期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors 被引量:3
1
作者 毛容伟 左玉华 +6 位作者 李传波 成步文 滕学公 罗丽萍 张合顺 于金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期271-275,共5页
A novel bonding method using silicate gel as bonding medium is developed.High reflective SiO 2/Si mirrors deposited on silicon substrates by e-beam deposition are bonded to the active layers at a low temperature of ... A novel bonding method using silicate gel as bonding medium is developed.High reflective SiO 2/Si mirrors deposited on silicon substrates by e-beam deposition are bonded to the active layers at a low temperature of 350℃ without any special treatment on bonding surfaces.The reflectivities of the mirrors can be as high as 99 9%.A Si-based narrow band response InGaAs photodetector is successfully fabricated,with a quantum efficiency of 22 6% at the peak wavelength of 1 54μm,and a full width at half maximum of about 27nm.This method has a great potential for industry processes. 展开更多
关键词 RCE photodetector high quantum efficiency direct bonding bonding medium INGAAS
下载PDF
硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究 被引量:3
2
作者 毛容伟 成步文 +5 位作者 李传波 左玉华 滕学公 罗丽萍 余金中 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1783-1787,共5页
制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.
关键词 共振腔增强型探测器 介质键合 INGAAS 可调谐 高频响应
下载PDF
半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析 被引量:1
3
作者 韩培德 杨海峰 +2 位作者 张泽 段树坤 滕学公 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期736-739,共4页
运用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HREM)对金属有机化学气相沉积(MOCVD)的(0001)GaN/(111)MgAl2O4异质结构中的缓冲层进行了观察和分析。
关键词 外延生长 氮化镓 缓冲层 透射电子显微镜
下载PDF
多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰 被引量:4
4
作者 夏永伟 滕学公 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期318-320,共3页
通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化.第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度均小于10um.讨论了形成计形峰的可能机理.
关键词 多孔硅膜 光谱 可见光
下载PDF
染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性 被引量:1
5
作者 夏永伟 李国花 +1 位作者 滕学公 樊志军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期681-685,共5页
用氯氟酸硝酸水溶液对硅单晶抛光片进行染色腐蚀,制备了多孔硅.本文研究染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性,特别是激发光强度和波长与发射光强度与波长的关系,多孔硅的稳定性和响应特性.
关键词 多孔硅 光致发光 可见光 染色腐蚀
下载PDF
GaAs/AlGaAs光子平行存贮器的性能
6
作者 夏永伟 滕学公 +2 位作者 李国花 樊志军 王守武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期131-135,共5页
本文报告用PnpN型GaAs/AlGaAs结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和4×4阵列器件的特性.单元器件的最小维持功耗小于30μW.使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于80μW.... 本文报告用PnpN型GaAs/AlGaAs结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和4×4阵列器件的特性.单元器件的最小维持功耗小于30μW.使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于80μW.单元面积160×160μm、间距40μm的存贮器4×4原理性阵列已经研制成功,这是0.85μm波长范围的光子平行存贮器的首次报道. 展开更多
关键词 光子平行存储器 砷化镓 ALGAAS 存储器 性能
下载PDF
Pd—MOSFET氢敏元件与周边电路集成化兼容性研究
7
作者 陆文兰 滕学公 《上海半导体》 1990年第2期15-17,共3页
关键词 P^d-MOSFET 氢敏元件 周边电路
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部