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非掺杂锐钛矿相TiO_2铁磁性的第一性原理研究 被引量:3
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作者 潘凤春 徐佳楠 +2 位作者 杨花 林雪玲 陈焕铭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期235-241,共7页
运用第一性原理的方法研究了锐钛矿相TiO_2中O空位(V_o)和Ti空位(V_(Ti))的电子结构和磁学性质.计算结果表明,单独的V_o并不会诱发局域磁矩,V_(Ti)可以产生大小为4μB(1μ=9.274×10^(-21)emu,CGS)的局域磁矩,主要分布在其周围的0... 运用第一性原理的方法研究了锐钛矿相TiO_2中O空位(V_o)和Ti空位(V_(Ti))的电子结构和磁学性质.计算结果表明,单独的V_o并不会诱发局域磁矩,V_(Ti)可以产生大小为4μB(1μ=9.274×10^(-21)emu,CGS)的局域磁矩,主要分布在其周围的0原子上.这两种缺陷产生局域磁矩的原因在文中做了详细的介绍.此外,由两个V_(Ti)诱发的局域磁矩之间的磁耦合相互作用为铁磁耦合,其交换耦合系数J_0为88.7 meV,意味着V_(Ti)间的铁磁耦合可以持续到室温.虽然V_o并不会产生局域磁矩,但是引入V_o可以进一步提升两个V_(Ti)之间的耦合强度,这可以对非掺杂锐钛矿结构的TiO_2体系中铁磁性的来源作出解释:V_(Ti)产生了局域磁矩,而V_o增强了V_(Ti)间长程的铁磁耦合相互作用.此外,还提出了局域磁矩之间耦合的第二类直接交换作用模型. 展开更多
关键词 第一性原理 TIO2 非掺杂 铁磁性
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C掺杂金红石相TiO_2的电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:5
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作者 潘凤春 林雪玲 陈焕铭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第22期255-262,共8页
运用第一性原理的局域密度近似+U(0≤U≤9eV)方法研究了本征金红石相TiO2在不同U值(对Ti-3d电子)下的禁带宽度、晶体结构以及不同比例C元素掺杂的金红石相TiO2的电子结构和光学性质,研究表明,TiO2的禁带宽度和晶格常数随着U值的增加而增... 运用第一性原理的局域密度近似+U(0≤U≤9eV)方法研究了本征金红石相TiO2在不同U值(对Ti-3d电子)下的禁带宽度、晶体结构以及不同比例C元素掺杂的金红石相TiO2的电子结构和光学性质,研究表明,TiO2的禁带宽度和晶格常数随着U值的增加而增大.综合考虑取U=3 eV并对其计算结果进行修正.对于掺杂体系,发现C元素的掺杂在金红石相TiO2中引入杂质能级,杂质能级主要由O-2p轨道和C-2p轨道耦合形成,杂质能级的引入可以增加TiO2对可见光的响应,从而使TiO2的吸收范围增大.C原子掺杂最佳比例为8.3%,此时光学吸收边的红移程度最明显,可增大光吸收效率,从而提高了TiO2光催化效率. 展开更多
关键词 第一性原理 TIO2 C掺杂 光学性质
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阳离子空位磁矩起因探讨
3
作者 潘凤春 林雪玲 陈焕铭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第17期259-264,共6页
运用群论和分子轨道理论的方法,系统地研究了非掺杂磁性半导体中阳离子空位产生磁矩的原因,并用海森堡模型阐明了磁矩之间的交换耦合机理.研究发现:阳离子空位磁矩的大小与占据缺陷能级轨道的未配对电子数有关,而缺陷能级的分布与空位... 运用群论和分子轨道理论的方法,系统地研究了非掺杂磁性半导体中阳离子空位产生磁矩的原因,并用海森堡模型阐明了磁矩之间的交换耦合机理.研究发现:阳离子空位磁矩的大小与占据缺陷能级轨道的未配对电子数有关,而缺陷能级的分布与空位的晶场对称性密切相关;通过体系的反铁磁状态和铁磁状态下的能量差估算交换耦合系数J_0,交换耦合系数J_0的正负可以用来预测磁矩之间的耦合是否为铁磁耦合:J_0>0,则表明磁矩之间的耦合为铁磁耦合,反之为反铁磁耦合.最后指出空位的几何构型发生畸变(John-Teller效应)的原因:缺陷能级轨道简并度的降低与占据缺陷能级轨道的电子的数目有直接的关系. 展开更多
关键词 阳离子空位 磁矩 电子结构 对称性
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非掺杂锐钛矿相TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究
4
作者 潘凤春 林雪玲 张栋 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第2期68-72,79,共6页
