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题名双结雪崩对PiN二极管雪崩耐量的影响
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作者
关艳霞
周悦
游佩武
潘福泉
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
扬州扬杰电子科技股份有限公司
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出处
《变频技术应用》
2013年第2期49-51,共3页
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文摘
本文通过对PiN二极管在不同反向雪崩电流下空间电荷区电场分布的仿真分析,研究了电场分布与反向电流之间的关系,当反向电流达到一定值时,电场分布出现两个尖峰-p^+n结的电场尖峰和nn^+结的电场尖峰。一旦nn^+结出现雪崩倍增,反向雪崩电流就出现正反馈,产生电流的局部集中。通过电流与温度分布的仿真分析,得出雪崩耐量将随反向电流的增加而减小。在有场效应环结构的二极管中,由于边缘位置首先发生雪崩,因此失效多在边缘,该分析结果与实际测试现象相吻合。
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关键词
PIN二极管
雪崩能量
双结雪崩
电流集中
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Keywords
PIN diode
maximum reverse avalanche breakdown energy
current filament
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分类号
TN31
[电子电信—物理电子学]
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题名试论PiN二极管雪崩电压公式
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作者
游佩武
关艳霞
潘福泉
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机构
扬州扬杰电子科技股份有限公司
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《电源技术应用》
2012年第7期30-33,43,共5页
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文摘
对功率整流二极管必须具有的雪崩特性,进行了详细分析与论述,界定了二极管雪崩性状,叙述了雪崩二极管的3个基本特点和雪崩的一般原理,进而在截面电阻率均匀度的认识基础上给出了可行的二极管雪崩电压公式,说明了影响二极管雪崩的因素,为雪崩二极管的生产与制造工艺改进指明了方向。
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关键词
二极管
雪崩特性
电压公式
雪崩因素
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Keywords
diode
avalanche characteristics
voltage equation
avalanche factor
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分类号
TN312.7
[电子电信—物理电子学]
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题名试论PiN二极管雪崩电压公式
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作者
游佩武
关艳霞
潘福泉
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机构
扬州扬杰电子科技股份有限公司
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《变频技术应用》
2012年第5期49-52,共4页
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文摘
对功率整流二极管必须具有的雪崩特性,进行了详细分析与论述,界定了二极管雪崩性状,叙述了雪崩二极管的3个基本特点和雪崩的一般原理,进而在截面电阻率均匀度的认识基础上给出了可行的二极管雪崩电压公式,说明了影响二极管雪崩的因素,为雪崩二极管的生产与制造工艺改进指明了方向。
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关键词
二极管
雪崩特性
电压公式
雪崩因素
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Keywords
diode
avalanche characteristics
voltage equation
avalanche factor
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分类号
TN31
[电子电信—物理电子学]
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题名CAL技术在现代FRD中的应用
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作者
宝钒
游佩武
裘立强
关艳霞
潘福泉
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机构
扬州杨杰电子科技股份有限公司
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《电源技术应用》
2016年第8期1-6,共6页
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文摘
叙述了现代FRD的最关键技术就是运用CAL技术控制基区寿命,给出了这一技术的原理,成功运用这一技术制造了 15 A/1 200 V.20 kH Z 快软恢复二极管,进一步阐明了应用CAL技术给FRD 带来的十大根本变革.
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关键词
FRD
CAL技术
软度因子
质子辐照
铂汲取
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Keywords
FRD
CAL technology
soft factor
proton irradiation
platinum gettering
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分类号
TN31
[电子电信—物理电子学]
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