HL-2A装置的ECRH实验和偏滤器特性

用HL-2A装置下偏滤器靶板上的14组嵌入式静电三探针阵列和外偏滤器室的电动扫描四探针组,测量了同一环向截面的内外中性化板上的电子温度、密度、悬浮电位及其分布,以及电子回旋加热(ECRH)实验期间的等离子体行为。研究了偏滤器中等离子体参数的分布及非对称性以及等离子体的形成、物理特性和改善粒子的约束特性。

HL-2A装置送气和加料的脱靶特性

HL-2A装置辐射偏滤器实验采用边缘补充送气和分子束加料等方法来提高主等离子体密度,降低边缘等离子体温度、增加辐射功率分额,获得脱靶等离子体。偏滤器室内进行主动补充送气或者注入惰性气体杂质,降低偏滤器等离子体温度,获得脱靶等离子体,并首次获得了超声分子束注入产生脱靶等离子体的实验结果。利用HL-2A装置偏滤器同一极向截面内外中性化板上安装的嵌入式探针阵列和偏滤器室安装的电动探针系统,测量了偏滤器靶板上和偏滤器室的等离子体参数及其分布,并进行了相关分析和改善约束以及偏滤器脱靶等离子体运行模式下等离子体行为的研究。

HL-1M托卡马克边缘参数和雷诺胁强的径向分布

利用多组马赫 /朗缪尔探针测量了HL 1M装置刮离层和边缘静电雷诺胁强、等离子体极向旋转、径向和极向电场的径向分布。在低杂波电流驱动、超声分子束注入、多发弹丸注入和中性束注入实验中 ,给出了雷诺胁强和极向流的关系。结果表明 ,由于雷诺胁强的径向变化 。

HL-2A装置的边缘参数测量

HL-2A装置中平面边缘的等离子体特性通过磁力传动的马赫/雷诺协强/朗缪尔10探针组进行了研究。10探针组安装在可径向向里和向外移动,并可绕轴旋转360o的传动杆上,用于测量主等离子体边缘的温度、密度、悬浮电位、空间电位、径向和极向电场、湍流的雷诺协强、径向和极向等离子体流速及其径向分布。HL-2A装置的实验结果表明,边缘等离子体扰动诱发的雷诺协强产生了边缘极向流;雷诺协强的径向梯度驱动带状流抑制了湍流输运。

HL-2A等离子体边缘的快速单探针测量

介绍了对HL 2A装置中平面边缘等离子体的单探针测量。单探针是安装在可径向移动、并可绕轴旋转360o的传动杆上的。在1MHz的快速采样频率下,测量了主等离子体边缘的温度、密度、悬浮电位、空间电位、极向等离子体流速的径向分布。测量的结果表明,利用单探针测量的主等离子体边缘参数与朗缪尔四探针测量结果基本一致。

HL-2A偏滤器位形的边缘等离子体特性

通过中平面活动10探针组、往复快速扫描4探针和低杂波天线口的固定4探针测量了主等离子体边缘的温度、密度、悬浮电位、径向和极向电场、雷诺协强、径向和极向等离子体流速及其径向分布。用偏滤器靶板上的14组嵌入式静电3探针阵列测量了同一环向截面的内外中性化板上的电子温度、密度、悬浮电位及其分布。比较了在孔栏位形和偏滤器位形下边缘等离子体特性的差异,特别是两种位形下边缘温度和密度衰减长度的变化。分析了在多脉冲超声分子束加料和低杂波注入条件下的边界等离子体特性,以及雷诺协强的径向梯度与极向流和径向电场梯度与湍流损失的相互关系。

HL-2A装置偏滤器的脱靶等离子体实验

在HL-2A装置偏滤器靶板上采用嵌入式静电三探针阵列和偏滤器室内的电动扫描四探针组测量了同一极向截面的内外中性化板上和偏滤器室内的电子温度、密度、悬浮电位、空间电位、电场、电子压强及其分布,研究了偏滤器中等离子体参数的分布及非对称性和脱靶等离子体运行模式下的等离子体行为,开展了偏滤器脱离靶板等离子体的实验研究。利用主真空室的快速往复扫描三台阶式六探针系统测量了主等离子体边缘和偏滤器室内的等离子体温度、密度、粒子通量和中性粒子密度等参数,研究了脱靶等离子体的形成过程、物理特性、控制方法,以及对主等离子体性能的影响。

HL-1M装置边缘参数测量(英文)

在HL 1M装置上利用马赫 郎缪尔探针分别在欧姆放电、低杂波注入、中性束注入、离子回旋加热和电子回旋加热等情况下测量了刮离层和等离子体边缘的极向流速度和电场 ,得到了它们的径向分布。研究了LHW、NBI、ICRH和ECRH对改善等离子体约束性能。

HL-2A装置快速扫描气动探针的研制和运用

快速扫描气动探针已在HL-2A装置上用于对边缘等离子体参数的径向分布的测量,特别是刮离层等离子体参数的特征长度和扰动的测量。该系统采用精密的气动气缸驱动带有探针组件的长驱动杆,其最快速度可在60 ms时间内水平扫描8 cm的距离。探针信号测量具有1MHz的快速时间响应和0.04 mm的空间分辨率。可靠地测量了HL-2A装置边缘电子温度和密度的时空分布。

Hl-1装置的钛蒸镀吸气实验

用钛吸气方法制备清洁表面净化HL—1装置的内真空室,减少了HL—1托卡马克等离子体中的杂质和气体再循环率,使Z_(eff)降低到1.4,在脉冲程控送气配合下,获得等离子体最高电子密度(?)_(emax)=6.8×10^(19)m^(-3),能量约束时间达28ms,并使装置进入q(a)=1.8的低g(a)稳定放电,扩展了装置的运行范围。

