本文采用氮离子束增强反应磁控溅射,在低温下沉积了 AlN 薄膜.用 X 射线衍射和 X 射线光电子谱对薄膜的晶体结构和电子结构进行了分析,结果表明,随着离子源中氮离子束流的增加,薄膜组成由面心立方的 Al 转变为密排立方的 AlN.氮离子在...本文采用氮离子束增强反应磁控溅射,在低温下沉积了 AlN 薄膜.用 X 射线衍射和 X 射线光电子谱对薄膜的晶体结构和电子结构进行了分析,结果表明,随着离子源中氮离子束流的增加,薄膜组成由面心立方的 Al 转变为密排立方的 AlN.氮离子在薄膜制备中的引入,有效地降低了沉积温度,提高沉积速率,并实现了薄膜 N/Al 化学计量比的控制.对 AlN 薄膜的紫外-可见光透射谱和红外吸收谱也进行了测定.展开更多
采用化学水浴法制备了ZnS薄膜,并从沉积ZnS薄膜的化学反应原理出发,对其结构和性能进行了综合研究。结果表明:随着沉积时间的增加,ZnS薄膜厚度增加,其光学透过率降低,薄膜的禁带宽度也随之变小,最小值为3.74 e V;而薄膜的粗糙度变化不大...采用化学水浴法制备了ZnS薄膜,并从沉积ZnS薄膜的化学反应原理出发,对其结构和性能进行了综合研究。结果表明:随着沉积时间的增加,ZnS薄膜厚度增加,其光学透过率降低,薄膜的禁带宽度也随之变小,最小值为3.74 e V;而薄膜的粗糙度变化不大,其值在6~9 nm之间。随着反应物浓度的增加,薄膜的光学透过率呈先增加后减小的变化,当反应物浓度过低或过高时,沉积反应都会向同质反应偏移,在薄膜表面生成杂质,导致薄膜不均匀。当沉积时间为120 min,ZnSO_4、SC(NH_2)_2和NH_3·H_2O的浓度分别为0.03、0.4和4.0 mol/L时,沉积的ZnS薄膜呈均匀致密结构,成分为单一ZnS相,其光学透过率在450~900 nm波段高于70%。展开更多
文摘本文采用氮离子束增强反应磁控溅射,在低温下沉积了 AlN 薄膜.用 X 射线衍射和 X 射线光电子谱对薄膜的晶体结构和电子结构进行了分析,结果表明,随着离子源中氮离子束流的增加,薄膜组成由面心立方的 Al 转变为密排立方的 AlN.氮离子在薄膜制备中的引入,有效地降低了沉积温度,提高沉积速率,并实现了薄膜 N/Al 化学计量比的控制.对 AlN 薄膜的紫外-可见光透射谱和红外吸收谱也进行了测定.