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面向可见光通信的硅基InGaN/GaN多量子阱波导定向耦合器光子集成芯片 被引量:3
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作者 李欣 李芸 +3 位作者 王徐 沙源清 蒋成伟 王永进 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2695-2702,共8页
利用可见光信号作为新型信息载体的光通信技术近些年来得到长足发展,为了开发新一代光子集成芯片作为可见光通信网络的终端器件,满足可见光信号发射、接收、传输与处理的复合需求,该文基于硅基InGaN/GaN多量子阱材料,设计了一种集成可... 利用可见光信号作为新型信息载体的光通信技术近些年来得到长足发展,为了开发新一代光子集成芯片作为可见光通信网络的终端器件,满足可见光信号发射、接收、传输与处理的复合需求,该文基于硅基InGaN/GaN多量子阱材料,设计了一种集成可见光波段微型发光二极管(LED)光源、波导定向耦合器、微型光电探测器于一体的光子集成芯片。该芯片利用InGaN/GaN多量子阱材料的发光探测共存现象,实现了上述复合功能。微型LED光源作为发射端,可以发射出蓝色波段的可见光信号,其发光强度受到注入电流的线性调制,可实现调幅可见光通信,适合作为可见光通信的发射端。微型LED光源发射的可见光信号传输进入波导定向耦合器,实现了片内有效传输耦合和光功率平均分配。经过耦合传输的可见光信号进入微型光电探测器,可以监测到与耦合传输的光信号强度相匹配的光电流。最后,可见光通信测试也表明该芯片可实现有效的可见光通信。该研究为发展面向可见光通信网络需求的复合功能光子集成芯片终端提供了更多可能性。 展开更多
关键词 可见光通信 氮化镓 发光二极管 定向耦合器 光子集成
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超薄氮化镓基LED悬空薄膜的制备及表征 被引量:5
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作者 李欣 沙源清 +1 位作者 蒋成伟 王永进 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期873-883,共11页
为了便于导出LED有源层的出射光,本文研究了亚微米厚度LED悬空薄膜的工艺实现、形貌表征和光学性能表征。采用光刻工艺、深反应离子刻蚀技术和快速原子束刻蚀技术相结合的背后工艺,实现了基于硅基氮化镓晶圆的超薄氮化镓基LED悬空薄膜... 为了便于导出LED有源层的出射光,本文研究了亚微米厚度LED悬空薄膜的工艺实现、形貌表征和光学性能表征。采用光刻工艺、深反应离子刻蚀技术和快速原子束刻蚀技术相结合的背后工艺,实现了基于硅基氮化镓晶圆的超薄氮化镓基LED悬空薄膜器件。本文利用白光干涉仪观察制备的超薄LED悬空薄膜的变形程度,发现薄膜变形大小与薄膜直径呈正相关,而与薄膜厚度呈负相关。薄膜变形大小低至纳米级,并且为中央凸起边缘平滑的拱形变形。通过反射谱测试发现未经加工的硅基氮化镓晶圆的反射模式数较多,而LED悬空薄膜的反射模式数大幅度减少,且反射谱整体光强明显提高。在光致发光测试中,发现由于应力释放,悬空薄膜的出射光峰值较硅基氮化镓晶圆出现了8.2 nm的蓝移,并且从背面也可以探测到移除了大部分外延层的超薄LED悬空薄膜有明显的出射光。这表明悬空薄膜在光致发光情况下更有利于导出发射光。本研究工作实现了厚度小、面积大、总体变形程度小、光学性能优良的LED悬空薄膜,为氮化镓基LED器件在光微机电领域的应用开辟了新的途径。 展开更多
关键词 氮化镓 悬空薄膜 LED 反射谱 光致发光
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面向可见光通信的硅基InGaN/GaN多量子阱多口分路器光子集成芯片
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作者 李欣 王徐 +3 位作者 李芸 沙源清 蒋成伟 王永进 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第8期2649-2658,共10页
为研究面向可见光通信的多功能光子集成芯片,实现可见光信号发射、探测、传输和功率分配的一体化的复合功能,该文提出一种基于硅基InGaN/GaN多量子阱材料的微型发光二极管(LED)多口分路器结构的光子集成芯片,对集成芯片进行了形貌、光... 为研究面向可见光通信的多功能光子集成芯片,实现可见光信号发射、探测、传输和功率分配的一体化的复合功能,该文提出一种基于硅基InGaN/GaN多量子阱材料的微型发光二极管(LED)多口分路器结构的光子集成芯片,对集成芯片进行了形貌、光电特性和可见光通信测试等多方面表征,实现了对可见光信号的有效传输和不同比例的多口功率分路,并对分路器不同端口的出射光强进行量化处理,最后,利用信号发生器在微型LED光源发射端加载300 kHz的矩形波电信号,收集分路器末端发射的调制可见光信号,输入/接收信号的波形变化趋势一致,说明该光子集成芯片可实现有效的可见光通信。该研究的主要目的是尝试性将可见光波段的光源和光电探测器集成在氮化物晶圆上,为可见光通信的全光网络的可见光信号片上集成式处理提供新的研究思路和方案,为发展面向可见光通信网络需求的复合功能光子集成芯片终端提供了更多可能性。 展开更多
