VLP/CVD低温硅外延

研究了 VLP/ CVD低温硅外延生长技术。利用自制的 VLP/ CVD设备 ,在低温条件下 ,成功地研制出晶格结构完好的硅同质结外延材料。扩展电阻、X射线衍射谱和电化学分布研究表明 ,在低温下 (T<80 0°C)应用 VLP/ CVD技术 ,可以生长结构完好的硅外延材料 ;

用于Si_(1-x)Ge_x异质结外延材料生长的高真空化学汽相外延炉

研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学汽相外延炉 ,详述了该汽相外延设备的性能、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长 Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。

低温低真空CVD生长锗硅异质结外延材料

利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气体，在２ 英寸到３英寸的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５ ℃，６１０ ℃和５７５℃不同温度分别生长了Ｓｉ０－８Ｇｅ０－２ ，Ｓｉ０－５ Ｇｅ０－５ 和Ｓｉ０－６５Ｇｅ０－３５ 的异质外延层，获得了原子级表面和界面的异质外延材料。结果表明：外延生长速率和Ｇｅ 组分由硅烷和锗烷的分压及生长时的温度控制。并利用Ｘ 射线双晶衍射，扩展电阻和电化学ＣＶ 法研究了ＧｅＳｉ

高真空化学气相外延炉的研制

研制出满足 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料生长工艺的高真空化学气相外延炉。介绍了 Si1 - x Gex 异质结薄膜材料的生长工艺 ,详述了该气相外延设备的性能指标、结构组成和设计原理 ,并且给出了利用该设备生长Si1 - x Gex 异质薄膜的实验结果。

愿你生活得更健康

愿你生活得更健康文／洛红暑假，偶有小恙，亲戚有邀回乡下住段时间。他说乡下空气新鲜，食物不受污染，有利养病。盛情之下，找了辆车便去了。这是陕西境内有名的果乡。亲戚家是一院簇新的房子。白墙，屋里院里都很干净，但没电视，没电话，显得整整个房子空荡荡的。出了...

海南人何以长寿

海南人何以长寿洛红据史书记载，海南是历史上著名的长寿之乡。从现在情况看，第三次人口普查，海南人平均寿命７１．２９岁，居全国之首。１９９０年第四次人口普查，海南省８０～９９岁者５６９５８人，百岁以上寿星多达８２人（其中女性６８位），再次居全国之首。那么...