硅基1.55μm共振腔增强型探测器(英文)

报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有源区上 ,键合温度为 35 0℃ ,无需特殊表面处理 ,反射镜的反射率可以高达 99 9%以上 ,制作工艺简单 ,价格便宜 .并获得硅基峰值响应波长为 1 5 4 μm ,量子效率达 2 2 6 %的窄带响应 ,峰值半高宽为 2 7nm .本方法有望用于工业生产 .

硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究

制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.

半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析

运用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）对金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的（０００１）ＧａＮ／（１１１）ＭｇＡｌ２Ｏ４异质结构中的缓冲层进行了观察和分析。

多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰

通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件，研究了它的发光峰形状的变化．第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱，其半峰值宽度均小于１０ｕｍ．讨论了形成计形峰的可能机理．

染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性

用氯氟酸硝酸水溶液对硅单晶抛光片进行染色腐蚀，制备了多孔硅．本文研究染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性，特别是激发光强度和波长与发射光强度与波长的关系，多孔硅的稳定性和响应特性．

GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能

本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．