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用于MEMS器件低压封装的单金属丝压力测试技术
1
作者
张敏
淦华
+2 位作者
官勇
缪旻
金玉丰
《电子器件》
CAS
北大核心
2013年第5期600-603,共4页
为实现MEMS微小腔体压强测量与监控,提出了基于单金属丝皮拉尼型低压测试方法。采用CFD-ACE+软件建立微型皮拉尼计有限体积模型,进行了仿真分析。基于四探针法原理,完成了不同尺寸和材料的金属丝压强测试和标定试验。测试结果表明:采用...
为实现MEMS微小腔体压强测量与监控,提出了基于单金属丝皮拉尼型低压测试方法。采用CFD-ACE+软件建立微型皮拉尼计有限体积模型,进行了仿真分析。基于四探针法原理,完成了不同尺寸和材料的金属丝压强测试和标定试验。测试结果表明:采用铂丝等单金属丝结构可以实现MEMS器件封装内部1 Pa^1 000 Pa压力检测。在测量范围内,金属丝直径越小,长度越长,加载电流越大,皮拉尼计灵敏度越高。
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关键词
MEMS
单金属丝压力测试
封装
微型皮拉尼计
四探针法
灵敏度
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职称材料
锡铅银填充TSV的热应力仿真
被引量:
1
2
作者
韩志成
淦华
+4 位作者
叶兰松
肖锦星
朱智源
张洪泽
郭靖
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第8期168-175,共8页
为了降低三维集成微系统热应力,本文设计了一种基于锡铅银合金作为TSV的填充金属、LTCC为基底的TSV芯片结构.基于此结构设计了4种不同TSV数量和分布的模型,模拟和分析TSV芯片在高温工作时,TSV数量和分布对TSV芯片热应力的影响.通过分析...
为了降低三维集成微系统热应力,本文设计了一种基于锡铅银合金作为TSV的填充金属、LTCC为基底的TSV芯片结构.基于此结构设计了4种不同TSV数量和分布的模型,模拟和分析TSV芯片在高温工作时,TSV数量和分布对TSV芯片热应力的影响.通过分析仿真结果,提出了降低TSV芯片热应力的设计建议.
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关键词
硅通孔
有限元
热应力
应变
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职称材料
一种基于低成本多层基板的T/R组件设计
被引量:
2
3
作者
李玲玉
淦华
吴昌勇
《电子信息对抗技术》
2019年第4期86-88,共3页
介绍了T/R组件的基本结构框图,并分析了其工作原理。用于脉冲工作条件下的T/R组件,需要足够的储能电容以提供大的峰值电流。给出了预估储能电容数量的计算公式。多层基板在满足高频应用的同时还可实现低成本设计,一种8通道的多层基板标...
介绍了T/R组件的基本结构框图,并分析了其工作原理。用于脉冲工作条件下的T/R组件,需要足够的储能电容以提供大的峰值电流。给出了预估储能电容数量的计算公式。多层基板在满足高频应用的同时还可实现低成本设计,一种8通道的多层基板标准模块已完成设计并加工,其也可作为T/R标准模块用于各种应用平台。基于所设计的多层基板模块,一种2W中功率脉冲T/R组件完成设计并测试。从测试结果可知,组件实现了良好的性能指标。
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关键词
多层基板
T/R组件
储能电容
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职称材料
题名
用于MEMS器件低压封装的单金属丝压力测试技术
1
作者
张敏
淦华
官勇
缪旻
金玉丰
机构
南京电子器件研究所
微米/纳米加工技术国家级重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2013年第5期600-603,共4页
文摘
为实现MEMS微小腔体压强测量与监控,提出了基于单金属丝皮拉尼型低压测试方法。采用CFD-ACE+软件建立微型皮拉尼计有限体积模型,进行了仿真分析。基于四探针法原理,完成了不同尺寸和材料的金属丝压强测试和标定试验。测试结果表明:采用铂丝等单金属丝结构可以实现MEMS器件封装内部1 Pa^1 000 Pa压力检测。在测量范围内,金属丝直径越小,长度越长,加载电流越大,皮拉尼计灵敏度越高。
关键词
MEMS
单金属丝压力测试
封装
微型皮拉尼计
四探针法
灵敏度
Keywords
MEMS
mono-metal-wire pressure test
package
Pirani gauge
four-probe method
sensitivity
分类号
TN409 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
锡铅银填充TSV的热应力仿真
被引量:
1
2
作者
韩志成
淦华
叶兰松
肖锦星
朱智源
张洪泽
郭靖
机构
西南大学电子信息工程学院
电子信息控制重点实验室
中国人民解放军
南京电子器件研究所
出处
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第8期168-175,共8页
基金
国家自然科学基金项目(62074132)
国家自然科学基金青年科学基金项目(61804132).
文摘
为了降低三维集成微系统热应力,本文设计了一种基于锡铅银合金作为TSV的填充金属、LTCC为基底的TSV芯片结构.基于此结构设计了4种不同TSV数量和分布的模型,模拟和分析TSV芯片在高温工作时,TSV数量和分布对TSV芯片热应力的影响.通过分析仿真结果,提出了降低TSV芯片热应力的设计建议.
关键词
硅通孔
有限元
热应力
应变
Keywords
Though Silicon Via(TSV)
finite element analysis
thermal-mechanical stress
thermal strain
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种基于低成本多层基板的T/R组件设计
被引量:
2
3
作者
李玲玉
淦华
吴昌勇
机构
电子信息控制重点实验室
出处
《电子信息对抗技术》
2019年第4期86-88,共3页
文摘
介绍了T/R组件的基本结构框图,并分析了其工作原理。用于脉冲工作条件下的T/R组件,需要足够的储能电容以提供大的峰值电流。给出了预估储能电容数量的计算公式。多层基板在满足高频应用的同时还可实现低成本设计,一种8通道的多层基板标准模块已完成设计并加工,其也可作为T/R标准模块用于各种应用平台。基于所设计的多层基板模块,一种2W中功率脉冲T/R组件完成设计并测试。从测试结果可知,组件实现了良好的性能指标。
关键词
多层基板
T/R组件
储能电容
Keywords
multi-layer substrate
T/R module
storage capacitor
分类号
TN821.8 [电子电信—信息与通信工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于MEMS器件低压封装的单金属丝压力测试技术
张敏
淦华
官勇
缪旻
金玉丰
《电子器件》
CAS
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
2
锡铅银填充TSV的热应力仿真
韩志成
淦华
叶兰松
肖锦星
朱智源
张洪泽
郭靖
《西南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
3
一种基于低成本多层基板的T/R组件设计
李玲玉
淦华
吴昌勇
《电子信息对抗技术》
2019
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
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