HL-2A偏滤器运行模式的探针测量

在HL 2A装置的偏滤器位形运行模式下,用偏滤器靶板上的平面型嵌入式静电探针阵列测量了同一环截面的内外和上下四个中性化板上的电子温度、密度、悬浮电位分布。偏滤器运行模式下的边缘电子温度高于孔栏运行模式下的边缘的电子温度。比较了内外靶板之间的温度不对称性。给出了由18个米尔诺夫线圈信号重建获得的磁分界面,并用强磁场快速电离规测量了偏滤器室的中性气体压强变化。测量结果表明,在偏滤器运行模式下,主真空室中边缘粒子再循环降低,杂质通量水平下降。

HL-1M装置高气压分子束注入下边缘等离子体结构

在HL 1M装置的高气压分子束流注入加料实验中,利用提高注入口气源的气压来提高超声分子束流的速度和增加入射的粒子密度,从而改变了边缘电场、等离子体旋转速度和边缘静电雷诺胁强。利用马赫 郎缪尔探针组测量了HL 1M装置刮离层的边缘雷诺胁强、等离子体极向旋转、径向和极向电场的变化。实验结果表明:随着分子束流速度和粒子密度的增加,延伸了分子束流的注入深度,提高了注入速度和效率。

用马赫探针阵列测量HL-1M装置边缘涨落和流速

利用一组马赫探针研究了ＨＬ－１Ｍ装置刮离层（ＳＯＬ）和边缘等离子体流在欧姆放电、壁硼化、偏压抽气孔栏、偏压电极、低杂波电流驱动（ＬＨＣＤ）和电子回旋共振加热（ＥＣＲＨ）等情况下的平行流马赫数、离子饱和电流扰动、平行流速度剪切和极向流速度的分布。

HL-1M装置边缘等离子体测量

本文研究了ＨＬ－１Ｍ装置运行初期第一壁材料对等离子体删削层杂质流通量及分布的影响，并与ＨＬ－１装置的结果进行比较。利用热通量探针测量，给出了ＨＬ－１和ＨＬ－１Ｍ装置删削层的热通量分布。在不同运行状态下，利用马赫探针组，测量了ＨＬ－１Ｍ装置边缘等离子体流的变化特性。

弹丸和超声束流注入对 HL-1M 装置边缘电场和等离子体旋转的影响

介绍了ＨＬ－１Ｍ在不同放电条件下边缘等离子体流和径向电场的测量。实验发现：在多发弹丸注入（ＭＰＩ）和超声束流注入（ＳＢＩ）期间，托卡马克等离子体边缘的径向电场Ｅｒ发生变化，边缘等离子体的极向流剪切以及伴随着边缘扰动水平下降已观测到。

HL-1M装置边缘扰动和流速的实验研究

利用一组马赫探针研究HL-1M装置刮离层和边缘等离子体流在欧姆放电、壁硼化、偏压抽气孔栏、偏压电极、低混杂波电流驱动、电子回旋共振加热、弹丸注入、分子束注入、激光吹气和补充送气等情况下的平行流马赫数、离子饱和电流扰动、平行流速度剪切和极向流速度的分布。实验中发现局部等离子体电位快速变化，改变了电场分布，改变了边缘等离子体的流速和方向。从而改善了等离子体约束性能。

HL-1M装置注入和加热实验的流速与电场测量

利用马赫－郎缪尔探针组研究了ＨＬ－１Ｍ装置刮离层和边缘等离子体流在欧姆放电、中性束注入、低杂波注入、离子回旋加热和电子回旋加热等情况下的极向流速、径向电场和极向电场的变化与分布，研究并讨论了它们对降低边缘粒子径向传输和改善等离子体约束性能的影响。

HL-2A装置带状流和湍流模数分布及其探针系统

利用往返式朗缪尔探针组在HL-2A装置等离子体边缘首次同时观测到明显的低频(f=0~5kHz)和测地声模(f=16kHz)带状流的极向和环向对称性(m^0,n^0),径向结构及其传播特征。并同时推算出流的径向波矢(Kr-LF=0.6 cm-1,Kr-GAM=2cm-1)。双谱分析的结果表明低频和测地声模带状流的形成可能都是由于高频湍流和这种流之间的非线性三波耦合引起的。初步研究了电子回旋加热功率和边界安全因子引起带状流幅度的变化。此外,也观测了带状流幅度在径向方向的改变。

HL-2A装置边缘扰动特性观测

用中平面往复快速扫描6探针组观测HL-2A装置边缘等离子体的扰动特性。在一次放电中能测量到边缘等离子体参数的时空分布及其涨落量,雷诺胁强与极向流和带状流的关系,以及静电涨落驱动的粒子通量和热通量的径向变化。在多发弹丸注入(MPI)和多脉冲超声分子束注入(SMBI)条件下,研究了边缘参数的涨落和相关特性。实验结果表明:SMBI和MPI等注入手段改变了边缘的扰动特性;雷诺胁强的径向梯度可以驱动带状流,抑制湍流输运。

用钛吸气和壁碳化改善SWIP－RFP装置的等离子体性能

用钛吸气方法制备清洁表面净化环形反场箍缩（ＳＷＩＰ－ＲＦＰ）装置内真空室以及原位壁碳化改善ＳＷＩＰ－ＲＦＰ装置器壁状态，减少了该装置等离子体中的杂质水平，提高了等离子体性能。