硅在KOH溶液中各向异性腐蚀机理的研究

本文应用碰撞理论研究了硅在ＫＯＨ溶液中各向异性腐蚀的机理。结果表明，硅在ＫＯＨ溶液中的各向异性腐蚀速率不但与硅材料晶面原子密度差异有关，而且还与活化离子ＯＨ－数有关，活化粒子数与成正比。应用本文给出的腐蚀机理能满意解释硅在ＫＯＨ溶液中各向异性腐蚀的实验结果。

采用MEMS技术制造硅磁敏三极管

阐述了采用MEMS技术与反外延技术相结合在硅片表面制造具有矩形板状立体结构的硅磁敏三极管的设计原理、结构和工艺。结果表明 ,设计的硅磁敏三极管制造技术不但能与IC工艺相兼容 ,而且便于集成化 ,将有广泛的应用领域。

P^+πN^+器件压磁电效应的研究

用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P^+πN^+器件的压磁电效应,给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果表明,当四个P^+πN^+器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥,制造在C型硅杯的硅膜片上,不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度,而且可以用来测量磁场的旋转角度.据此,提出了一种新的具有良好工作稳定性及较高灵敏度的压/磁敏感器件.

硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的异同

<正>本文在文献(1~5)的基础上,进一步应用碰撞理论研究了硅在KOH溶液和EPW中各向异性腐蚀的机理,并给出了硅在这两种腐蚀液中各向异性腐蚀速率的实验结果.

利用MEMS研制微型气流传感器的特性研究

本文在介绍采用硅微电子机械加工系统制造硅微型气流传感器的结构和工作原理的基础上。

纳米电子学研究与展望

本文在阐述纳米科学技术概念、意义和内涵的基础上，着重展望了 ２１世纪纳米电子学研究与发展的几个主要领域和发展前景．

大学工科专业课教学改革与产学研的关系

本文探讨大学工科专业课教学改革与产学研相互依存、相互浸透、相互促进、相得益彰、相辅相成的关系和特点。这不但对高等院校理工科专业教师提高学术水平和教学质量有借鉴作用 ,而且对新时期高等院校理工科专业的素质教育也有一定的意义。

非对称基区梳状温度补偿晶体管设计原理

本文提出了一种非对称基区梳状温度补偿晶体管的设计原理,并给出了这种晶体管基极电阻比η的计算公式.理论分析与实验结果表明,采用本文给出的公式确定基极电阻比η,所设计的非对称基区梳状晶体管,对半导体敏感元器件灵敏度温漂进行补偿时有最佳的补偿效果.

基于MEMS技术研制RF硅基微电感线圈

在分析了硅基上金属线圈的串联电阻、金属层厚度等在低频和高频的情况下对Q的影响及原因的基础上,提出了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法。设计了硅基电感的版图尺寸和相关的工艺流程,用IntelliSuite软件模拟验证了工艺流程的可能性,再利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电流与磁感应强度的关系、衬底涡流分布等,为平面电感的理论与实验的进一步比较分析提供了参考依据。在研制过程中发现影响电感性能好坏的主要因素是衬底涡流效应,为此提出了在矩形硅杯膜上制作电感的方法,为了进一步减薄金属电感线圈衬底的厚度,在硅杯膜背面采用激光打孔得到了膜厚约为5μm的衬底,从而可以使衬底中的涡流大幅度减少、电感的Q值得到很大提高。此外,提出的新制造方法采用了绝缘性能比SiO2好的Al2O3薄膜作为电感线圈与衬底之间的绝缘层。结果表明,设计的平面螺旋电感具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用前景。

基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究(英文)

设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量,实验结果表明在磁场B=0.1T时,这种新型结构给出高的磁灵敏度即△Ic/Ic0≈20%,并且有很好的电控制特性。该磁敏晶体管的槽形复合区采用MEMS技术制造。

电磁谐振式微泵电感线圈组件的研究

提出了一种电磁谐振式微泵电感线圈组件的新制造方法,该方法在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金膜形成的欧姆接触电极作为内引线.我们设计了硅基电感的结构和相关的工艺流程,再利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电流与磁感应强度的关系、衬底涡流分布等,为平面电感的理论与实验的进一步比较分析提供了参考依据.我们在硅杯背面采用激光打孔得到了膜厚约为5μm的硅膜,从而可以使衬底中的涡流大幅度减少、电感的Q值得到很大提高.本文提出的新制造方法采用了绝缘性能比SiO2好的Al2O3薄膜作为电感线圈与衬底之间的绝缘层.实验结果表明,本文设计的平面螺旋电感具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用前景.

电化学式氧传感器寿命模型

通过电化学式氧传感器试验测试,研究其寿命特征,在此基础上,分析电化学氧传感器失效规律,给出引起电化学式氧传感器失效的主要因素。研究结果为电化学式氧传感器失效分析提供了分析手段。

智能测井流速传感器的研制

阐述了采用应变式不锈钢膜片设计智能测井流速传感器的原理、结构设计、信号放大电路、电压／频率变换电路、电源载波调制电路的设计原理和工作特点，提出了一套智能化油井注入液体流速检测方案。实验结果表明，该技术方案可行，并展望了在石油生产中的应用和发展前景。

微泵硅膜振动拾振传感器的设计

设计了一种微泵硅膜振动拾振传感器.该传感器采用了非对称基区梳状温度补偿晶体管,并提出了恰当设计SiO2膜和Al膜的厚度对零点温度漂移有极小值是非常重要的.实验结果表明,本文设计的微泵硅膜振动拾振传感器结构合理并且适合各种硅微泵、具有温度补偿功能,在-10℃-50℃的范围内,灵敏度的温度系数为0.2%.还具有灵敏度高、制造工艺相对简单、与MEMS工艺相兼容、使用寿命长的优点,有广泛的应用前景.

多晶硅电阻负阻特性理论分析(英)

本文提出了晶粒间界电流调整的新概念。讨论了晶粒间界的少数载流子复合以及晶粒间界的少数载流子迁移率和寿命。利用新概念对多晶硅电阻负阻特性给出了初步的理论分析。

PTC电阻热耗实验仪研制

本文阐述了ＰＴＣ电阻热耗散实险仪的结构和原理。实验结果表明，该实验仪可以调控ＰＴＣ电阻在机油中的运动速度，当ＰＴＣ电阻速度增加时，通过ＰＴＣ电阻的电流则按指数规律增加。

自旋阀多层膜巨磁电阻的研制

阐述了多层膜巨磁电阻自旋阀的设计原理和采用金属掩膜版磁控溅射的方法研制多层膜巨磁电阻自旋阀的工艺.制造的多层膜巨磁电阻采用[Co/Cu/Co]三重结构.同时分析了制备的Cu、Co纳米膜的形貌以及利用自旋阀GMR传感器测试得到的实验校准数据并绘制出输出-输入曲线.实验结果表明,制造的巨磁电阻提高了低场下的磁灵敏度,可以用来检测不同方位地磁场的大小,用该方法制造巨磁电阻的迟滞为0.01%F.S.文中介绍的多层膜巨磁电阻制造方法具有工艺简单、可与IC工艺相兼容的优点,有推广应用前景.

油井注入液体流速检测模拟实验装置研制

本文介绍一种用于科研及实验的油井注入液体流速检测装置,该装置模拟油田井管中液体流速状态,包括控温水箱、水管、水泵组、电磁流量计、温度传感器和控温显示电路等.经多次实验表明,该装置能够满足井下液体流速传感器实验室标定的要求.

基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究

采用直流磁控溅射法在p型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和I-V特性影响。实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强。