试了其导通性能。在偏置电压8 kV、激光能量10 mJ、重复频率10 Hz的条件下,研究了光导开关触发104次后器件表面的损伤形貌。利用激光扫描共聚焦显微镜,对电极边缘及电极间的损伤形貌进行分析,研究发现阳极边缘由于热积累形成热损伤,而阴极边缘的热损伤来源于热应力,并对电极间损伤形貌进行细致表征及分类。