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化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用
被引量:
1
1
作者
易万兵
涂瑞能
+3 位作者
张炳一
吴谨
毛杜立
邹世昌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期35-38,共4页
介绍了CVD技术的原理和分类。对不同种类的CVD薄膜进行了比较和分析,并主要讨论了 CVD绝缘介质薄膜在后段工艺中的应用。
关键词
化学气相淀积
集成电路制造
后段工艺
下载PDF
职称材料
题名
化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用
被引量:
1
1
作者
易万兵
涂瑞能
张炳一
吴谨
毛杜立
邹世昌
机构
上海宏力半导体制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期35-38,共4页
文摘
介绍了CVD技术的原理和分类。对不同种类的CVD薄膜进行了比较和分析,并主要讨论了 CVD绝缘介质薄膜在后段工艺中的应用。
关键词
化学气相淀积
集成电路制造
后段工艺
Keywords
CVD
IC manufacturing
back-end process
分类号
TN304.052 [电子电信—物理电子学]
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
化学气相淀积在集成电路制造后段工艺中的应用
易万兵
涂瑞能
张炳一
吴谨
毛杜立
邹世昌
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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