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化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用 被引量:1
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作者 易万兵 涂瑞能 +3 位作者 张炳一 吴谨 毛杜立 邹世昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期35-38,共4页
介绍了CVD技术的原理和分类。对不同种类的CVD薄膜进行了比较和分析,并主要讨论了 CVD绝缘介质薄膜在后段工艺中的应用。
关键词 化学气相淀积 集成电路制造 后段工艺
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