运用第一性原理的LDA+U(U_(Ti)=5.8 eV)方法研究了Ti空位(V_(Ti))和O空位(VO)对非掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构和光学吸收性质的影响.研究表明V_(Ti)可以有效提升TiO_2体系对可见光的响应,而VO则不能.在双V_(Ti)体系,由于杂质能级数目... 运用第一性原理的LDA+U(U_(Ti)=5.8 eV)方法研究了Ti空位(V_(Ti))和O空位(VO)对非掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构和光学吸收性质的影响.研究表明V_(Ti)可以有效提升TiO_2体系对可见光的响应,而VO则不能.在双V_(Ti)体系,由于杂质能级数目的增多可降低TiO_2体系的有效禁带宽度,进一步提升了TiO_2在可见光区的吸收强度.在V_(Ti)和VO共存的TiO_2体系,由VO引入的两个电子占据了费米能级处的杂质能级会使体系的价带顶上移,同时由VO引入的杂质能级位于禁带之间可以作为价电子由价带向导带之间跃迁的桥梁,因此此种结构对可见光的响应是最好的,有效的提高了TiO_2半导体的光电转换效率和光催化能力. 展开更多
关键词 第一性原理 TIO2 非掺杂 光学性质
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Gd掺杂Li_4Ti_5O_(12)电化学特性的第一性原理研究 被引量:1
5
作者 林雪玲 陈治鹏 +1 位作者 潘凤春 陈焕铭 《宁夏大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第3期332-338,共7页
基于第一性原理计算,研究Gd掺杂的Li_4Ti_5O_(12)锂离子电池负极材料的电化学特性.Gd原子替代16d位的原子形成p型或n型的Li_4Ti_5O_(12),引入的空穴和电子有效提高Li_4Ti_5O_(12)材料的电导率,同时Gd的引入有效增大Li_4Ti_5O_(12)晶胞... 基于第一性原理计算,研究Gd掺杂的Li_4Ti_5O_(12)锂离子电池负极材料的电化学特性.Gd原子替代16d位的原子形成p型或n型的Li_4Ti_5O_(12),引入的空穴和电子有效提高Li_4Ti_5O_(12)材料的电导率,同时Gd的引入有效增大Li_4Ti_5O_(12)晶胞的晶格常数,从而加宽了Li离子在体系内的扩散通道,有利于Li离子的嵌入和脱出.作为一种零应变材料,Gd的掺杂有效提高Li_4Ti_5O_(12)锂离子电池负极材料的大倍率电流充放电性能、电池的充放电比容量以及材料循环性能的稳定性. 展开更多
关键词 第一性原理计算 GD掺杂 LI4TI5O12 电化学特性
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铟锡氧化物电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:1
6
作者 林雪玲 潘凤春 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第3期64-70,共7页
透明导电氧化物薄膜具有高的可见光透明度和较低的电阻系数,已成为当前的研究热点.早期关于氧化铟材料的理论研究没有考虑In原子4d电子的交换关联库伦位能,使得计算的带隙值远低于实验值;另外关于Sn原子掺杂的氧化铟物理特性的研究比较... 透明导电氧化物薄膜具有高的可见光透明度和较低的电阻系数,已成为当前的研究热点.早期关于氧化铟材料的理论研究没有考虑In原子4d电子的交换关联库伦位能,使得计算的带隙值远低于实验值;另外关于Sn原子掺杂的氧化铟物理特性的研究比较少,不同掺杂位置对材料结构和电子结构的影响缺乏系统的研究.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理的LDA+U方法系统研究了Sn掺杂In_2O_3材料的电子结构和光学性质.研究表明Sn的引入能降低In_2O_3体系的禁带宽度,并在禁带中引入主要由Sn-5p轨道上的电子构成的杂质能级,禁带宽度的降低和杂质能级的引入可以改变In_2O_3材料对可见光的透明度,并可提高其电导率.Sn离子掺杂后体系的几何结构和电子结构发生改变是导致体系一系列性质发生改变的原因.通过Mulliken布局分析得知掺杂后的Sn-O键相比于掺杂前的In-O键的键长变短,同时前者比后者的离子键成份更强. 展开更多
关键词 第一性原理 IN2O3 Sn掺杂 光学性质
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Ni_n(n=2-6)原子簇的电子结构和磁性研究
7
作者 董建敏 李华 +3 位作者 张昌文 潘凤春 王永娟 甄鹏 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期242-244,共3页
采用MS-Xa方法研究了Nin(n=2-6)原子簇的电子结构和原子磁矩,发现团簇的几何对称性对原子磁矩和电子态 密度的分布有重要影响.具有Oh点群对称的八面体原子簇Ni6的3Eg轨道上存在很强的负交换耦合。呈现反铁磁耦合趋势; 具有C3v点群对称... 采用MS-Xa方法研究了Nin(n=2-6)原子簇的电子结构和原子磁矩,发现团簇的几何对称性对原子磁矩和电子态 密度的分布有重要影响.具有Oh点群对称的八面体原子簇Ni6的3Eg轨道上存在很强的负交换耦合。呈现反铁磁耦合趋势; 具有C3v点群对称的三边金字塔结构的原子簇Ni5位于塔顶点的Ni原子与基面上的Ni原子磁矩方向相反,但大小不等,呈现 出亚铁磁交换耦合特征.与金属Ni相比,有些Ni原子团簇磁性增强,有些团簇磁性减弱.这一结果能够较好地解释铁磁超微颗 粒呈现出的表面磁性异常现象. 展开更多
