伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文)

研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。

中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析

研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。

电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响

研究了GaAs HBT高能电子(～1MeV)辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电压均增大。因此认为,高能电子辐照造成的位移损伤在GaAs HBT集电区和BC结内诱生的大量复合中心使集电极串联电阻增大,以及BE、BC结内形成的复合中心俘获结内载流子使载流子浓度降低造成BE、BC结自建电势差下降是集电极饱和电压和残余电压增加的主要原因。

硅三极管电子辐照的残余电压效应

研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的。

基于光学干涉法的翻新电子元器件鉴别方法

翻新电子元器件存在重大质量隐患,对航天装备的质量和安全构成了严重威胁。为了确保装机电子元器件的质量和可靠性,结合翻新元器件的特点,提出了一种鉴别翻新元器件的无损检测方法。首先,阐述了翻新元器件的检测方法和原理,即通过光学干涉法定量测量器件上下表面的粗糙度,并根据二者之间的差异来判断器件表面是否经过翻新处理。然后,采用该方法对正常元器件和翻新元器件的表面粗糙度差异进行对比检测分析,并进行不确定度评定。结果表明,该方法可用于对翻新元器件进行高效准确鉴别。这为全面提升航天电子元器件的质量提供了新的检测手段。

基于WIN7的图像采集和质量分析系统设计

为提高图像采集质量的一致性,降低图像比对分析的难度,提升图像比对分析识别电子元器件真伪的试验效率,研究并设计了一套基于WIN7系统的图像采集和质量分析系统。该系统由acA2500-14gc相机、MLH-10X镜头、LED光源、电机、可编程逻辑控制器、计算机、以太网络等组成。验证及应用结果表明,该系统可快速采集电子元器件多角度的、清晰的、成像效果一致的图像,网络存储、调用过程稳定,并在软件中集成了不同图像间的比对分析功能,解决了电子元器件真伪识别的瓶颈问题,试验工作效率提升到60%以上。

基于液压模型的功率MOSFET有效输出电容测试方法

输出电容是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数.在开关应用中,根据输出电容Coss来确定器件的开关损耗具有一定的局限性.为了准确地评估器件的开关损耗,研究了功率MOSFET的有效输出电容Coer和Cotr及其测试方法.首先,以液压模型理论为基础阐述了器件参数Coer和Cotr的具体含义,并完成相应的测试电路设计.然后,建立了基于测试电路的数值计算模型;为了保证测试精度,模型中充分考虑了电压测试电路产生的负载效应.最终,采用该方法对器件的有效输出电容进行测试和计算.实验结果表明,该测试方法能对功率MOSFET的有效输出电容进行可靠测试.

光子集成电路发展综述

光子集成电路是推动光通信网络发展的关键技术。值此光子集成电路(PIC)的概念提出50周年之际,回顾使光子集成电路取得成功的基础性工作,以及从早期的InP PICs到如今的全集成多通道密集波分复用(DWDM)片上系统(SoC)PICs的发展历程。讨论当前最先进的商业多通道SoC PICs,展望了光通信领域InP PICs的主要发展趋势。

基于三维模型的InGaP/GaAs HBT单粒子效应仿真

为全面评估航天型号用元器件的抗辐射性能,对InGaP/GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)的单粒子效应进行了仿真研究。首先,介绍了空间辐射环境中重离子诱发器件产生单粒子瞬态脉冲的机理。然后,建立了InGaP/GaAs HBT器件三维仿真模型,并利用蒙特卡罗方法模拟了不同能量的C、F、Cl、Br、I等重离子在器件中的射程和LET值。最后,基于ISE-TCAD仿真软件对器件的单粒子瞬态脉冲电流曲线进行了仿真和分析。结果表明:重离子在器件中产生的集电极瞬态脉冲电流可达几百微安,集电极瞬态脉冲电流与重离子的能量成反比,与离子的原子序数成正比。由此可知,InGaP/GaAs HBT器件对单粒子效应比较敏感,且对不同重离子的敏感程度不同。这可以为航天型号用元器件的设计选型和可靠性评估提供技术支撑。

大功率电源转换器测试平台的设计

随着我国航天高速发展,电气系统电源架构和技术指标趋于多样化,作为核心元器件之一的电源转换器为电气系统提供高精度电压和大负载,其使用数量大幅增加。电源转换器呈现出电压、电流范围广、引脚接口多样化、精度与质量可靠性要求高等特点,逐渐暴露出传统测试平台在大功率电源转换器方面的测试问题,主要表现为测试精度低。通过高性能接口创新设计研究工作解决大功率电源转换器结构复杂、引脚接口多样化、电压高、电流大、精度高等检测难点,实现准确高效测试评价。

元器件长期储存可靠性规律研究

阐述进口元器件的超期使用引出的电子产品可靠性问题,分析进口元器件长期储存后出现的失效状况,电子元器件长期储存的可靠性规律,从而对元器件的长期储存以及超期质量控制提出建议。

基于ATE提高带载条件下输出电压测试精度的分析

阐述在使用自动测试系统(ATE)对部分数字电路进行输出带载能力测试时,因外部阻抗变化引起输出测量结果存在偏差的问题,介绍了一种通过使用ATE内部资源降低测试偏差的解决方案。

国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究

研究了两种国产星用VDMOS器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应,探讨了器件的阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等电参数随累积剂量、退火时间的变化关系.实验结果表明这两种国产星用VDMOS器件辐照后电参数符合技术指标,满足在复杂空间电离辐射环境下工作的要求.此外,通过对器件在不同偏置条件下的总剂量辐射损伤效应进行研究,对其他型号星用VDMOS器件工艺和设计的进一步改进,具有参考作用.

塑封光电耦合器开封方法研究

基于常规开封方法分析,对比塑封光电耦合器与其他塑封器件不同的结构,验证不同开封方法对塑封光电耦合器的适用性,以X射线检查和激光切割等作为手段,实现对塑封光电耦合器的无损开封。

叠层封装元器件在航天领域中的应用

分析表明,在航天领域,为适应单机产品小型化的要求,叠层封装的存储器已经得到了广泛应用。阐述PoP结构的元器件具有集成度高、小型化、轻量化的优点,在航天领域对产品的可靠性的更高要求,探讨PoP结构元器件,分析它的热负载和振动可靠性,提出有针对性的可靠性试验项目。

A3型封装器件冲击、振动环境试验载具的设计

阐述A3型圆形封装器件振动、冲击试验载具的设计方法,设计优化点,实现方法,试验载具的实现,从而解决了A3型圆形封装器件振动、冲击可试验的问题,对该型器件在工程的应用起到有效作用。