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托法替布联合甲氨蝶呤治疗类风湿性关节炎的临床效果
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作者 邓琼 徐朝焰 游雪兰 《临床合理用药杂志》 2024年第11期105-107,共3页
目的 观察托法替布联合甲氨蝶呤治疗类风湿性关节炎的临床效果。方法 选取2020年2月—2021年3月福建医科大学附属三明第一医院收治的类风湿性关节炎患者100例,按照随机数字表法分成联合组和单药组,每组50例。联合组予托法替布联合甲氨... 目的 观察托法替布联合甲氨蝶呤治疗类风湿性关节炎的临床效果。方法 选取2020年2月—2021年3月福建医科大学附属三明第一医院收治的类风湿性关节炎患者100例,按照随机数字表法分成联合组和单药组,每组50例。联合组予托法替布联合甲氨蝶呤治疗,单药组予甲氨蝶呤治疗,2组均治疗3个月。比较2组临床疗效,治疗前后实验室相关指标[类风湿因子(RF)、红细胞沉降率(ESR)、C反应蛋白(CRP)]水平、疾病改善情况[28个关节疾病活动度评分(DAS28)、斯坦福健康评估量表(HAQ)评分]及不良反应。结果 联合组总有效率为94.00%,高于单药组的78.00%(χ^(2)=5.316,P=0.021)。治疗3个月后,2组RF、ESR、CRP水平低于治疗前,且联合组低于单药组(P均<0.01);2组DSA28、HAQ评分低于治疗前,且联合组低于单药组(P均<0.01)。联合组不良反应总发生率为4.00%,低于单药组的18.00%(χ^(2)=5.005,P=0.025)。结论 相较于甲氨蝶呤单药治疗,联合托法替布治疗类风湿性关节炎可提高疗效,能较大程度地改善相关指标,缓解临床症状,降低炎性反应,且不良反应发生率较低,安全性较高。 展开更多
关键词 类风湿性关节炎 托法替布 甲氨蝶呤 临床疗效
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内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较 被引量:8
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作者 游雪兰 吴郁 +3 位作者 胡冬青 贾云鹏 张彦飞 亢宝位 《电子器件》 CAS 2009年第3期529-533,共5页
首次对600V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较。ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区... 首次对600V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较。ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果。仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT。说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径。 展开更多
关键词 内透明集电极 ITC-IGBT PT-IGBT FS-IGBT
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第六代1200V槽栅FS-IGBT模块 被引量:2
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作者 游雪兰 吴郁 张彦飞 《电力电子》 2008年第3期50-54,共5页
本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装... 本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V-150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。 展开更多
关键词 IGBT模块 槽栅 模块技术 封装技术 噪声辐射 模块设计 集成模块 额定值
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第六代1200V槽栅FS-IGBT模块
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作者 游雪兰 吴郁 张彦飞 《变频器世界》 2008年第9期61-64,共4页
本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装... 本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V- 150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。 展开更多
关键词 IGBT模块 槽栅 模块技术 封装技术 噪声辐射 模块设计 集成模块 额定值
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用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
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作者 游雪兰 吴郁 +2 位作者 张彦飞 Jan Thalheim Heinz Redi 《电力电子》 2007年第6期37-40,共4页
如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了... 如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化,以便适应不同种类的IGBT,其应用范围可以达到150A—3600A,1200V-6500V,并且可以为用户的专门用途进行预置。 展开更多
关键词 功率MOSFET IGBT 栅驱动器 通用芯片 高压大电流 开关特性 可扩展性 集成化
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用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
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作者 游雪兰 吴郁 张彦飞 《变频器世界》 2008年第1期54-57,共4页
如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了... 如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化,以便适应不同种类的IGBT,其应用范围可以达到150A—3600 A,1200 V—6500 V,并且可以为用户的专门用途进行预置。 展开更多
关键词 IGBT 功率MOSFET 栅驱动器
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硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展 被引量:17
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作者 张彦飞 吴郁 +1 位作者 游雪兰 亢宝位 《电子器件》 CAS 2009年第3期538-546,共9页
综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展。介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明。
关键词 功率器件 结终端 击穿电压
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用于可持续发展的电能变换器应用的功率器件
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作者 张彦飞 吴郁 游雪兰 《电力电子》 2008年第3期12-18,共7页
本文第一部分评论了当前最新的一些关键技术,涉及功率器件的进展和它们对功率变换应用的贡献,重点放在IGBT和智能功率模块技术上。后一部分讨论了功率模块发展的新领域,包括满足未来应用需要的SiC功率器件的前景。
关键词 功率器件 电能变换器 可持续发展 应用 模块技术 功率变换 IGBT 功率模块
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线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC):理论研究、测试和仿真 被引量:2
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作者 张彦飞 游雪兰 吴郁 《电力电子》 2008年第1期37-41,共5页
本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。
关键词 功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区 迁移率模型 沟道
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感染性关节炎诊断分析
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作者 徐朝焰 林长艺 +7 位作者 叶达梅 吴培埕 宋明辉 刘有添 邓琼 黄雪艳 范忠晓 游雪兰 《北京大学学报(医学版)》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期1234-1237,共4页
感染性关节炎是一种并不少见的关节疾病,年发病率为(2~6)/10万[1-3]。典型的临床表现可有高热、关节严重红肿热痛,治疗不及时可导致关节破坏和功能障碍,严重影响生活,严重者甚至可危及生命。临床上,感染性关节炎并不总是呈现典型表现,... 感染性关节炎是一种并不少见的关节疾病,年发病率为(2~6)/10万[1-3]。典型的临床表现可有高热、关节严重红肿热痛,治疗不及时可导致关节破坏和功能障碍,严重影响生活,严重者甚至可危及生命。临床上,感染性关节炎并不总是呈现典型表现,容易误诊和漏诊。我们近年来诊治了一些临床表现不典型的病例,现回顾性分析其资料,以总结临床诊治经验。 展开更多
关键词 关节炎 感染性 细菌学检查 诊断
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