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退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响(英文)
被引量:
2
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作者
覃金牛
温喜章
+9 位作者
冯武昌
许望颖
朱德亮
曹培江
柳文军
韩舜
刘新科
方明
曾玉祥
吕有明
《深圳大学学报(理工版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期375-381,共7页
为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光等技术对ZnO-TFT进行表征。实验结果表明,具有400℃退火温度的Z...
为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光等技术对ZnO-TFT进行表征。实验结果表明,具有400℃退火温度的ZnO-TFT表现出最佳性能,迁移率为2.7cm^2/Vs,阈值电压为4.6V,开/关电流比为5×10^5,亚阈值摆幅为0.98V/Dec。电性能的改善可归因于载流子浓度的降低,ZnO膜结晶的增强,以及氧化物半导体层和绝缘层之间界面的改善。
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关键词
薄膜材料
ZNO
薄膜晶体管
退火温度
迁移率
界面
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职称材料
题名
退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响(英文)
被引量:
2
1
作者
覃金牛
温喜章
冯武昌
许望颖
朱德亮
曹培江
柳文军
韩舜
刘新科
方明
曾玉祥
吕有明
机构
广东省功能材料界面工程研究中心深圳市特种功能材料实验室深圳大学材料学院
出处
《深圳大学学报(理工版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期375-381,共7页
基金
National Natural Science Foundation of China(61704111,51872187,11774241,51371120)
Natural Science Foundation of Guangdong Province(2017A030310524)
Science and Technology Foundation of Shenzhen(JCYJ20170818143417082,JCYJ20170817100611468)~~
文摘
为研究退火温度(从室温到500℃)对ZnO薄膜和薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT)电性能的影响,使用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱和光致发光等技术对ZnO-TFT进行表征。实验结果表明,具有400℃退火温度的ZnO-TFT表现出最佳性能,迁移率为2.7cm^2/Vs,阈值电压为4.6V,开/关电流比为5×10^5,亚阈值摆幅为0.98V/Dec。电性能的改善可归因于载流子浓度的降低,ZnO膜结晶的增强,以及氧化物半导体层和绝缘层之间界面的改善。
关键词
薄膜材料
ZNO
薄膜晶体管
退火温度
迁移率
界面
Keywords
film materials
ZnO
thin-film transistor
annealing temperature
mobility
interface
分类号
TP322 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响(英文)
覃金牛
温喜章
冯武昌
许望颖
朱德亮
曹培江
柳文军
韩舜
刘新科
方明
曾玉祥
吕有明
《深圳大学学报(理工版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
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职称材料
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