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高灵敏触发晶闸管的设计和制造 被引量:1
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作者 孔德平 王锡祺 潘余健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期30-31,共2页
本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。
关键词 触发晶闸管 设计 制造 闸管
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结构改进的高压VDMOS功率晶体管
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作者 孔德平 张本袁 +1 位作者 王锡祺 潘余健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期22-24,共3页
本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
关键词 功率晶体管 晶体管 VOMOS
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