砷掺杂的ZnO纳米线的发光特性

在GaAs基底上制备了高质量的直径为10-100 nm、长度约几个微米的As掺杂ZnO纳米线．扫描电镜、EDX分析及透射电镜分析显示,ZnO纳米线具有较好的晶态结构．对As掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量,结果表明,ZnO纳米线在385 nm处有较强的紫外发光峰,在505 nm左右有较弱的蓝绿发光峰:As掺杂较大地改变了ZnO纳米线的发光性质,使本征发光峰移到393 nm处,蓝绿发光强度有了很大程度的提高．

一维纳米结构氧化锌材料的气相沉积制备及生长特性研究

ZnO是一种可用于室温或更高温度下的紫外发光材料,纳米结构的ZnO(如单晶薄膜、纳米粒子膜、纳米线和纳米带等)则更是在紫外激光发射领域显示了独到的优势,被认为是有望构造短波长半导体激光器的理想材料.本文对一维ZnO纳米结构(纳米线、纳米管和纳米带)的真空物理气相沉积制备技术及生长机理进行了初步探讨.

多壁碳纳米管的掺氮改性及场效应管特性研究

以二茂铁为前驱体,提供催化剂与部分碳源,三聚氰提供氮源与另外一部分碳源,在硅基底上制备出了碳纳米管阵列.碳纳米管为多壁结构,单根碳纳米管的平均直径为50nm.碳纳米管的X射线光电子谱(XPS)在398.4eV处出现特征峰,表明为氮掺杂的碳纳米管.用其制备的场效应管在室温大气环境下稳定地表现为n型场效应特性,并且具有非常低的关闭状态电流(off-statecurrent)以及良好的负门电压对漏极电流的抑制作用,单位源漏偏压下漏极电流为100pA量级.实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构,使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称,从而实现了对漏电极的门电压调制.