关键词 Nin原子团簇 对称 电子结构 原子磁矩
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氧化物颗粒增强Ni-W-P/Nb_2O_5复合镀层制备及其耐腐蚀性能 被引量:1
8
作者 马治 陈焕铭 +4 位作者 潘凤春 席丽莹 林雪玲 王琴 吕琼 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期16-21,39,共7页
目的对NdFeB磁性材料进行表面防护处理,改善其耐腐蚀性能。方法利用化学镀方法,在NdFeB基体材料表面制备氧化物颗粒增强的晶态和非晶态Ni-W-P/Nb2O5复合镀层,对镀层的组织形貌、元素组成分布及物相进行分析,并通过化学腐蚀失重法对耐腐... 目的对NdFeB磁性材料进行表面防护处理,改善其耐腐蚀性能。方法利用化学镀方法,在NdFeB基体材料表面制备氧化物颗粒增强的晶态和非晶态Ni-W-P/Nb2O5复合镀层,对镀层的组织形貌、元素组成分布及物相进行分析,并通过化学腐蚀失重法对耐腐蚀性能进行测试。结果当镀液中的次亚磷酸钠含量为20 g/L时,形成了晶态镀层;为35 g/L时,形成了非晶态镀层。晶态和非晶态Ni-W-P/Nb2O5镀层均由胞状突起组成,其中弥散分布着共沉积的Nb2O5颗粒。镀层样品的XRD图谱中没有出现与钕铁硼相关的衍射峰。对于制备的晶态和非晶态复合镀层,镀液中Nb2O5质量浓度由5 g/L增加到15 g/L时,化学腐蚀速率明显下降;Nb2O5质量浓度由15 g/L增加到20 g/L时,化学腐蚀速率的下降变得缓慢。结论利用化学镀可以在NdFeB磁性材料表面制备致密的Nb2O5增强Ni-W-P复合镀层,且随着Nb2O5含量的增加,复合镀层的耐腐蚀性能提高。 展开更多
关键词 化学镀 Ni-W-P/Nb2O5复合镀层 耐腐蚀性能 钕铁硼 颗粒增强 共沉积
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共沉积晶态Ni-P-W-Nb_2O_5复合镀层的性能研究 被引量:1
9
作者 马治 陈焕铭 +4 位作者 潘凤春 吕琼 王琴 林雪玲 席丽莹 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期64-67,共4页
利用晶态镀液在钕铁硼磁性材料基体表面共沉积Ni-P-W-Nb2O5复合镀层,对镀层的电化学性能、共沉积镀层与基体的结合性能及镀层的显微硬度进行测试。结果表明:当晶态镀液中Nb2O5颗粒的质量浓度为5-15 kg/m3时,共沉积Ni-P-W-Nb2O5复合镀... 利用晶态镀液在钕铁硼磁性材料基体表面共沉积Ni-P-W-Nb2O5复合镀层,对镀层的电化学性能、共沉积镀层与基体的结合性能及镀层的显微硬度进行测试。结果表明:当晶态镀液中Nb2O5颗粒的质量浓度为5-15 kg/m3时,共沉积Ni-P-W-Nb2O5复合镀层的电化学性能及其与基体间的结合强度随镀液中Nb2O5颗粒浓度的增加而增加;当镀液中Nb2O5颗粒的质量浓度由15 kg/m3增加到20 kg/m3时,镀层的电化学性能及其与基体间的结合强度有所下降。显微硬度测试结果表明,共沉积Ni-P-W-Nb2O5复合镀层的硬度随着镀液中Nb2O5颗粒浓度的增加呈单调增加趋势。 展开更多
关键词 钕铁硼 共沉积 Ni-P-W-Nb2O5 镀层性能
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Cu掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:3
10
作者 潘凤春 林雪玲 +2 位作者 高华 孙建军 陈焕铭 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第4期78-85,共8页
基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了Cu掺杂纤锌矿ZnO体系的电子结构和光学性质.计算结果表明,当Cu掺杂的原子百分比为4.17%时体系的光学吸收性能最好,且在可见光区出现了新的吸收峰.电子结构的分析表明,Cu的引入可以在... 基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了Cu掺杂纤锌矿ZnO体系的电子结构和光学性质.计算结果表明,当Cu掺杂的原子百分比为4.17%时体系的光学吸收性能最好,且在可见光区出现了新的吸收峰.电子结构的分析表明,Cu的引入可以在体系的费米能级引入由Cu-3d电子和O-2p电子相互作用形成的杂质能级,价电子由eg能级向tg能级跃迁吸收的最小光子能量约为0.12 e V,这使得Cu掺杂的ZnO体系的光学吸收边落在了红外光区,同时杂质能级的出现降低了ZnO体系的禁带宽度,提升了ZnO半导体材料对长波光子的响应并有效改善ZnO半导体的光催化活性. 展开更多
