用X射线晶片分析器同时测定硅片上薄膜的厚度及组成

晶片专用X射线荧光分析装置在半导体工业中被用于多种工程的评价。在半导体分析中XRF法的显著特征是能分析各种薄膜(氧化膜、硅化物膜、金属膜等);能同时分析晶片上同一部位的膜厚及组成;XRF法是非破坏分析,因受化学键的影响不大,同一个试样可以反复使用。 厚度在400nm以上的掺硼磷硅玻璃(BPSG)膜的分析结果已做报道。近年,随着对半导体器件的高度集成化、高性能化(64 Mbit以上)要求的提高,希望能更准确地分析。作为有代表性的氧化膜——BPSG膜,为改善其在工程中的热处理特性,B_2O_3、P_2O_5的浓度控制是不可缺少的。为了满足这些要求,必须分析更薄的薄膜(300nm以下),在薄膜分析中的关键问题是B Kα背底的变动。 B分析的新光学系统改善了声噪比(S/N),使250nm以上的BPSG膜的分析成为可能。为了提高晶片分析器的性能,在装置上做了一些改良:真空度的稳定化;减轻污染的特制真空泵;分光室部分的恒温化。新的晶体分析器无论在短期或长期的测定,对10％B_2O_3的测定能做到1％的相对精度。 对在硅晶片上的钨硅化物的分析,不能使用W Lα及Si Kα两种谱线,而应使用W的两种谱线(浓度分析用W-N线,膜厚分析对用W-Lα线)。 膜厚测定的相对精度在0.2％以下,对于Si/W=2.5,摩尔比精度约0.015％(相对精度约为0.56％)。

岩石中主成分和微量成分X射线荧光分析的低稀释比玻璃融珠方法

采用ｍ样品∶ｍ熔剂为１∶２的低稀释比玻璃熔融技术，Ｘ射线荧光法测定岩石中的主成分和微量成分，既提高了灵敏度又消除了不均质效应。与粉末压片方法相比，对硫的分析得到了更好的结果。同时，使用基本参数程序建立了一种新的校正方法来校正由于烧失量、烧增量、稀释比或熔剂挥发而导致的分析误差。

理学SIMULTIX 10/11型多道X射线荧光光谱仪的背景测定装置与应用

文章介绍了理学SIMULTIX 10/11多道同时型X射线荧光光谱仪上所配备的具有背景测定与扣除功能的固定型测角仪的原理、特点和应用实例。该测角仪能明显地提高痕量元素分析的灵敏度与准确度,而且扩大了对于不同类型样品的分析适应范围,例如铁素体与奥氏体样品中钒的测定等。