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高灵敏触发晶闸管的设计和制造
被引量:
1
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作者
孔德平
王锡祺
潘余健
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期30-31,共2页
本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。
关键词
触发晶闸管
设计
制造
闸管
下载PDF
职称材料
结构改进的高压VDMOS功率晶体管
2
作者
孔德平
张本袁
+1 位作者
王锡祺
潘余健
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期22-24,共3页
本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
关键词
功率晶体管
晶体管
VOMOS
下载PDF
职称材料
题名
高灵敏触发晶闸管的设计和制造
被引量:
1
1
作者
孔德平
王锡祺
潘余健
机构
东南大学电子工程系
江苏省宜兴市半导体厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期30-31,共2页
文摘
本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。
关键词
触发晶闸管
设计
制造
闸管
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
结构改进的高压VDMOS功率晶体管
2
作者
孔德平
张本袁
王锡祺
潘余健
机构
东南大学电子系
宜兴市半导体厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期22-24,共3页
文摘
本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
关键词
功率晶体管
晶体管
VOMOS
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高灵敏触发晶闸管的设计和制造
孔德平
王锡祺
潘余健
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
1
下载PDF
职称材料
2
结构改进的高压VDMOS功率晶体管
孔德平
张本袁
王锡祺
潘余健
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
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