关键词 ZnO CU掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理计算
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Fe,Co,Ni掺杂GaSb的电子结构和光学性质 被引量:8
11
作者 潘凤春 林雪玲 +1 位作者 曹志杰 李小伏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第18期135-143,共9页
运用第一性原理LDA+U方法(考虑了交换关联项的Hubbard U修正的局域密度近似方法)研究了过渡族金属X (X=Fe, Co, Ni)掺杂GaSb的电子结构和光学性质.研究结果表明:X掺杂均能提升GaSb半导体材料对红外光区光子的吸收幅度,并能有效提高GaSb... 运用第一性原理LDA+U方法(考虑了交换关联项的Hubbard U修正的局域密度近似方法)研究了过渡族金属X (X=Fe, Co, Ni)掺杂GaSb的电子结构和光学性质.研究结果表明:X掺杂均能提升GaSb半导体材料对红外光区光子的吸收幅度,并能有效提高GaSb材料的光催化性能;过渡金属X在GaSb材料中主要以X替代Ga缺陷(X@Ga)的形式存在, X的电荷布居和键布居表明, X的掺入容易引起体系的晶格畸变,由此产生的电偶极矩有利于光生电子-空穴对的分离,从而提高材料的光催化性能;X掺杂引入的杂质能级位于0点费米能级附近,因而掺杂体系复介电函数虚部在光子能量为0时就会有响应,同时掺杂体系的静介电常数也得到了很大的提升;X的掺杂对GaSb体系的光学性能都有很大的改善,但Ni掺入对改善GaSb材料的光催化特性最有利;最佳Ni原子的掺杂摩尔浓度为10.94%,均匀掺杂可以避免光生电子-空穴复合中心的形成,此时光学吸收范围和吸收峰值都达到最大,对材料的光催化性能最有利. 展开更多
关键词 第一性原理 GASB 电子结构 光学性质
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Cu掺杂A-TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:3
12
作者 潘凤春 林雪玲 +3 位作者 高华 王旭明 赵雪 陈焕铭 《宁夏大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第4期353-359,共7页
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了Cu掺杂的A-TiO_2的电子结构和光学性质.结果表明,p型Cu掺杂会在禁带中引入杂质能级,同时杂质能级的数目随着掺杂Cu原子的增加而增多.由于杂质能级的出现,掺杂体系的禁带宽度变宽但有效禁带... 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了Cu掺杂的A-TiO_2的电子结构和光学性质.结果表明,p型Cu掺杂会在禁带中引入杂质能级,同时杂质能级的数目随着掺杂Cu原子的增加而增多.由于杂质能级的出现,掺杂体系的禁带宽度变宽但有效禁带宽度降低,电子从低能级向高能级跃迁所需的光子能量变小,掺杂体系吸收谱的吸收峰发生明显的红移.掺杂体系在可见光区(680nm处)出现新的吸收峰,当Cu原子掺杂摩尔分数为4.17%时,A-TiO_2对可见光的净吸收最优,可有效提升A-TiO_2光催化剂的性能.可为制备高效的TiO_2半导体光催化材料研究提供参考. 展开更多
关键词 第一性原理计算 CU掺杂 TiO2 电子结构 光学性质
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Electronic structure and magnetic properties of(Cu,N)-codoped3C-SiC studied by first-principles calculations 被引量:4
13
作者 潘凤春 陈治鹏 +3 位作者 林雪玲 郑富 王旭明 陈焕铭 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第9期458-462,共5页
The electronic structures and magnetic properties of the Cu and N codoped 3C-Si C system have been investigated by the first-principles calculation.The results show that the Cu doped Si C system prefers the anti-ferro... The electronic structures and magnetic properties of the Cu and N codoped 3C-Si C system have been investigated by the first-principles calculation.The results show that the Cu doped Si C system prefers the anti-ferromagnetic(AFM) state.Compared to the Cu