AQL、LTPD以及“零缺陷”三种抽样检验的比较

抽样检验按照检验值的属性可以划分为计量抽样检验和计数抽样检验,而计数抽样检验又包括一次、二次以及多次抽样方案。文章主要介绍了计数型抽样检验中一次抽样方案的基本概念、抽样原理、表征参数、OC函数、OC曲线以及抽样方案辨别力指标。在此基础上,重点介绍了AQL抽样、LDPT抽样以及"零缺陷"抽样三种抽样检验方法的基本构架和检验流程。通过对三种抽样检验方法的分析对比,零缺陷抽样凭借其抽样方法简便、抽样方案经济、质量理念先进的特点,已经逐渐成为现代企业质量检验管理的潮流所向。

浅谈认证后质量工作的持续改进

质量管理是每个组织的重要管理内容。但不少组织在质量管理体系认证后主要的工作仍然是在维持其符合性、保住证书,而在体系的持续改进、充分发挥其有效性方面感到非常困惑,不知如何开展。文章就笔者多年的工作体会给出一些方法和建议。希望组织应更多地参照ISO9004指南,用科学的BCM目标管理方法带动质量管理和经营管理的结合,质量管理只有和经营管理密切结合才能长久不衰。另外还应开展全员参与的各种质量活动,坚持PDCA,真正使体系持续改善,为组织经营带来成果。

集成电路测试系统MSA方法探索

集成电路的测试过程是对产品功能、参数评估的重要环节,测试质量直接影响到对产品质量的判断。而测试质量又与测试系统本身的"五性"密切相关,所以要求对测试系统本身进行分析判定,即必须做MSA。但由于MSA的"五性"分析方法相对复杂,以及集成电路测试系统情况也相对比较复杂和特殊,如果完全照搬资料文献上的MSA方法用于集成电路测试系统分析,会给实际工作带来很多麻烦,而且各种文献资料关于"五性"分析的顺序说法不一。该文从实际工作出发,阐述了"五性"分析的基本概念,分析了集成电路测试系统MSA工作遇到的困难和困惑,给出了对集成电路的测试系统如何合理进行MSA的方法探索。

先进的小尺寸金属栅CMOS工艺开发

利用校准之后工艺模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MEDICI,采用工艺模拟与实际工艺流片相结合的方法对沟道尺寸为0．8μm-2μm之间的金属铝栅CMOS进行器件模拟、试验及分析,提出了相应的工艺及改进措施,确定了器件的结构、工艺等参数,提出了一个可行的工艺流程。通过对晶体管部分特征参数和电学特性的详细分析,最终获得了满意的设计参数和性能。同时通过对在此工艺平台下的各种端口的ESD保护结构进行试验与分析,找出满足2kV HBM模式的ESD保护结构与设计规则。

等离子过程引起的Si－SiO_2结构损伤评估

本文利用Ｃ－Ｖ测试的方法，研究了ＭＯＳ工艺中等离子过程对不同栅材料的Ｓｉ－ＳｉＯ＿２结构的影响，探讨了等离子损伤的形成机理，并就不同的退火条件进行评估。