GaN异质外延中的侧向生长技术

以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外延层中位错密度较高的主要原因。侧向生长(ELOG)技术是GaN异质外延中降低位错密度的一种有效方法,总结了该项技术的特点,并对单步ELOG技术、双步ELOG技术、悬空ELOG技术以及无掩膜ELOG技术等多种技术趋势进行了总结。ELOG技术可以有效降低位错密度,但是仍需降低工艺复杂性和减少沾污。

高集成多路低相噪点频源设计

针对目前电子设备对多路低相噪点频源的小型化需求,通过对几种方案进行对比分析选定最佳方案。对输出功率、相位噪声、杂散抑制、谐波抑制、相位一致性等关键指标的实现方式进行阐述,利用仿真软件对关键电路局部仿真。最终通过实物测试,验证了方案的可行性。