doped system,the ionicities of C–Cu and C–Si in Cu and N codoped Si C are respectively enhanced and weakened.Especially,the Cu and N codoped Si C systems favor the ferromagnetic(FM) coupling.The FM interactions can be explained by virtual hopping.However,higher N concentration will weaken the ferromagnetism.In order to keep the FM interaction,the N concentration should be restricted within 9.3% according to our analysis. 展开更多
关键词 ferromagnetism 3C-Si C codoped system
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CFG桩在湿陷性黄土高路堤地基处理中的应用 被引量:1
14
作者 潘凤春 李爱国 《山西建筑》 2011年第6期126-127,253,共3页
针对湿陷性黄土地区高速公路高路堤地基处理问题,通过对合同段地表天然黏质黄土进行相关土工试验,结合区域建筑材料概况,按照因地制宜原则,采用CFG桩(水泥粉煤灰碎石桩)对地基进行处理,提出了处理方案、施工注意事项及质量检测要求。
关键词 湿陷性黄土 地基处理 土工试验 CFG桩
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应变对(Ga,Mo)Sb磁学和光学性质影响的理论研究
15
作者 潘凤春 林雪玲 王旭明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期245-256,共12页
近年来,作为一种自旋电子学领域的关键材料,具有高温本征铁磁性的稀磁半导体受到了广泛的关注.为探索能够提高本征铁磁性居里温度(C urie temperature,T;)的方法,本文运用第一性原理LDA+U方法研究了应变对Mo掺杂GaSb的电子结构、磁学及... 近年来,作为一种自旋电子学领域的关键材料,具有高温本征铁磁性的稀磁半导体受到了广泛的关注.为探索能够提高本征铁磁性居里温度(C urie temperature,T;)的方法,本文运用第一性原理LDA+U方法研究了应变对Mo掺杂GaSb的电子结构、磁学及光学性质的影响.研究结果表明:-6%—2.5%应变范围下GaSb半导体材料具有稳定的力学性能,压应变下GaSb材料的可塑性、韧性增强,有利于GaSb半导体材料力学性能的提升;应变对Mo替代Ga缺陷(Mo;)的电子结构有重要的影响,-3%至-1.2%应变范围下Mo;处于低自旋态(low spin state,LSS),具有1;的局域磁矩,-1.1%—2%应变范围下Mo;处于高自旋态(high spin state,HSS),具有3;的磁矩;不管是LSS还是HSS,Mo;产生局域磁矩之间的耦合都是铁磁耦合,但铁磁耦合的强度和物理机制不同,适当的压应变可有效提高铁磁耦合强度,这有利于实现高T;的GaSb基磁性半导体;Mo可极大提高GaSb半导体材料的电极化能力,这有利于光生电子-空穴对的形成和分离,提高掺杂体系对长波光子的光电转化效率;Mo引入的杂质能级使电子的带间跃迁对所需要吸收光子的能量变小,掺杂体系光学吸收谱的吸收边发生了红移,拉应变可进一步提升(Ga,Mo)Sb体系在红外光区的光学性能. 展开更多
关键词 GASB 应变 磁学性质 光学性质 第一性原理
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Strain-tuned magnetic properties in(Ga,Fe)Sb:First-principles study
16
作者 潘凤春 林雪玲 王旭明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第9期388-392,共5页
In view of the importance of enhancing ferromagnetic(FM)coupling in dilute magnetic semiconductors(DMSs),the effects of strain on the electronic structures and magnetic properties of(Ga,Fe)Sb were examined by a first-... In view of the importance of enhancing ferromagnetic(FM)coupling in dilute magnetic semiconductors(DMSs),the effects of strain on the electronic structures and magnetic properties of(Ga,Fe)Sb were examined by a first-principles study.The results of