Si基长波长GeSiHPT探测器的研制

随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。

一种显示LiGaO_2晶体极性和缺陷的腐蚀液

GaN及其合金具有大的带隙 ,高的热导和强的化学键 ,是制作短波长光电器件和高温电子器件重要的半导体材料 ,受到人们很大的关注。近年来 ,GaN器件已取得了快速进展 ,LED已经商品化。但对高性能的激光器和电子器件 ,GaN薄膜的质量急待进一步提高 ,GaN薄膜的衬底材料是影响其性能的一个重要因素。目前 ,广泛使用的是蓝宝石 (α Al2 O3 ) ,它与GaN的晶格失配高达 1 3% ,热匹配特性也不好。因此 ,探索与GaN的晶格失配较小的衬底一直受到重视。LiGaO2 属于正交晶系 ,它与六方GaN晶格失配的平均值约为 0 .9% ,且在可见光与紫外光区都具有高度的透明性 ,因此成为生长六方晶体GaN诱人的候选材料。然而 ,由于LiGaO2 本身沿c轴的极性结构和一些特点 ,要获得良好的受控GaN薄膜 ,尚需要在外延工艺和衬底材料质量的提高上同时下些功夫。我们用MOCVD方法在多畴 ( 1 1 1 )LiGaO2 上进行了两畴均不“剥皮”的六方GaN薄膜生长。为了提高GaN薄膜质量 ,研究衬底材料的极性以及缺陷对薄膜性能的影响 ,就显得很重要。化学腐蚀是一种方便而且直观的显示晶体缺陷的方法 ,本文在通常使用的氧化性腐蚀液的基础上 ,提出了还原性腐蚀液的使用。提高了腐蚀速度和对结构缺陷的辨认率 ,有利于认识衬底材料对GaN薄膜性能的影响。( 1 )