利用射频磁控溅射法制备多层MoS2薄膜

利用射频磁控溅射法结合退火工艺制备了多层结构的MoS2薄膜。优化溅射功率和工作气压条件,在溅射功率为30 W、工作气压为1.0 Pa条件下制备了致密度良好的MoS2薄膜,X射线衍射测量结果表明这种原生的薄膜是非晶态的。对原生的MoS2薄膜在高纯氮气氛围下进行不同温度条件的退火,X射线衍射和拉曼散射测量结果表明,退火温度达到550℃时,MoS2薄膜开始结晶化;温度为650℃时,出现MoS2晶粒;当退火温度达到800~950℃时,薄膜转变成连续的多层MoS2薄膜,多层膜的X射线衍射峰半高宽为0.384°。这一结果表明,射频磁控溅射法结合热退火是一种制备多层MoS2薄膜的简单易行的方法。

对胶体球光刻中单层胶体晶体曝光特性的研究

对胶体球光刻中单层胶体晶体(MCC)的曝光特性进行了研究。利用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上生长SiO2薄膜并旋涂光刻胶,通过固液界面自组装的方法在光刻胶上制备了单层胶体晶体。胶体球光刻利用单层胶体晶体作为微透镜阵列,通过紫外曝光的方法在光刻胶上制备微孔阵列。光刻胶上图形的周期性与胶体球的直径有关,并且大直径的胶体球的聚光性能要强于小直径胶体球,在曝光过程中随着曝光时间的增加,由于曝光量的增加以及光刻胶的漂白现象,光刻胶上微孔的尺寸也在增加。最后以曝光后的光刻胶为掩膜,将感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP)以及湿法腐蚀相结合,制备出了图形化蓝宝石(PSS)衬底。