the investigation indicate that Fe_(Ga) substitution takes place in the low-spin state(LSS)with a total magnetic moment of 1μB in the strain range of-3%to 0.5%,which transitions to the high-spin state(HSS)with a total magnetic moment of 5μB as the strain changes from 0.6%to 3%.We attribute the changes in the amount and distribution of the total moment to the influence of the crystal field under different strains.The FM coupling is strongest under a strain of about 0.5%,but gradually becomes weaker with increasing compressive and tensile strains.The magnetic coupling mechanism is discussed in detail.Our results highlight the important contribution of strain to magnetic moment and FM interaction intensity,and present an interesting avenue for the future design of high Curie temperature(TC)materials in the(Ga,Fe)Sb system. 展开更多
关键词 GASB FE FERROMAGNETISM STRAIN
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氧化锌掺钡的电子结构及其铁电性能研究 被引量:2
17
作者 徐佳楠 陈焕铭 +3 位作者 潘凤春 林雪玲 马治 陈治鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期187-195,共9页
运用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了不同原子百分比含量的Ba掺杂Zn0半导体体材料超晶胞的能带结构、电子态密度、极化率和相对介电值.计算结果表明:Ba掺杂的Zn0体系为直接带隙半导体材料,其禁带宽度随着Ba原子掺杂百分比的增... 运用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了不同原子百分比含量的Ba掺杂Zn0半导体体材料超晶胞的能带结构、电子态密度、极化率和相对介电值.计算结果表明:Ba掺杂的Zn0体系为直接带隙半导体材料,其禁带宽度随着Ba原子掺杂百分比的增加呈现出逐渐增大的趋势.体系铁电性能的计算表明:与纯Zn0相比,Zn0掺入Ba原子后的极化率与相对介电值发生了较为明显的变化,其极化率随着Ba原子掺杂百分比的增加而增大,相对介电值随着Ba原子掺杂百分比的增加而减小.对角化后的极化率分量的数值结果表明:在电场作用下超胞中可能存在微畴结构,并且由于畴间电偶极矩的强相互作用,使得超胞宏观上表现为几乎具有各向同性的极化率特征. 展开更多
关键词 ZNO 电子结构 铁电性能 第一性原理
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Nb掺杂γ-TiAl金属间化合物的电子结构与力学性能 被引量:2
18
作者 陈治鹏 马亚楠 +6 位作者 林雪玲 潘凤春 席丽莹 马治 郑富 汪燕青 陈焕铭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第19期197-209,共13页
运用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了Nb掺杂γ-TiAl金属间化合物的结构参数、能带结构、电子态密度及弹性常数.结果表明:Nb替代Ti掺杂相比Nb替代Al掺杂的形成能低,Nb在替位掺杂时更倾向于取代Ti原子形成稳定的结构,Nb替代Ti掺... 运用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了Nb掺杂γ-TiAl金属间化合物的结构参数、能带结构、电子态密度及弹性常数.结果表明:Nb替代Ti掺杂相比Nb替代Al掺杂的形成能低,Nb在替位掺杂时更倾向于取代Ti原子形成稳定的结构,Nb替代Ti掺杂能够提高γ-TiAl金属间化合物的抵御塑性变形能力、断裂强度和延展性;与Nb替代Ti掺杂相比,Nb替代Al掺杂同样增强γ-TiAl金属间化合物的断裂强度且其增强延展性的效果更好,但抵御塑性变形的能力有所削弱. 展开更多
关键词 Nb掺杂 γ-TiAl金属间化合物 电子结构 力学性能
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GaSb中p型缺陷电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:3
