磁电复合结构磁场传感器灵敏度的电压调控研究

目的:实现外加激励电压调节磁电复合结构磁场传感器灵敏度的方法。方法:通过实验测量三层磁电复合结构磁电传感器,在压电调控层上施加不同电压时的磁电响应特性和灵敏度的变化。结果:无论是在静态还是在谐振状态,通过改变压电调控层的调控电压,均可以有效调节磁电传感器的灵敏度;在不同的谐振状态和不同的DC磁场段,外加调控电压调节传感器灵敏度变化的趋势不一样。特别是在共振频率为43 kHz的一阶弯曲共振模式,在调控电压变化400 V的范围内,传感器的灵敏度变化高达47.59%。结论:实验测量结果证实了压电调控层上外加调控电压调节磁电传感器灵敏度的可行性。