PTC陶瓷用钛酸钡粉体材料的质量要求──《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》评述

根据我国最近制定的《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》规定的钛酸钡粉体材料预定用途和理化性能指标，评述了各类质量等级的钛酸钡粉体材料在ＰＴＣ陶瓷方面的应用范围，解释了某些理化性能指标在ＰＴＣ陶瓷配方设计和工艺中的实用意义。

BaO-Nd_2O_3-Sm_2O_3-TiO_2四元系微波介质陶瓷

本文研究了Ｂｉ２Ｏ３、ＰｂＯ及Ｓｍ２Ｏ３对ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２（简称ＢＮＴ）系陶瓷材料微波性能的影响。实验表明，在ＢＮＴ系材料中掺入Ｂｉ２Ｏ３或ＰｂＯ可降低材料的频率温度系数τｆ，但同时也使材料的ｔｇδ增大。采用Ｓｍ取代部分Ｎｄ，形成ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－Ｓｍ２Ｏ３－ＴｉＯ２（简称ＢＮＳＴ）四元系陶瓷材料，可有效降低材料的τｆ，改善频率温度稳定性，而不会降低材料的品质因素Ｑ０。当Ｓｍ２Ｏ３∶Ｎｄ２Ｏ３＝７∶３（ｍｏｌ比）时，可得到εｒ＝８０．８０，ｔｇδ＝２．９２×１０－４（２７ＧＨｚ测），τｆ＝２３．６３ｐｐｍ／℃的高性能ＢＮＳＴ四元系微波介质陶瓷材料。

铝单醇盐Sol-Gel法合成镁铝尖晶石纳米粉及烧结行为的研究

以四氢呋喃作稳定剂,通过异丙醇铝在硝酸镁溶液中水解的Sol-Gel过程合成了MgAl2O4尖晶石纳米粉体,采用DTA、XRD及TEM等分析手段研究了其前驱体的晶化过程和不同煅烧温度对尖晶石粉体晶粒尺寸及烧结性能的影响。结果表明,该方法能明显降低MgAl2O4的合成温度,在900℃已能得到单一尖晶石相纳米粉体,一次粒子平均粒径约为20nm。并且,900℃煅烧的粉体烧结活性最高,在1600℃烧结即能获得相对密度为99％的致密尖晶石陶瓷。

B位离子共沉-煅烧法制备Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3微波陶瓷材料

采用钽镁共沉淀法制备ＭｇＴａ２Ｏ６粉体，然后与ＢａＣＯ３粉体混合制备Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３（简称ＢＭＴ）微波陶瓷材料．成功地解决了ＴａＣｌ５溶解问题．对钽镁共沉条件和粉体热分解工艺与粉体的平均粒径和钽镁比例关系；ＢＭＴ陶瓷制备工艺与材料的微观结构和微波性能关系进行了研究．制备的ＭｇＴａ２Ｏ６晶相粉体平均粒径为０．３μｍ，最大与最小粒径比为５．制备的ＢＭＴ陶瓷几乎不含ＢａＴａ２Ｏ６等杂相，无载Ｑ值可达５４００（１０ＧＨｚ下）

Sol-Gel法制备全组分高温PTC陶瓷材料

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备全组分高温ＰＴＣ陶瓷材料，与常规固相反应法相比，对于相同配方和烧结工艺，可明显降低高温ＰＴＣ陶瓷材料的电阻率。

金融网络安全防范的制度空间

网络技术的迅速发展加快了金融业的电子化进程.人们在较多的谈论电子化所产生的减轻工作强度、提高工作效率等正面效应的同时,对伴随电子化产生的新型金融犯罪形式--计算机金融犯罪等负面效应却论及较少.

银行受益大集中

2001年1 1月,建设银行福建省分行完成了全省数据大集中工作,向信息化、网络化、集约化经营管理迈出了关键的一大步。至今,大集中系统已平稳运行近两年,它带来的效益已慢慢显现。

BaTiO_3系陶瓷电压非线性特性研究

对ＢａＴｉＯ３ － ＢａＺｒＯ３ ，ＢａＴｉＯ３ － ＢａＳｎＯ３ ，ＢａＴｉＯ３ － ＳｎＯ２ ，ＢａＴｉＯ３ － ＳｒＴｉＯ３ 非线性陶瓷材料的介电性能（ε，ｔａｎδ） 与外加直流偏置电场、交流电场、测试频率、环境温度的关系进行了研究． 结果表明，这些材料均具有较强的电压非线性特性．ＢａＺｒ０ ．１３Ｔｉ０．８７Ｏ３ ，ＢａＳｎ０ ．０６Ｔｉ０．９４Ｏ３ 在直流偏压下ε可变化１．５～２ ．７ 倍；在交流电压下ε可变化２ ～２ ．５ 倍，且具有高介电常数（ε＝ ２ ０００～３ ５００） 、较高抗电强度（＞ ２ ５００ Ｖ／ｍ ｍ），可用作开关电源ＲＣＤ 保护电路的非线性陶瓷电容器和荧光灯无触点起辉器材料．Ｂａ１－ ｘＳｒｘＴｉＯ３（ ｘ＝ ０．６～０ ．７）在直流偏压下ε变化２０ ％ 左右，且具有高抗电强度（ ≥４ ０００ Ｖ／ｍ ｍ）、适中的介电常数、低介质损耗、较好的频率特性和稳定的温度特性，因而可用作相控阵天线陶瓷移相器介质． 实验还发现，加正、反两方向直流偏压时，材料的ε－ Ｅｂｉａ曲线不重合．

钽酸锶铋陶瓷的锆钛酸铅纳米粉掺杂改性研究

采用两步固相反应法,制备锆钛酸铅(PZT)纳米粉掺杂的钽酸锶铋(SrBi2Ta2O9,简写为SBT)陶瓷。研究了显微结构和电性能,并与未掺杂的SBT陶瓷进行比较。经测试分析表明:PZT纳米粉掺杂后的SBT陶瓷具有高度的c轴取向,其铁电与介电性能表现出明显的各向异性,其极化强度2Pr可达 21.6?06 C / cm2,矫顽场强Ec为 60.3?03 V / cm。