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多量子阱结构的MOVPE生长
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作者 陈松岩 陈龙海 +5 位作者 黄美纯 刘宝林 洪火国 李玉东 王本忠 刘式墉 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期359-363,共5页
利用金属有机气相沉积技术生长InGaAsP/InP多量子阱结构,通过改变生长程序,得到了优化的陡峭量子阱界面.并利用光致发光(PL)和X射线双晶衍射对其界面质量分析,X射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。
关键词 多量子阱 气相沉积 MOVPE 光电器件 半导体
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InPN+/P太阳电池光谱响应的数值模拟和分析
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作者 黄钟英 洪火国 陈朝 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期696-691,共1页
用数值模拟方法对InPN+/P太阳电池在AM1.0下的光谱响应和光电流进行了计算和分析,探讨引起InP太阳电池光谱特性曲线变化的原因,从而获得N+区和P区的最佳掺杂浓度、厚度、表面复合速度等参数,为设计制造InP太阳... 用数值模拟方法对InPN+/P太阳电池在AM1.0下的光谱响应和光电流进行了计算和分析,探讨引起InP太阳电池光谱特性曲线变化的原因,从而获得N+区和P区的最佳掺杂浓度、厚度、表面复合速度等参数,为设计制造InP太阳电池提供参考数据. 展开更多
关键词 太阳电池 光谱响应 数值模拟 磷化铟
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