关键词 光子集成芯片 可见光通信 氮化镓 发光二极管 多口分路器
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护理干预提高非重型再生障碍性贫血的治疗依从性 被引量:6
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作者 李月 李红 沙源清 《徐州医学院学报》 CAS 2015年第1期64-66,共3页
目的调查非重型再生障碍性贫血(non—sever aplastic anemia,NSAA)患者治疗依从性的影响因素,并分析给予护理干预对患者治疗依从性的影响。方法调查136例NSAA患者治疗依从性影响因素后将其随机分为护理干预组(n=63)和对照组(rt=7... 目的调查非重型再生障碍性贫血(non—sever aplastic anemia,NSAA)患者治疗依从性的影响因素,并分析给予护理干预对患者治疗依从性的影响。方法调查136例NSAA患者治疗依从性影响因素后将其随机分为护理干预组(n=63)和对照组(rt=73),对照组给予常规护理,干预组给予联合护理干预。结果NSAA患者存在较多的依从性影响因素,接受联合护理干预后治疗依从性较对照组有明显改善(P〈0.01)。结论对NSAA患者进行护理干预可以明显提高其治疗依从性。 展开更多
关键词 再生障碍性贫血 护理干预 治疗依从性
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电致发光的完全悬空超薄硅衬底氮化镓基蓝光LED器件的制备与表征 被引量:4
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作者 蒋成伟 沙源清 +2 位作者 袁佳磊 王永进 李欣 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期153-162,共10页
为提升硅衬底氮化镓基LED(发光二极管)器件的光电性能和出光效率,本文提出了一种利用背后工艺实现的悬空薄膜蓝光LED器件。结合光刻工艺、深反应离子刻蚀和电感耦合等离子体反应离子刻蚀的背后工艺,制备了发光区域和大部分正负电极区域... 为提升硅衬底氮化镓基LED(发光二极管)器件的光电性能和出光效率,本文提出了一种利用背后工艺实现的悬空薄膜蓝光LED器件。结合光刻工艺、深反应离子刻蚀和电感耦合等离子体反应离子刻蚀的背后工艺,制备了发光区域和大部分正负电极区域的硅衬底完全掏空,并减薄大部分氮化镓外延层的悬空薄膜LED器件。对悬空薄膜LED器件进行三维形貌表征,发现LED悬空薄膜表面平坦,变形程度小,证明背后工艺很好地解决了氮化镓外延层和硅衬底之间由于应力释放造成的薄膜变形问题。表征了LED器件的电流电压曲线和电致发光光谱等光电特性,对不同结构、不同发光区域尺寸的LED器件进行对比,发现悬空薄膜LED器件的光电性能和出光效率比普通LED器件更优越,且发光区尺寸变化对LED器件性能的影响更明显。在15 V驱动电压下,与普通LED器件相比,发光区直径为80μm的悬空LED器件的电流从4.3 mA提升至23.9 mA。在3 mA电流的驱动下,峰值光强提升了约5倍,而发光区直径为120μm的悬空器件与发光区直径为80μm的悬空器件相比,出光效率提升更为明显。本研究为发展高性能悬空氮化物薄膜LED器件提供了更多可能性。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 悬空薄膜 背后工艺 电致发光
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小剂量阿糖胞苷、高三尖杉酯碱与G-CSF治疗急性非淋巴细胞白血病(附16例疗效观察)
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作者 沙源清 姚永红 《井冈山学院学报(综合版)》 2005年第08M期67-68,共2页
目的探讨治疗急性非淋巴细胞白血病的方法。方法对我科收治的16例急性非淋巴细胞白血病,应用小剂量阿糖胞苷和高三尖杉碱(HA方案)与G-CSF联合方案治疗。结果完全缓解率31.25%(5/16),占总数(CR+PR)68.75%(11/16)。结论... 目的探讨治疗急性非淋巴细胞白血病的方法。方法对我科收治的16例急性非淋巴细胞白血病,应用小剂量阿糖胞苷和高三尖杉碱(HA方案)与G-CSF联合方案治疗。结果完全缓解率31.25%(5/16),占总数(CR+PR)68.75%(11/16)。结论本方案可明提高急性非淋巴细胞白血病的缓解率,对过渡到标准剂量强化治疗创造机会具有积极的意义,可作为治疗急性非淋巴细胞白血病较好的方案。 展开更多
关键词 急性非淋巴细胞白血病 小剂量HA方案 G-CSF
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