19
作者 林雪玲 潘凤春 孙建军 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2018年第3期328-333,共6页
运用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)框架下的第一性原理计算方法,研究了GaSb半导体中p型缺陷的电子结构和光学性质,交换关联泛函采用局域密度近似(Local Density Approximation,LDA+U)方法对Ga-d电子和Sb-p电子的库... 运用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)框架下的第一性原理计算方法,研究了GaSb半导体中p型缺陷的电子结构和光学性质,交换关联泛函采用局域密度近似(Local Density Approximation,LDA+U)方法对Ga-d电子和Sb-p电子的库仑作用势能进行修正,计算得到GaSb的禁带宽度和晶格常数与实验值相符. GaSb中本征缺陷形成能的数值表明,富Ga(Garich)生长条件下p型Ga替代Sb(Ga@Sb)缺陷的形成能最低,富Sb(Sb-rich)生长条件下p型Sb间隙(Sb-int)缺陷的形成能最低,解释了GaSb在不同生长条件下总是p型半导体的原因. Ga@Sb、Sb-int和Ga空位(VGa)三种p型本征缺陷电子结构和光学性质的计算结果表明,缺陷的存在使得GaSb半导体的光学吸收谱的吸收边发生明显的红移,中红外波段的高吸收系数表明GaSb可作为红外光光电子器件的重要功能材料. 展开更多
关键词 GASB P型缺陷 电子结构 光学性质 第一性原理计算
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Effect of Interstitial Atom Nitrogen on Properties of RE_2Fe_(17) Compounds 被引量:1
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作者 董建敏 李华 +3 位作者 潘凤春 孙美坤 陈丽 梅良模 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第3期399-402,共4页
The electronic structure and atomic magnetic moments of clusters NdFe_6, NdFe_6N_3 and Fe_8 with a dumbbell atom-pair in rare earth-transition element compounds Nd_2Fe_(17)N_ x ( x =0, 3) were studied by spin-polariz... The electronic structure and atomic magnetic moments of clusters NdFe_6, NdFe_6N_3 and Fe_8 with a dumbbell atom-pair in rare earth-transition element compounds Nd_2Fe_(17)N_ x ( x =0, 3) were studied by spin-polarized MS-Xα method. The results are as follows: There are three negative exchange couplings between Fe(c) and Fe(f) atoms in Nd_2Fe_(17), which occur at their odd parity orbitals. Compared to the results of α-Fe calculated by the MS-Xα method, the low Curie temperature of compounds RE_2Fe_(17) can be explained satisfactorily. (2) There is only one weaker negative exchange coupling orbital leaving in between Fe(c) and Fe(f) sites in Nd_2Fe_(17)N_3. These results may be helpful for understanding the effect of interstitial atom M (M=N, H or C) in Fe_2Fe_(17)M_ x on Curie temperature. The other key factors affecting the Fe-Fe exchange coupling in Fe_2Fe_(17) compounds were also discussed. 展开更多
关键词 electronic structure method atomic magnetic moment exchange coupling rare earths
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